H – параметры биполярного транзистора и его частотные

Свойства

4) Для расчёта цепей с транзисторами транзистор представляется в виде четырёхполюсника.

I1 I2

 

 

 

ОЭ

 

 

Литература: [1]– стр. 34-52. [2] - стр. 53-89. [3] - стр. 11-118

 

 

Полевые транзисторы и приборы с отрицательным сопротивлением.

 

Устройство и принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором

 

Полевыми называются транзисторы, которые управляются электрическим полем. Принцип действия полевых транзисторов:

 

 

Затвор

E_зи

 

 

исток

 

 

E_сгл

 

 

Полевой транзистор с p-n переходом и каналом p - типа

с с

з и з и

 

P - типа n – типа

В транзисторе с p-n переходом должен смещаться только в обратном направлении. Т.к. p-n переход подключен последовательно соединённый

источник E_зи и E_сгл , то область заряда внутри канала сужается к стоку.

Изменение величины E_сп можно достичь полного перекрытия канала.

Характеристика полевого транзистора

I_c=f(U_сп)= const

 

I_c

 

U_зи=0 А - пробной

 

 

U_зи=1В

 

 

U_зи =3В

 

U_{зи отсечки}

 

U_сп

 

 

Для характерной работы транзистора применяют передаточную характеристику.

Ic= f(U_зи)| _Ucи= const

I_c

 

0 U_зи

 

Для транзистора с каналом n типа необходимо изменять полярность источника. Основным параметром является крутизна передаточного характера.

S = ΔIc\ Δ U_зи| _Ucи – const

Ri = Δ Ucи\ ΔIc μ = Δ Ucи\ Δ U_зи= S Ri

Полевой транзистор с изолированным затвором.

U ”О” ист t з диод

 

с

n P типа

з u

подложка

n- стрелка направлена

Ic = f(Ucи)| _Uзи = CONST

Ic

Uзи > 0

 

Uзи = 0

 

Uзи < 0

 

 

0 Ucи

 

Uзи > 0 режим называется обогащением если наоборот, то обеднение

I = f(Uзи)| U_cи= const Ic

 

 

Обогащение

Обеднение

Uзи

 

Схемы включения и математические модели полевых транзисторов

 

Схемы включения: общий сток, общий затвор т.к. входное сопротивление транзистора очень большое (обратно смещение p-n переход) конденсатор, то математическая модель для всех транзисторов представляется в виде генератора напряжения.

 

C

C_зс

 

З S*Ri

 

 

С_зи

U

 

 

Тиристоры. Принцип действия, параметры и маркировка

 

Тиристор может быть в двух устойчивых состояниях и имеет участок отрицательного сопротивления. Тиристор состоит из 3 и более p-n переходов.

 

A K A K

 

 

Динистор

 

Ia IK1=IБ2

A VT1

Ia=Ik₁+Ik₂=Iaα₂+Ik₀+Ia

 

VT2

Ia = Ik₀\ 1-(α₁+ α₂) -

K Аналитическое выражение ВАХ

 

IБ1=Ik2 Ik=Ia

I_а

α₁+ α₂ > 1 α₁+ α₂ = 1

I_вкл

I_ус2 I_ус1

U_вкл

 

 

I_{спрямления} α₁+ α₂ < 1 U_ак

 

Тиристор который имеет дополнительное управление электричеством – называют тринистором.

А К

 

 

У.Э.

I спрямления – величина тока управления электрода при котором тиристор превращается в диод.

 

Для коммутации переменного тока используют 2 встречных включения тиристора который помещается в один корпус называются симистором.

 

У.Э.

 

 

Двух операционный тиристор может и включатся и выключатся управлением тока.