Образцы тестов для проведения текущего контроля

Тест 1.Какое из приведенных утверждений правильное?

Варианты ответа:

а) электронно-дырочный переход – это слой, обедненный носителями заряда;

б) электронно-дырочный переход – это слой, обогащенный носителями заряда.

 

Тест 2. Какой из приведенных пробоев является необратимым?

Варианты ответа:

а) лавинный;

б) туннельный;

в) тепловой.

 

Тест 3. Какая схема включения биполярного транзистора обеспечивает наибольшее усиление мощности? Почему?

Варианты ответа:

а) схема с общим коллектором;

б) схема с общим эмиттером;

в) схема с общей базой.

 

Тест 4. Какой из приведенных униполярных транзисторов используется в основном в цифровой технике?

Варианты ответа:

а) с управляющим p-n переходом;

б) МДП структуры с индуцированным каналом;

в) МДП структуры со встроенным каналом.

 

Тест 5. В каком режиме работает транзисторный каскад, если рабочая точка расположена на крутом участке выходной ВАХ?

Варианты ответа:

а) ключевой; б) усилительный;

 

Тест 6. Какие вопросы рассматриваются в дисциплине основы электроники?

Варианты ответа:

а) схемотехнические;

б) системотехнические;

в) физико-технические и конструкторско-технологические.

 

Тест 7. Как представляется в зонной теории энергетическое состояние полупроводникового материала?

Варианты ответа:

а) временными диаграммами;

б) уровнями энергии;

в) зонами энергии и уровнями энергии.

 

Тест 8. Какой диапазон изменения удельного сопротивления характерен для полупроводниковых материалов

Варианты ответа:

а) 3 порядка;

б) 14 порядков;

в) 10 порядков.

 

Тест 9. Чем отличаются собственные и примесные полупроводники?

Варианты ответа:

а) удельной проводимостью;

б) количеством электричества;

в) кристаллической структурой.

 

Тест 10. Как формируется р-n- переход?

Варианты ответа:

а) механическим соприкосновением двух полупроводников;

б) вжиганием одного полупроводникового материала в другой;

в) методом сплавления или дифузионным способом;

 

Тест 11. Чем обусловлен процесс диффузии носителей заряда в полупроводнике?

Варианты ответа:

а) средней скоростью движения носителей заряда;

б) градиентом концентрации носителей заряда;

в) воздействием электрического поля.

 

Тест 12. Чем обусловлены процесс дрейфа носителей заряда в полупроводнике?

Варианты ответа:

а) воздействием электрического поля;

б) градиентом концентрации носителей заряда;

в) подвижностью носителей заряда.

 

Тест 13. Что представляет собой вольтамперная характеристика диода?

Варианты ответа:

а) зависимость статического сопротивления диода от напряжения на диоде;

б) зависимость тока через диод от напряжения на диоде;

в) зависимость динамического сопротивления диода от тока через диод;

 

Тест 14. Что представляет собой выходная вольтамперная характеристика n-p-n биполярного транзистора, включенного по схеме «общая база»?

Варианты ответа:

а) зависимость динамического выходного сопротивления транзистора от тока коллектора;

б) зависимость базового тока от напряжения на переходе коллектор – база;

в) зависимость тока коллектора от напряжения коллектор – база.

 

Тест 15. Какая структура МДП-транзистора?

Варианты ответа:

а) планарная;

б) диффузионная;

в) эпитаксальная.

 

Тест 16. Чем отличаются микроэлектронные изделия «интегральная микросхема» и «чип»?.

Варианты ответа:

а) функциональной сложностью;

б) количеством выводом;

в) ничем не отличаются;

 

Тест 17. Какое основное отличие МДП-транзистора с индуцированным каналом от МДП-транзистора со встроенным каналом?

Варианты ответа:

а) длина канала;

б) проводимость и ширина канала;

в) способ образования канала;

 

Тест 18. Назовите существенное преимущества биполярного транзистора с диодом Шоттки.

Варианты ответа:

а) небольшой ток коллектора в режиме насыщения;

б) высокое быстродействие при включении и выключении;

в) очень низкое напряжение насыщения.

 

Тест 19. Микропроцессор – это?

Варианты ответа:

а) СБИС;

б) БИС;

в) ГИС.