Настройка режимов работы оперативной памяти

Расположение опций: пункт CHIPSET FEATURES SETUP (Advanced, Advanced Chipset Features).

Контроль четности – универсальная опция, которая может относиться к любому типу памяти. Модуль памяти с контролем четности (ЕСС) позволяет гарантировать целостность сохраняемых данных (отсутствие в них ошибок), а если ошибка все же произошла, работа компьютера будет прекращена. Эта возможность особенно актуальна для серверов и мощных рабочих станций. Опции:

- DRAM Data Integrity Mode (Data Integrity (PAR/ECC)) – опция позволяет указать, какая память используется: с контролем четности (значение ЕСС) или обычная, без контроля четности (значение Non-ECC). Memory Parity/ECC Check (Memory ЕСС Mode) – опция аналогична опции DRAM Data Integrity Mode. Значение Enabled указывает, что используется память с контролем четности, значение Disabled указывает, что используется обычная память.

- DRAM ECC/PARITY Select – опция позволяет указать вид проверки памяти: простая проверка (значение Parity или ЕС) или контроль четности (значение ЕСС). Когда включена простая проверка, то при возникновении ошибки работа компьютера прекращается. Контроль четности позволяет исправлять одиночные ошибки, но в случае множественной ошибки работа также прекращается. При включении контроля четности падение производительности составляет около 3%.

- SDRAM ECG Setting – объединяет опции DRAM Data Integrity Mode и DRAM ECC/PARITY Select. Значение Disabled указывает, что используется обычная память без контроля четности, значение Check Only –используется память с контролем четности и включена простая проверка, значение Correct Error – используется память с контролем четности и включен контроль четности.

Оперативная память типов FPM или EDO является устаревшим типом памяти, в современных компьютерах не используется. Оперативная память типа RDRAM (Rambus) не получила широкого распространения.

 

Оперативная память типа SDRAM. Память SDRAM в настоящее время наиболее распространена. Она осуществляет поддержку автоматического конфигурирования: параметры модуля записываются в специальную микросхему SPD и BIOS, ориентируясь на эту информацию, автоматически устанавливает необходимые задержки. Опции:

- SDRAM Configuration – опция устанавливает режим автоматического конфигурирования (значение Auto или By SPD). При отключении режима автоматического конфигурирования (значение Disabled) предоставляется возможность настроить характеристики памяти для максимального быстродействия. Аналогично: 1. Configure SDRAM Timing by – при значении SPD (Auto) значение берется из микросхемы SPD, при значении Manual возможна ручная установка всех параметров. 2. Bank 0/1 DRAM Timing – дополнительно опция позволяет указать параметры модуля памяти, вставленного в первый разъем; Bank 2/3 DRAM Timing – для модуля памяти, вставленного во второй разъем; Bank 4/5 DRAM Timing – для модуля памяти, вставленного в третий разъем; Bank 6/7 DRAM Timing – для модуля памяти, вставленного в четвертый разъем.

- DRAM Clock – опция присутствует только у асинхронных чипсетов и позволяет изменить частоту шины памяти относительно частоты шины процессора: при значении Host CLK – эти частоты равны; при значении CLK-33 – частота шины памяти на 33 МГц меньше частоты шины процессора; при значении CLK+33 – на 33 МГц больше частоты шины процессора.

Изменять значения большинства следующих опций можно только при отключенном автоматическом конфигурировании памяти:

- SDRAM CAS Latency (SDRAM CAS Latency Time, SDRAM Cycle Length, CAS# Latency) – устанавливает задержку в тактах между выдачей сигнала CAS и началом чтения данных для памяти типа SDRAM. Для большинства качественных модулей памяти стандарта РС100 и РС133 можно установить значение 2. Если стабильная работа не обеспечивается, рекомендуется снизить значение опции до 3. Если присутствует вариант Auto, то значение берется из микросхемы SPD.

- SDRAM RAS To CAS Delay – задержка между сигналами RAS и CAS при обращении к ячейке памяти. Обычно достаточно 2 тактов, но для проблемных модулей памяти рекомендуется увеличить значение до 3.

- SDRAM (CAS Lat/RAS to CAS) – комбинация опций SDRAM CAS Latency и SDRAM RAS To CAS Delay. первое значение указывает задержку в тактах между выдачей сигнала CAS и началом чтения данных, второе – задержку между сигналами RAS и CAS при обращении к ячейке памяти. Для качественной памяти рекомендуется значение 2/2, для проблемной – значение 3/3.

- SDRAM Cycle Time Tras/Тгс – задает комбинацию тактов между обращением к памяти и началом регенерации и полным временем цикла обращения к памяти. Типичное значение 6/8, в случае качественной памяти рекомендуется установить значение 5/7.

- SDRAM Active to Precharge Time – задает количество тактов между обращением к памяти и началом регенерации. Типичное значение 6 тактов, в случае качественной памяти рекомендуется установить значение 5 тактов.

- SDRAM RAS Precharge Time – устанавливает количество тактов шины памяти до начала регенерации памяти (время предварительного заряда по RAS). Обычно достаточно 2 тактов, при нестабильной работе компьютера рекомендуется увеличить значение до 3 тактов.

- Refresh RAS# Assertion – задает количество тактов шины памяти, в течении которых будет активен сигнал RAS при регенерации памяти. Для качественной памяти достаточно 3 тактов, в случае нестабильной работы компьютера рекомендуется значение 4 такта.

- DRAM Idle Timer – показывает количество тактов, в течение которых будут закрыты все открытые страницы памяти при переходе процессора в режим ожидания. Чем меньше значение, тем более высокого быстродействия можно добиться, но при недостаточном количестве тактов возможно снижение стабильности работы. Рекомендуется значение 8 Cycle (тактов). Если надежность работы не пострадает, можно уменьшить значение, в случае возникновения проблем – увеличить количество тактов (до 32 Cycle).

- SDRAM MA Wait State – задержка в тактах перед началом чтения содержимого ячейки памяти. Для памяти SDRAM не требуется дополнительной задержки (значение 0 или Fast). Если система работает нестабильно, рекомендуется ввести задержку в один (значение 1 или Normal) или в два такта (значение 2 или Slow). Введение дополнительных задержек отрицательно сказывается на быстродействии компьютера.

- Fast R-W Turn Around – включение режима убирает такт задержки между двумя циклами обращения к памяти. По умолчанию режим включен (значение Enabled – задержка отсутствует); для проблемной памяти может потребоваться его выключение (значение Disabled - задержка в 1 такт).

- SDRAM Speculative Read – опция позволяет ускорить обращение к памяти за счет преждевременной выдачи сигнала чтения (значение Enabled). По умолчанию опция выключена (значение Disabled).

- SDRAM Banks Close Policy – указывает правила закрытия банков памяти. Для двухбанковых модулей памяти должно быть установлено значение Page Miss, для четырехбанковых – значение Arbitration. Не рекомендуется менять значение, установленное по умолчанию, так как выбор неверного значения способен привести к нестабильной работе компьютера.

- SDRAM Refresh Rate (Refresh Rate, Refresh Mode Select) – опция задает период между регенерацией соседних строк модуля памяти. Стандартное значение 15.6 us (15,6 микросекунд). Если применены качественные модули памяти, можно попробовать увеличить это значение до 31 .2 us или даже до 64 us, что положительно скажется на быстродействии компьютера. В случае проблемных модулей рекомендуется уменьшить период до 7.8 us.

 

Оперативная память типа DDR SDRAM. DDR SDRAM – самый перспективный тип памяти. Фактически, это SDRAM с удвоенной скоростью доступа и, как следствие, практически все параметры работы памяти DDR SDRAM аналогичны обычной SDRAM. Дополнительные и отличающиеся по названию опции:

- DDR Timing by SPD – опция аналогична SDRAM Configuration.

- DRAM Timing setting by – опция аналогична SDRAM Configuration.

- DDR Frequency – опция аналогична DRAM Clock.

- DRAM РН Limit – число последовательных пакетных циклов обращения к памяти при поступлении запроса на обычный цикл чтения или записи, рекомендуемое значение 8 Cycle.

- DRAM Idle Limit – опция аналогична DRAM Idle Timer.

- DRAM Trc Timing Value — задает количество тактов цикла обращения к тому же банку памяти. Типичное значение 8 Cycle, в случае качественной памяти можно попробовать установить 7 Cycle и менее.

- DRAM Trp Timing Value – опция задает количество тактов между окончанием регенерации и обращением к памяти. Типичное значение – 3 Cycle, в случае качественной памяти рекомендуется установить – 2 Cycle.

- DRAM Tras Timing Value – устанавливает количество тактов между обращением к памяти и началом регенерации. Типичное значение 7 Cycle, в случае качественной памяти рекомендуется уменьшить значение.

- SDRAM Trcd Timing Value – опция аналогична SDRAM RAS To CAS Delay.

- DDR Refresh Rate (SDRAM Refresh Rate, Refresh Mode Select) – опция аналогична SDRAM Refresh Rate.