Методические указания по исследованию полевого ранзистора

6.2.1 Установить печатную плату ЕВ – 112, которая содержит схему для исследования полевого тарнзистора, в стенд PU 2000 от DEGEM system.

6.2.3. Измерить сопротивления резисторов R₁, R₂, R₃, R₄, RV1.

6.2.3. Собрать схему для снятия стоковых характеристик I_с = f(U_си), показанную на рисунке 6.1.

Рисунок 6.1 – Схема для снятия характеристик полевого транзистора

6.2.4 Устанавливая фиксированные напряжения на затворе U_зи, снимать зависимости тока стока от напряжения на стоке I_с = f(U_си.), изменяя напряжение источника PS-1. Данные заносить в таблицу 6.1.

Таблица 6.1

Uзи, В	Iс при Uси =0,1В	Iс при Uси =0,5В	Iс при Uси =1В	Iс при Uси =2В	Iс при Uси =5В	Iс при Uси =10В
-0,5
-1,0
-1,5
-2,0

6.2.5 Устанавливая фиксированные напряжения на стоке U_си, снимать зависимости тока стока от напряжения на затворе I_с = f(U_зи.), изменяя напряжение источника PS-2. Данные заносить в таблицу 6.2.

Таблица 6.2

Uси,в	Iс при Uзи = =0 В	Iс при Uзи = =-0,25В	Iс при Uзи = =-0,5В	Iс при Uзи = =-1В	Iс при Uзи = =-2В	Iс при Uзи отсечки.
0,5

6.2.6 Измерить напряжение U_зи отсечки, при котором прекращается стоковый ток.

6.2.7 Собрать схему для измерения сопротивления канала исток-сток, показанную на рисунке 6.2.

6.2.8 Установить напряжение источника PS-1, равным 10В, снимать показания вольтметров. Данные заносить в таблицу 6.3.

Таблица 6.3

Uзи, В	0 В	-0,25В	-0,5В	-1В	-2В	Uзи отсечки.
Uси
Rси

Рисунок 6.2 – Схема для измерения сопротивления канала исток-сток

6.3. Расчетное задание

6.3.1 Построить семейство стоковых характеристик I_с = f(U_си) по данным из таблицы 6.1. Провести нагрузочные линии для сопротивлений R1 и R2, оценить коэффициент усиления.

6.3.2 Построить семейство стоко-затворных характеристик транзистора I_с = f(U_зи.) по данным таблицы 6.2. Измерить крутизну характеристики транзистора при различных напряжениях стока.

6.3.3 Вычислить сопротивления канала сток – исток при различных напряжениях на затворе по данным таблицы 6.3.

6.4 Контрольные вопросы

6.4.1 В чём коренное отличие полевых транзисторов от биполярных в смысле носителей электрического заряда?

6.4.2 Чем управляется ток канала исток – сток в полевом транзисторе с управляющим p-n переходом?

6.4.3 Какие происходят изменения в канале при подаче обратного напряжения на p-n переход затвор-исток?

6.4.5 Что такое напряжение отсечки?

6.4.6 Что такое крутизна стоко-затворной характеристики?

6.4.6 Что такое внутреннее сопротивление транзистора?

6.4.7 Что такое коэффициент усиления транзистора?

6.4.8 Какие ещё существуют типы полевых транзисторов, кроме исследованного?

6.4.9 Чем управляется ток канала исток – сток в полевом транзисторе с изолированным затвором?

6.4.10 От чего и чем изолирован затвор в полевом транзисторе с изолированным затвором?

6.4.11 В чём преимущества полевых транзисторов перед биполярными?

Список литературы

1. Лачин В.И., Савёлов Н.С. Электроника: учеб. пособие –Ростов н/Д: Феникс, 2009.-703, (1) с.- (Высшее образование).

2.Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника: Учебник для ВУЗов – М.: Радио и связь, 1996. – 786 с.

3. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. – СПб.: Корона-принт, 2004. – 416 с.

Содержание

Введение 4

Лабораторная работа № 1 Исследование характеристик

и высокочастотных свойств диода 5

Лабораторная работа № 2 Исследование характеристики

стабилитрона и простейшего стабилизатора напряжения 7

Лабораторная работа № 3 Исследование биполярного транзистора 10

Лабораторная работа № 4 Исследование тиристора 14

Лабораторная работа № 5 Исследование фототранзисторного

оптрона 17

Лабораторная работа № 6 Исследование полевого

транзистора с управляющим р-п переходом 21

Список литературы 24