Дослідження кремнієвого стабілітрона

ДОСЛІДЖЕННЯ КРЕМНІЄВОГО СТАБІЛІТРОНА

 

МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ ТА ІНСТРУКЦІЯ

До лабораторної роботи № 2

з дисципліни “Електроніка та мікропроцесорна техніка”

для студентів базового напряму 6.0902 “Інженерна механіка”

 

 

Затверджено на засіданні кафедри

автоматизації та комплексної механізації машинобудівної промисловості.

Протокол № 4 від 25.10.2008 р.

 

 

Львів – 2010

Дослідження кремнієвого стабілітрона: Методичні вказівки та інструкція до лабораторної роботи № 2 з дисципліни “Електротехніка електроніка та мікропроцесорна техніка” для студентів базового напряму: 6.0902 “Інженерна механіка” /Укл.: І. Д. Зелінський, С. А. Таянов, В. М. Гурський. – Львів: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2008. – 12 с.

 

Укладачі

Зелінський І. Д., канд. техн. наук, доц. Таянов С. А., канд. техн. наук, доц. Гурський В. М., канд. техн. наук, асист.

 

 

Відповідальний за випуск Гаврильченко О. В., канд. техн. наук, доц.

 

 

Рецензент Русин Б. П., д-р. техн. наук, с.н.с. ФМІ НАН України

 

ДОСЛІДЖЕННЯ КРЕМНІЄВОГО СТАБІЛІТРОНА

 

Мета роботи – зняття вольт-амперної характеристики (ВАХ) і визначення параметрів кремнієвого стабілітрона.

 

Схема дослідження, необхідні прилади і деталі

 

Рис. 6. Схема дослідження кремнієвого стабілітрона

 

Схема дослідження кремнієвого стабілітрона приведена на рис. 6. Елементи схеми і вимірювальні прилади підбирають у залежності від типу досліджуваного діода. Основні параметри типових кремнієвих стабілітронів приведені в табл. 1. Обмежувальний резистор R_o звичайно має величину опору порядку декількох сотень Ом (уточнюється в процесі випробували схеми). Вольтметри V₁, V₂ та міліамперметр mА - магнітоелектричної системи. Межі вимірів цих приладів залежать від типу досліджуваного стабілітрона іуточнюються в процесі випробування схеми. При включенні вимірювальних приладів у схему необхідно дотримувати відповідну полярність у залежності від положення перемикача В. У якості потенціометра R можна використовувати реостат або змінний резистор з опором порядку одиниць кілоом.

 

Таблиця 1

Параметри деяких кремнієвих стабілітронів

Марка стабілітрона	Напруга стабілізації, , В	Струм стабілізації, ма	Динамічний опір на робочій ділянці , Ом	Максимальна потужність, яка розсіюється, , Вт
, А	, А
Д808-Д811, Д813	7 – 14	1,0	20 – 33	6 – 18	0,28
Д814А-Д814Д	7 – 14	1,0	24 – 40	6 – 18	0,34
Д818А-Д818Е	9,0	3,0			0,3
2С156А, 2С168А	5,6 – 6,8	3,0	5 – 55	12,8 – 46	0,3
2С920А-2С980А	120 – 180	2,5-5	28 – 42	100 – 220	5,0
КС133А-КС168А	3,3 – 6,8	3,0	45 – 81	28 – 65	0,3
КС211А-КС211Д	11,0	5,0			0,28
КС620А-КС680А	120 – 180	2,5-5	28 – 33	150 – 330	5,0

 

Cписок літератури

1. Скаржепа И. А., Луценко А. Н. Электроника и микросхемотехника: Учебник: В 2х ч./ Под общ. ред. А.А. Краснопрошиной. К.: Вища шк. 1989. - Ч.1.

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов – 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1991.

3. Захаров В.К., Лыпарь Ю.М. Электронные устройства автоматики и телемеханики. ‑ Л.: Энергоатомиздат, 1984.

4. Веревкин Ю. Е. Основы электронной и полупроводниковой техники. Изд-во «Судостроение», М., 1969.

5. Гершунский Б. С. Основы электронной и полупроводниковой техники. Изд-во Киевского университета, 1967.

6. Дыкин А. В., Овечкин Ю. А. Электронные и полупроводниковые приборы. Изд-во «Энергия», М., 1971.

7. Гершунский Б. С. и др. Справочник по основам электронной техники. Изд-во Киевского университета, 1972.

ДОСЛІДЖЕННЯ КРЕМНІЄВОГО СТАБІЛІТРОНА