Загрузка страничного буфера EEPROM

Данная команда предназначена для записи одного байта в страничный буфер EEPROM.

· Запишите в регистр NVM CMD команду загрузки страничного буфера EEPROM

· Запишите в регистр NVM ADDR0 адрес, по которому выполняется запись.

· Запишите в регистр NVM DATA0 данные, подлежащие записи. Это приведет к запуску исполнения команды.

Повторите шаги 2-3 нужное число раз.

Стирание страничного буфера EEPROM

Данная команда предназначена для стирания страничного буфера EEPROM.

· Запишите в регистр NVM CMD команду стирания страничного буфера EEPROM.

· Установите бит CMDEX в регистре NVM CTRLA с использованием привязанной ко времени последовательности CCP.

Флаг BUSY регистра NVM STATUS в процессе выполнения операции равен единице.

Стирание страницы EPPROM

Данная команда предназначена для стирания одной страницы EEPROM.

· Запишите в регистр NVM CMD команду стирания страницы EEPROM.

· Запишите в регистр NVM ADDRESS адрес подлежащей стиранию страницы EEPROM.

· Установите бит CMDEX в регистре NVM CTRLA с использованием привязанной ко времени последовательности CCP.

Флаг BUSY в регистре NVM STATUS в процессе выполнения операции равен единице.

Команды стирания страницы стирают только те ячейки страницы, загрузка которых была выполнена в страничный буфер EEPROM.

Запись страницы EEPROM

Данная команда предназначена для записи загруженного страничного буфера EEPROM в одну страницу EEPROM. Запись выполняется только тех ячеек, которые предварительно были загружены в страничный буфер EEPROM.

· Запишите в регистр NVM CMD команду записи страницы EEPROM.

· Запишите в регистр NVM ADDR адрес подлежащей записи страницы EEPROM.

· Установите бит CMDEX в регистре NVM CTRLA с использованием привязанной ко времени последовательности CCP.

Флаг BUSY регистра NVM STATUS равен единице вплоть до завершения операции.

Стирание и запись страницы EEPROM

Данная команда позволяет за один подход выполнить стирание страницы EEPROM, а затем запись страничного буфера EEPROM в только что стертую страницу EEPROM.

· Запишите в регистр NVM CMD команду стирания и записи страницы EEPROM.

· Запишите в регистр NVM ADDR адрес подлежащей записи страницы EEPROM.

· Установите бит CMDEX в регистре NVM CTRLA с использованием привязанной ко времени последовательности CCP.

Флаг BUSY в регистре NVM STATUS остается установленным до завершения операции.

Стирание EEPROM

Данная команда предназначена для стирания тех ячеек всех страниц EEPROM, которые были загружены ранее в страничный буфер EEPROM.

· Запишите в регистр NVM CMD команду стирания EPPROM.

· Установите бит CMDEX в регистре NVM CTRLA с использованием привязанной ко времени последовательности CCP.

Флаг BUSY регистра NVM STATUS удерживается в установленном состоянии вплоть до завершения операции.

Чтение EPPROM

Команда чтения EEPROM предназначена для чтения одного байта из EEPROM.

· Запишите в регистр NVM CMD команду чтения EPPROM.

· Запишите в регистр NVM ADDR адрес, по которому будет выполняться чтение.

· Установите бит CMDEX в регистре NVM CTRLA с использованием привязанной ко времени последовательности CCP.

Считанный байт данных будет доступен в NVM DATA0.

Внешнее программирование

Внешнее программирование - способ программирования энергонезависимой памяти данных и памяти программ с помощью внешнего программатора или отладчика. Программирование может выполняться либо внутри системы (внутрисистемное программирование), либо на специальных производственных программаторах. Для выполнения такого программирования необходимо придерживаться ограничений по максимальным и минимальным напряжению и частоте, значения которых приводятся в документации на МК.

Доступ к микроконтроллеру при внешнем программировании осуществляется через контроллер PDI, который внешне доступен через электрический интерфейс JTAG или PDI. Более детально о разрешении работы и использовании интерфейсов PDI и JTAG см. в 20 "Интерфейс программирования и отладки". Далее по тексту полагается, что разрешение работы электрического интерфейса контроллера PDI выполнено корректно. Через PDI внешний программатор имеет возможность доступа к любой энергонезависимой памяти и NVM-контроллеру по шине PDI, при этом, и память программ и память данных образуют единое линейное пространство памяти PDI. На рисунке 30.4 показано пространство памяти PDI и базовые адреса каждого пространства памяти МК.

Рисунок 30.4. Карта памяти PDI