Цифровая форма представления информации. Основные параметры цифровых сигналов

Цифровая форма представления информации. Основные параметры цифровых сигналов

 

При представлении информации в цифровой форме используется принцип положительной или отрицательной логики, при этом полярность напряжения имеет вид:

Положительная полярность

полярность напряжения питания:

 

положительная логика	отрицательная логика

Отрицательная полярность

полярность напряжения питания:

положительная логика	отрицательная логика

Вся техника использует положительную логику и положительную полярность питания. Также принято соглашение о том, какой диапазон входного или выходного напряжения соответствует уровню логического «0» или логической «1».

Зона порога – интервал напряжения, при котором небольшые изменения напряжения вызывают срабатывание схемы.

Ненасыщенный биполярный ключ: схема, принцип работы, передаточная характеристика

 

Ненасыщенный биполярный ключ используется как метод повышения быстродействия для обычного биполярного ключа.

Транзистор не попадает в состояние глубокого насыщения. Цепь обратной связи ключа содержит диод.

Если диод и транзистор сделаны по одинаковой технологии U_БЭнас≈U_Д.пр и диод не откроется, схема неработоспособна. Для этого в качестве диода применяют диод Шотки, степень насыщения транзистора будет небольшой.

Комбинация диода Шотки и транзистора называют транзистором Шотки.

Достоинство: отсутствие интервала рассасывания.

Ненасыщенный биполярный ключ

 

Входная характеристика

Передаточная характеристика

Выходная характеристика

Насыщенный биполярный ключ. Схема, принцип работы, передаточная характеристика

 

 

Транзистор в режиме насыщения

Ток базы транзистора равен суме токов эммитерного и коллекторного перехода.

I_Бнас>IК/h_21Э =I_бгр

q_НАС=I_Бнас/I_Бгр

Превышение базового над его граничным значением называется коэффициентом насыщения.

Транзистор в режиме отсечки

Этот режим бывает 2-х видов:

1) режим пассивного запирания.

0<U_БЭ<U_БЭпор

R_У<U_БЭпор/I_К0

Это плохой режим отсечки, в транзисторе дополнительно рассеивается тепло. Этот режим может вызвать неопределенное состояние транзистора.

2) Режим глубокой отсечки.

Для p-n-p транзистора направление база-эмиттер меньше нуля.

U_БЭ<0

I_Б=-I_К0

R_У<Uзап/I_К0

Переключение происходит с задержками, которые вызваны изменением заряда и перезаряда барьерных емкостей.

Передаточная характеристика

Передаточная характеристика – зависимость выходного напряжения от величины входного напряжения. Есть 3 участка характеристики:

1. выходное напряжение находится в интервале от 0 до U_БЭ.Н. Транзистор в режиме отсечки, на выходе ключа напряжение равно напряжению питания.

2. U_вхЄ[U_БЭ.Н,U_ВХ.Н] на этом интервале транзистор находится в линейном режиме.

3. U_вхЄ[U_ВХ.Н, ∞] транзистор в режиме насыщения. На выходе низкий уровень напряжения.

Основные параметры

- Яркость свечения диода (кд/м2) при максимально допустимом прямом токе

- Постоянное прямое напряжение Uпр при максимально допустимом прямом токе

- Максимально допустимый постоянный прямой ток Iпр

- Максимально допустимое постоянное обратное напряжение Uобр.max

- Длина волны излучения l

- Угол излучения a - плоский угол, в пределах которого сила света составляет не менее половины ее максимального значения

Характеристики

Спектральные характеристики излучения

Строение оптокабеля

Параметры оптокабеля:

1) затухание – потеря мощности передаваемого сигнала. Затухание возникает из-за потерь на розсеивание, частичное поглощение света. Величина потерь зависит от длины волны света. Для примера, инфракрасный свет проходит 10 км, а красный – 0,5 км. Затухание измеряется в децибелах/км.

2) Дисперсия – рассеивание по времени спектра оптического сигнала. Она обусловлена не идеальностью источников света, а также зависимостью показателей преломления света от длины его волны.

 

Виды кабелей:

1) Многоводовые волокна. Диаметр сердечника намного больше чем длина волны света. Световые волны могут распространяться различными путями.

2) Многоводовое волокно с градиентным коэффициентом. Сердечник имеет разную плотность, которая уменьшается от центра к краям.

3) Одномодовые волокна. Диаметр сердечника близок к длине волны света.

Параметры передачи данных

2) скорость передачи данных для одномодовых кабелей 10 Гбит/с, для многомодовых – 1 Гбит/с.

3) Дальность передачи для одномодовых кабелей 100км, для многомодовых – 5 км.

 

Виды кабелей по месту прокладки:

1) Подземные комуникации телефонных служб.

2) Грунтовые оптокабели.

3) Соединение внутри здания.

4) Прокладеные на открытом воздухе.

5)

Класификация

P-i-n фотодиод

В p-i-n структуре средняя i-область заключена между двумя областями противоположной проводимости. При достаточно большом напряжении оно пронизывает i-область, и свободные носители, появившееся за счет фотонов при облучении, ускоряются электрическим полем p-n переходов. Это дает выигрыш в быстродействии и чувствительности. Повышение быстродействия в p-i-n фотодиоде обусловлено тем, что процесс диффузии заменяется дрейфом электрических зарядов в сильном электрическом поле. Уже при Uобр≈0.1В p-i-n фотодиод имеет преимущество в быстродействии.

Достоинства:

1) есть возможность обеспечения чувствительности в длинноволновой части спектра за счет изменения ширины i-области.

2) высокая чувствительность и быстродействие

3) малое рабочее напряжение Uраб

Недостатки:

сложность получения высокой чистоты i-области

 

Фотодиод Шоттки (фотодиод с барьером Шоттки)

Структура металл-полупроводник. При образовании структуры часть электронов перейдет из металла в полупроводник p-типа.

 

Лавинный фотодиод

В структуре используется лавинный пробой. Он возникает тогда, когда энергия фотоносителей превышает энергию образования электронно-дырочных пар. Очень чувствительны. Для оценки существует коэффициент лавинного умножения:

Для реализации лавинного умножения необходимо выполнить два условия:

1) Электрическое поле области пространственного заряда должно быть достаточно большим, чтобы на длине свободного пробега электрон набрал энергию, большую, чем ширина запрещённой зоны:

2) Ширина области пространственного заряда должна быть существенно больше, чем длина свободного пробега:

W > > λ

Значение коэффициентов внутреннего усиления составляет M=10-100 в зависимости от типа фотодиодов.

 

Фотодиод с гетероструктурой

Гетеропереходом называют слой, возникающий на границе двух полупроводников с разной шириной запрещённой зоны. Один слой р+ играет роль «приёмного окна». Заряды генерируются в центральной области. За счет подбора полупроводников с различной шириной запрещённой зоны можно перекрыть весь диапазон длин волн. Недостаток — сложность изготовления.

 

Фотодиоды на электрических схемах обозначаются следующим образом:

Конструкция фотодиода

I=IФ-IS(eU/jт-1)

где IФ=Si·Ф - фототок

IS – обратный ток

Si - интегральная чувствительность

Ф – световой поток

Основные параметры

- Диапазон длин волн принимаемого излучения;

- Интегральная чувствительность Si;

- Темновой ток Iт;

- Номинальное рабочее напряжение U_{ОБР.НОМ};

- Максимально допустимое обратное напряжение U_ОБР.MAX;

- Постоянная времени нарастания фототока t_Н

Принцип работы

1-й режим – на выводах отсутствует внешнее напряжение. На границе двух областей происходит диффузия дырок из р области в n область. Электроны переходят из n области в р область. В результате на границе возникает заряд, который формирует электрическое поле. Это поле препятствует встречной диффузии.

2-й режим на выводы подается прямое напряжение; напряжение на аноде больше чем на катоде. Это напряжение вызывает электрическое поле Е. Это поле будет компенсировать поле вызванное объемным зарядом. В результате в n область будет переходить больше количество дырок из р области, что образует прямой ток анода.

Параметры

Основным параметром стабилитронов является напряжение стабилизации — значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации. Пробивное напряжение диода, а значит, напряжение стабилизации стабилитрона зависит от толщины p-n-перехода или от удельного сопротивления базы диода. Поэтому разные стабилитроны имеют различные напряжения стабилизации (от 3 до 400 В).

 

Важным параметром стабилитрона является температурный коэффициент напряжения стабилизации — величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации. Значения этого параметра у различных стабилитронов различны. Коэффициент может иметь как положительные так и отрицательные значения для высоковольтных и низковольтных стабилитронов соответственно. Изменение знака соответствует напряжению стабилизации порядка 6В.

Примеры характеристик

Свойства диодов Шоттки

Достоинства

В то время, как обычные кремниевые диоды имеют прямое падение напряжения около 0,6—0,7 вольт, применение диодов Шоттки позволяет снизить это значение до 0,2—0,4 вольт. Столь малое прямое падение напряжения присуще только диодам Шоттки с максимальным обратным напряжением порядка десятков вольт, выше же падение напряжения становится сравнимым с аналогичным параметром кремниевых диодов, что ограничивает применение диодов Шоттки. Например, для силового диода Шоттки 30Q150 с максимально возможным обратным напряжением (150 В) при прямом токе 15 А падение напряжение нормируется на уровне от 0,75 В (T = 125 °C) до 1,07 В (T = −55 °C).

Барьер Шоттки также имеет меньшую электрическую ёмкость перехода, что позволяет заметно повысить рабочую частоту. Это свойство используется в интегральных микросхемах, где диодами Шоттки шунтируются переходы транзисторов логических элементов. В силовой электронике малая ёмкость перехода (то есть малое время восстановления) позволяет строить выпрямители на частоты в сотни кГц и выше. Например, диод MBR4015 (15 В, 40 А), оптимизированный под высокочастотное выпрямление, нормирован для работы при dV/dt до 1000 В/мс.

Благодаря лучшим временны́м характеристикам и малым ёмкостям перехода выпрямители на диодах Шоттки отличаются от традиционных диодных выпрямителей пониженным уровнем помех, поэтому они предпочтительны в традиционных трансформаторных блоках питания аналоговой аппаратуры.

 

Недостатки

При кратковременном превышении максимального обратного напряжения диод Шоттки необратимо выходит из строя (КЗ - короткое замыкание), в отличие от кремниевых диодов, которые переходят в режим обратного пробоя, и при условии непревышения рассеиваемой на диоде максимальной мощности, после падения напряжения диод полностью востанавливает свои свойства.

Диоды Шоттки характеризуются повышенными (относительно обычных кремниевых диодов) обратными токами, возрастающими с ростом температуры кристалла. Для вышеупомянутого 30Q150 обратный ток при максимальном обратном напряжениии изменяется от 0,12 мА при +25 °C до 6,0 мА при +125 °C. У низковольтных диодов в корпусах ТО220 обратный ток может превышать сотни миллиампер (MBR4015 — до 600 мА при +125 °C). При неудовлетворительных условиях теплоотвода положительная обратная связь по теплу в диоде Шоттки приводит к его катастрофическому перегреву.

 

Номенклатура диодов Шоттки

Диоды Шоттки — составные части современных дискретных полупроводниковых приборов:

МОП-транзисторы со встроенным обратным диодом Шоттки (впервые выпущены компанией International Rectifier под торговой маркой FETKY в 1996) — основной компонент синхронных выпрямителей. В отличие от обычного МОП-транзистора, обратный диод которого отличается высоким прямым падением напряжения и посредственными временны́ми характеристиками, использование обратного диода Шоттки позволяет строить силовые синхронные выпрямители с частотой преобразования в сотни кГц и выше. Существуют приборы этого класса со встроенными драйверами затворов и устройствами управления синхронным выпрямлением.

Так называемые ORing-диоды и ORing-сборки — силовые диоды и диодные сборки, применяемые для объединения параллельных источников питания общей нагрузки в устройствах повышенной надёжности (логическое ИЛИ по питанию). Отличаются особо низким, нормируемым прямым падением напряжения. Например, специализированный миниатюрный диод MBR140 (30 В, 1 А) при токе 100 мА имеет прямое падение напряжения не более 360 мВ при +25 °C и 300 мВ при +85 °C. ORing-диоды характеризуются относительно большой площадью P-N перехода и низкими удельными плотностями тока.

 

Барьер Шоттки

Барьером Шоттки называется потенциальный барьер в приконтактном слое, равный разности работ выходов металла и полупроводника (потенциальный барьер создаётся неподвижным пространственным зарядом в полупроводнике, а не за счёт возникновения между металлом и полупроводником промежуточного химического слоя):

Диоды использующие этот барьер называются диодами Шоттки или диодами с барьером Шоттки (ДШБ).

 

Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки имеет ярко выраженный несимметричный вид. В области прямых смещений ток экспоненциально сильно растёт с ростом приложенного напряжения. В области обратных смещений ток от напряжения не зависит. В обеих случаях, при прямом и обратном смещении, ток в барьере Шоттки обусловлен основными носителями - электронами. По этой причине диоды на основе барьера Шоттки являются быстродействующими приборами, поскольку в них отсутствуют рекомбинационные и диффузионные процессы. Несимметричность вольт-амперной характеристики барьера Шоттки - типичная для барьерных структур. Зависимость тока от напряжения в таких структурах обусловлена изменением числа носителей, принимающих участие в процессах зарядопереноса. Роль внешнего напряжения заключается в изменении числа электронов, переходящих из одной части барьерной структуры в другую.

Характеристики

 

Параметры, характеризующие транзистор как усилительный элемент:

Коэффициенты усиления:

- по току kI=DI_ВЫХ/DI_ВХ

- по напряжению kU= DU_ВЫХ/DU_ВХ

- по мощности kP=kI/kU= DP_ВЫХ/DP_ВХ

- входное сопротивление R_ВХ=U_ВХ/I_ВХ

- выходное сопротивление R_ВЫХ= U_ВЫХ/ I_ВЫХ

Выходные характеристики I_К=f(U_КБ)
схема с ОБ, n-p-n

Для схемы с ОБ выходная характеристика показывает зависимость тока коллектора то напряжения коллектор-база, при фиксированном значении тока эмиттера

 

Входные характеристики IЭ=f(UЭБ) n-p-n схема с ОБ p-n-p Показывает зависимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер

Выходные характеристики IК=f(UКЭ) n-p-n схема с ОЭ p-n-p

Это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер, при фиксированном токе на базе

Входные характеристики IБ=f(UБЭ) n-p-n схема с ОЭ p-n-p

Показывает зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер, при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер

 

Режимы работы

Нормальный (активный) режим – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном.

Инверсный режим – коллекторный переход смещен в прямом направлении, эмиттерный – в обратном.

Режим отсечки – оба перехода транзистора смещены в обратном направлении.

I_К=I_КБ0 I_Э»0 I_Б»-I_КБ0

Режим насыщения – оба перехода транзистора смещены в прямом направлении.

I_Kmax< aI_Э

 

Системы параметров

h₁₁ – это входное сопротивление транзистора при U_m2 = 0 то есть при коротком замыкании в выходной цепи по переменному току (конденсатором).

h₁₂ – представляет собой коэффициент обратной связи на холостом ходу во входной цепи по переменному току. Коэффициент обратной связи показывает степень влияния выходного напряжения на входное (катушкой индуктивности).
h₂₁ – коэффициент усиления по току транзистора или коэффициент передачи тока при коротком замыкании выходной цепи по переменному току.

h₂₂ – выходная проводимость на холостом ходу во входной цепи.

Система Y-параметров

Входная проводимость

y₁₁=ΔI₁/ΔU₁ при U₂=const

Обратная взаимная проводимость

y₁₂= Δ I₁/ΔU₂ при U₁=const

Прямая взаимная проводимость

y₂₁= Δ I₂/ΔU₁ при U₂=const

Выходная проводимость

y₂₂= Δ I₂/ΔU₂ при U₁=const

Схема с общей базой (ОБ)

kUб»1, так как RН»RВХб

Система Н-параметров

Для схемы с ОЭ

I₁=I_Б I₂=I_К U₁=U_БЭ U₂=U_КЭ

DU_БЭ=h_11Э D_IБ+h_12ЭDU_КЭ

DI_К=h_21ЭD_IБ+h_22ЭDU_КЭ

Для схемы с ОБ

I₁=I_Э I₂=I_К U₁=U_ЭБ U₂=U_КБ

DU_ЭБ=h_11Б D_IЭ+h_12БDU_КБ

DI_К=h_21БDI_Э+h_22БDU_КБ

Система Y-параметров

для схемы с ОЭ

I1=IБ I2=IК U1=UБЭ U2=UКЭ

ΔIБ=y11Э Δ UБЭ+y12Э Δ UКЭ
Δ IК=y21Э Δ UБЭ+y22Э Δ UКЭ

Классификация транзисторов

1. Малой мощности Рк<0.3 Вт

2. Средней мощности 0.3<Pк<1.5 Вт

3. Большой мощности Pк>1.5 Вт

1. Низкочастотные fa<3 МГц

2. Среднечастотные 3 МГц<fa<30 МГц

3. Высокочастотные 30МГц<fa<300 МГц

4. Сверхвысокочастотные fa>300 МГц

Принцип действия.

Под действием электрического поля между стоком и истоком через канал будут протекать основные носители зарядов, т. е. будет существовать ток стока. При подаче на затвор положительного напряжения электроны как не основные носители подложки будут притягиваться в канал. Канал обогатится носителями заряда, и ток стока увеличится. При подаче на затвор отрицательного напряжения электроны из канала будут уходить в подложку, канал обеднится носителями зарядов, и ток стока уменьшится. При достаточно больших напряжениях на затворе все носители заряда могут из канала уходить в подложку, и ток стока станет равным нулю.

Вывод: МОП – транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения зарядов.

Выходные характеристики

Статические параметры ЦИС

- Входное напряжение логической единицы (минимальное) U1ВХ (VIH);

- Входное напряжение логического нуля (максимальное) U0ВХ (VIL);

- Выходное напряжение логической единицы (минимальное) U1ВЫХ(VOH);

- Выходное напряжение логического нуля (максимальное) U0ВЫХ(VOL);

- Логический перепад DUЛ =U1 - U0

- Пороговое напряжение элемента Uпор (VIK);

- Мощность потребления в состоянии логического “0” Р0П

- Мощность потребления в состоянии логической “1” Р1П

- Средняя мощность потребления Р_П.СР=(Р_0П + Р_1П)/2

- Напряжение источника питания (указывается номинал, отклонение от номинала, величина пульсации) Uпит (VCC) (VDD);
- Выходной ток логической “1” I1ВЫХ (IOH);
- Выходной ток логического “0” I0ВЫХ(IOL);
- Входной ток логической “1” I1ВХ(IIH);
- Входной ток логического “0” I0ВХ (IIL);
- Ток потребления IПОТ (ICC);

- Входное сопротивление ЛЭ при UВХ=U0

- - Входное сопротивление ЛЭ при UВХ=U1

- - Выходное сопротивление ЛЭ при UВЫХ=U0

- - Выходное сопротивление ЛЭ при UВЫХ=U1

- Диапазон рабочих температур tmin, tmax, 0C;
- Коэффициент разветвления по выходу Краз.(сколько одному выходу соотв входов)
- Коэффициент объединения по входу Коб.

Динамические параметры ЦИС

- время перехода из состояния логической «1» в состояние логического «0»
- время перехода из состояния логического «0» в состояние логической «1»
- время задержки включения
- время задержки выключения

- время задержки распостранения сигнала при включении
- время задержки распостранения сигнала при выключении
- среднее время задержки распостранения сигнала
- рабочая частота переключения(максимальная рабочая частота) fп

Предельно допустимая емкость нагрузки СН, Ф
Предельно допустимая индуктивность нагрузки LН, Гн

Параметры: Uнагр, Iвых

Элемент НЕ

КМОП

В основе схемы лежит КМОП ключ.

Диоды организовывают систему защиты. Диоды на входе предохраняют входы инвертора от высокого напряжения.

Цепочка RC (C-емкость диода VD₁) – защищает выход инвертора от короткого замыкания на общий провод и цепью питания.

28. Базовый логический элемент ТТЛ: схемотехника, принцип работы, параметры и характеристики

Простейший базовый элемент ТТЛ, в соответствии с рисунком 2а, за счет использования многоэмиттерного транзистора, объединяющего свойства диода и транзисторного усилителя, позволяет увеличить быстродействие, снизить потребляемую мощность и усовершенствовать технологию изготовления микросхемы.

Базовый элемент ТТЛ также выполняет логическую операцию И-НЕ. При низком уровне сигнала (логический 0) хотя бы на одном из выходов многоэмиттерного транзистора VT₁ последний находится в состоянии насыщения, а VT₂ закрыт. На выходе схемы существует высокий уровень напряжения (логическая единица). При высоком уровне сигнала на всех входах VT₁ работает в активном инверсном режиме, а VT₂ находится в состоянии насыщения. Описанный здесь базовые элемент ТТЛ, несмотря на прощеную технологию изготовления, не нашел широкого применения из-за низкой помехоустойчивости, малой нагрузочной способностью и малого быстродействия при работе на емкостную нагрузку. Его целесообразно использовать лишь при разработке микросхем с открытым коллектором, в соответствии с рисунком 2б, для включения внешних элементов индикации, когда не требуется высокая помехоустойчивость и большая нагрузочная способность.

Рис 1 Рис 2

Разновидности

Элемент 2И

КМОП

 

Правая часть схемы віполняет функцию 2И-НЕ, а левая часть – инвертор.

Элемент ИЛИ Выполняет логическую операцию сложения

 

 

Элемент 2ИЛИ

КМОП

 

Правая часть схемы віполняет функцию 2ИЛИ-НЕ, а левая часть – инвертор.

Пример схемы блока ввода-вывода

FPGA

Описание параметров

Напряжение варистора - это падение напряжения на нем при токе от 0,1мА до 1мА в течение определенного периода времени

Рабочее напряжение: Обычно приводятся максимальные значения переменного VAC и постоянного VDC рабочего напряжения. Токи утечек при рабочих напряжениях незначительны

Нелинейная экспонента (α): Вольт-амперная характеристика варистора определяется равенством I=KVα, Где К - константа, зависящая от конфигурации, а α - нелинейная экспонента. Для вычисления значения α обычно берут две точки - (V1, I1), (V2, I2):

Максимальное напряжение ограничения: Это максимальное напряжение Up между выводами варистора втечение длительности импульса тока (8/20 μсек)

Мощность: Максимальная рассеиваемая энергия (Дж) втечение импульса длительностью 10/1000 μсек

E = K x Vm x I m x T

E: мощность (Дж)

K: константа = 1.4

Vm: максимальное напряжение ограничения при Im

Im: максимально допустимый пиковый ток с импульсом 10/1000 μсек

T: длительность тока перегрузки (1000 μсек)

Ток перегрузки:

Максимальный пиковый ток варистора при изменении напряжения варистора на 10% при стандартном импульсе тока (8/20 μсек) приложенный один или два раза с интервалом 5 мин

Средняя рассеиваемая мощность: Средняя мощность рассеяния при заданной температуре окружающей среды

Емкость - опорная величина, измеряемая при заданной частоте

Оценка срока службы варистора: Определяется как максимально допустимое количество импульсов, прикладываемых к варистору. Для определения используются импульсы стандартной длительности - 8/20 μсек (или 10/1000 μсек)

 

Пример ПЛИС CPLD

Программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС), как FPGA, так и CPLD, находят все большее применение в разнообразных областях и решают различные задачи - от простой логики до цифровой обработки сигналов, и поэтому, для их питания требуются различные уровни мощности.

Пример ПЛИС FPGA

Для хранения конфигурационной информации ПЛИС, выполненных по технологии SRAM, используются последовательные ПЗУ.

При необходимости загрузки ПЛИС большой емкости используется каскадное включение нескольких ПЗУ. На рис.2.29 приведена схема включения конфигурацион­ных ПЗУ и ПЛИС семейств FLEX6000, FLEX10K, АРЕХ20К фирмы Altera. Все рези­сторы имеют номинал 1 кОм.

 

Цифровая форма представления информации. Основные параметры цифровых сигналов

 

При представлении информации в цифровой форме используется принцип положительной или отрицательной логики, при этом полярность напряжения имеет вид:

Положительная полярность

полярность напряжения питания:

 

положительная логика	отрицательная логика

Отрицательная полярность

полярность напряжения питания:

положительная логика	отрицательная логика

Вся техника использует положительную логику и положительную полярность питания. Также принято соглашение о том, какой диапазон входного или выходного напряжения соответствует уровню логического «0» или логической «1».

Зона порога – интервал напряжения, при котором небольшые изменения напряжения вызывают срабатывание схемы.