Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Секреты производительности платформы Intel
Технология Intel® FMA Начиная с чипсета Р965 Intel® реализует в своих чипсетах поддержку технологии Fast Memory Access (FMA). За счет оптимизации пропускной способности и сокращения задержек доступа к памяти технология FMA существенно повышает производительность системы, увеличивает пропускную способность внутренней шины данных и позволяет поддерживать двухканальную память DDR3 с частотой до 1333 МГц (пропускная способность до 21.2 Гбайт/с), что улучшает вычислительную производительность и гибкость выделения ресурсов памяти. Технология Intel® MST Технология Intel® Matrix Storage Technology (MST) позволяет без сложных настроек создавать расширяемые RAID-конфигурации. Технологии RAID 0/1/5/10 позволяют повысить скорость доступа к данным на диске за счет использования нескольких дисков. Кроме того, RAID 1/5/10 позволяют предотвратить потерю данных при неисправности одного из дисков. MST поддерживает внешние устройства SATA (eSATA) со скоростью интерфейса до 3 Гбайт/с. Технология Intel® СVI Технология Intel® Clear Video Technology (CVT) позволяет за счет применения различных технологических решений повысить качество изображения и устранить артефакты и сбои при выводе видео. Кроме того, CVT предусматривает аппаратное ускорение для максимально плавного воспроизведения видео высокого разрешения с поддержкой режима "картинка в картинке". Благодаря поддержке интерфейса High-Definition Multimedia Interface (HDMI) технология CVT также упрощает соединение компьютера с устройством вывода изображений, позволяя обойтись при этом одним кабелем. Технология Intel® QST Технология Intel® Quiet System Technology (QST) помогает уменьшить уровень шума компьютера за счет автоматической регулировки скорости вращения вентилятора в зависимости от температуры в корпусе компьютера. Это позволяет сформировать бесшумную рабочую среду без ущерба для производительности компьютера. Технология Intel* CVT (Clear Video Technology) представляет собой сочетание высокоэффективных аппаратных и программных средств, обеспечивающее плавное воспроизведение видео высокого разрешения и вывод более четких и ясных изображений с более точным управлением цветом для создания Оперативная память Гонка на скорость Назначение оперативной памяти (RAM, от Random Access Memory) - временное хранение данных, считанных с жесткого диска, для ускорения доступа к ним процессора. Поэтому ускорение обмена данными с памятью существенно способствует повышению производительности. В случае памяти пропускная способность прямо пропорциональная тактовой частоте; чем больше тактовая частота, тем выше пропускная способность и скорость передачи - а тем самым и производительность компьютера. Эволюция памяти прошла путь от SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM до новейшей DDR3 SDRAM.
Память Double Data Rate SDRAM (DDR SDRAM) передает данные дважды за один такт и вдвое превосходит по скорости традиционную SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) с той же тактовой частотой. Память DDR2 превосходит SDRAM по скорости вчетверо, например, память DDR2 400 работает на тактовой частоте 100 МГц. С выходом чипсетов Intel* Р35 и Х38 и появлением на рынке появилась память DDR3. Память DDR3 имеет еще более высокие скорости передачи и в восемь раз превосходит по пропускной способности SDRAM. С выходом чипсетов Х48, Р45 и G45 от Intel® память DDR3 может стать более массовой, чем она была до сих пор. Следует также отметить, что память DDR3 имеет более низкое напряжение питания -1.5 В, что уменьшает ее тепловыделение по сравнению с высокоскоростной памятью DDR2. Как вычислить пропускную способность памяти DDR? Коротко говоря, пропускная способность памяти DDR равна произведению тактовой частоты на число операций выборки за один такт и на ширину канала передачи данных. Все модули памяти DDR имеют канал передачи данных шириной 64 бита (8 байт). Например, пропускная способность памяти DDR 400 составляет 3.2 Гбайт/с (200 МГц х 2 х 8 байт). По-другому такую память называют РС3200. Аналогично, память DDR2 400 с такой же скоростью будет называться РС2-3200 (100 МГц х 4 х 8 байт), память DDR3 1066 - РСЗ-8500 (133 х 8 х 8 байт) и т.д. Двухканальная память путь к быстродействию Тип, тактовая частота и емкость памяти, которую поддерживает системная плата, определяются чипсетом. повышения пропускной способности чипсеты Intel® начиная с 865 поддерживают двухканальную архитектуру памяти. Как следует из названия, в двухканальной конфигурации модули памяти устанавливаются парами При этом модули памяти должны иметь одинаковые емкость и тактовую частоту. При этом ширина канала передачи данных между чипсетом и памятью увеличивается до 128 бит, соответственно удваивается и пропускная способность.
Например, при использовании двух модулей памяти DDR3 1333 в двухканальном режиме дает суммарную пропускную способность 21.2 Гбайт/с (10.6x2). Чипсет Intel® Х48 поддерживает память DDR3 с тактовой частотой до 1600 МГц, а многие системные платы, поддерживающие разгон, позволяют довести тактовую частоту некоторых модулей памяти до 2000 МГц и выше. Чипсеты Р45 и G45 поддерживают частоты памяти до 1333 МГц, против 1066 МГц для чипсетов Р35 и G35. Показанный на схеме чипсет Intel* Р45, поддерживающий скорость передачи данных до 21.2 Гбайт/с при работе с модулями DDR3 1333 МГц в двухканальном режиме.
Сколько памяти вам нужно? У каждого пользователя свои потребности, поэтому точно ответить на этот вопрос затруднительно. 32-бит разрядные операционные системы поддерживают до 4 Гбайт памяти, хотя вам, скорее всего, будут доступны 3.5 Гбайт или немного меньше. С другой стороны, 64-разрядные операционные системы поддерживают до 128 Гбайт памяти и даже больше. Для большинства пользователей достаточно 2 Гбайт памяти, однако маловероятно, что потребности в памяти будут когда-либо снижаться. Windows9 Vista™ требует больше памяти, чем Windows® ХР™; при этом чем больше приложений вы будете запускать одновременно, тем больше памяти потребуется вашей системе. Благодаря появлению многоядерных процессоров даже компьютеры начального уровня сегодня легко справляются с множеством приложений одновременно, если в системе достаточно памяти. Стоимость памяти DDR2 упала до чрезвычайно низкого уровня; память DDR3 тоже дешевеет и, как ожидается, за 2008 год подешевеет еще. Экономить на памяти нет смысла, поскольку от этого пострадает общая производительность системы. С другой стороны, именно на памяти следует сосредоточиться, если вы хотите обновить какую-то часть своего компьютера, чтобы повысить производительность. Рекомендуем использовать продукцию известных производитепей, например, Kingston, не только в связи с тем, что они предоставляют гарантию на свою продукцию, но и потому, что вам будет проще найти модули того же если понадобится модернизировать систему.
А Примеры модулей DDR2 и DDR3. Эти два типа модулей нельзя устанавливать одновременно; их нельзя установить в разъем несоответствующего типа благодаря ключевому вырезу, который должен быть совмещен с выступом в разъеме памяти. Модули памяти, подготовленные к разгону, такие как Kingston НурегХ, часто поставляются с тепло распределительными пластинами, которые также защищают микросхемы памяти от случайного прикосновения. А Примеры модулей DDR2 и DDR3. Эти два типа модулей нельзя устанавливать одновременно; их нельзя установить в разъем несоответствующего типа благодаря ключевому вырезу, который должен быть совмещен с выступом в разъеме памяти. Модули памяти, подготовленные к разгону, такие как Kingston НурегХ, часто поставляются с тепло распределительными пластинами, которые также защищают микросхемы памяти от случайного прикосновения.
О совместимости памяти к памяти составит 128 бит в двухканальном режиме. Пока на системной плате установлен всего один модуль памяти, проблем с совместимостью обычно не возникает Однако при установке двух или более модулей рекомендуется использовать модули с одинаковым быстродействием в противном случае все модули перейдут в скоростной режим самого медленного модуля, что негативно скажется на общей производительности. Например, если установить одновременно память
DDR 2 667 и DDR2 800, системная плата перейдет на скорость DDR2 667. Система будет работать стабильно, но возможности памяти DDR2 800 не будут использованы в полной мере. Также не рекомендуется использовать модули с разными таймингами - вы не получите никаких преимуществ от модулей с низкими Задержками, поскольку система перейдет в режим, соответствующий модулю с самыми большими задержками. Хотя модули памяти одного типа разных производителей должны быть совместимы между собой, во
плата 4 разъема памяти и пользователь установит два модуля DDR31333 МГц по 1 Гбайт и два модуля DDR3 1066 МГц по 512 Мбайт в двухканальном режиме, компьютер будет работать на скорости модулей 1066 МГц (на скорости самого медленного модуля). Все 3 Гбайт памяти будут доступны (1 Гбайт х 2 и 512 Мбайт х 2 и модность канала доступа
Память DDR2 и DDR3 В настоящее время самым популярным типом памяти является DDR2, отличающаяся очень низкой ценой. Но Intel активно продвигает DDR3, и цены на нее начали снижаться до разумных уровней. Можно ожидать, что к концу 2008 года DDR3 начнет постепенно вытеснять DDR2. Модули ODR3 и DDR2 несовместимы между собой. Они имеют разную архитектуру, характеристики, напряжение питания и разъемы. Однако на первый взгляд их можно не различить, поскольку количество выводов у них одинаково. Поэтому производители памяти изменили положение ключа на разъеме модулей, чтобы их было легче различить. С другой стороны, все модули известных марок имеют четкую маркировку, как показанные внизу модули Kingston.
I Разные модули памяти имеют разное положение ключевого выреза, чтобы их нельзя было установить в разъем несоответствующего типа или вставить другой стороной. Это предотвращает повреждение как модуля памяти, так и системной платы.
|
|||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-01-20; просмотров: 100; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.216.230.107 (0.013 с.) |