Схемы измерения температуры.

Резистивные детекторы температуры обычно относятся к металлическим детекторам, которые быва­ют проволочными и тонкопленочными. Поскольку удельное сопротивление всех металлов и большинства сплавов зависит от температуры, на их основе можно разрабатывать чувствительные элементы для измерения температуры. Хотя для изготовления температурных детекторов подхо­дят практически все металлы, но все же, в основном, для этих целей исполь­зуется только платина. Это объясняется воспроизводимостью ее характерис­тик, долговременной стабильностью и прочностью. Для измерения темпера­тур выше 600°С применяются вольфрамовые РДТ. Все РДТ обладают поло­жительными температурными коэффициентами. Выпускаются несколько типов РДТ:

3. Тонкопленочные РДТ, изготовленные из тонких слоев платины или ее сплавов, нанесенных на подходящую подложку, например, на кремние­вую микромембрану. РДТ часто формируются в виде серпантинной струк­туры для получения высокого отношения длины к ширине

4. Проволочные РДТ, в которых платиновая проволока намотана внутри ке­рамической трубочки и прикреплена к ней при помощи высокотемпера­турного клея. Такая конструкция позволяет изготавливать датчики, об­ладающие очень высокой стабильностью.

В промышленности принято использовать от­дельные аппроксимации для низких и высоких температур Каллендар-ван Дасен предложил следующее аппроксимационное выражение для передаточной функ­ции платинового детектора. В диапазоне -200…0°С:

(5.1.1)

А в диапазоне 0…630°С это выражение становится идентичным уравнению:

(5.1.2)

Константы А, В и С определяются свойствами платины. Ту же самую аппроксима­цию можно представить в следующем виде:

(5.1.3)

где t — температура в °С, а коэффициенты А, В и С определяются как

(5.1.4)

Значение δ получается при калибровке детектора при высоких температурах, а коэффициент β— при калибров­ке при отрицательной температуре.

Кремний широко используется для изготовления датчиков температуры, об­ладающих положительным температурным коэффициентом (ПТК) сопротив­ления. В настоящее время кремниевые резистивные датчики часто встраива­ются в микроструктуры для осуществления температурной компенсации или проведения прямых измерений температуры. Также существуют дискретные кремниевые датчики, например, детекторы температуры KTY фирмы Philips. Такие датчики обладают довольно хорошей линейностью (которая может быть улучшена при помощи простых термокомпенсационных цепей) и высокой дол­говременной стабильностью (обычно ±0,05К в год). ПТК кремниевых резис­торов позволяет их использовать в системах, обеспечивающих безопасность нагревательных устройств: среднее превышение темпе­ратуры (до 200°С) приводит к увеличению их сопротивле­ния, за счет чего осуществля­ется функция самозащиты. Чистый кремний, как мо­нокристаллический, так и поликремний, сам по себе обла­дает отрицательным темпера­турным коэффициентом (ОТК) сопротивления.

Таблица 3.3.1

Эталонные температурные точки

При высоких температурах количество свободных носи­телей зарядов увеличивается за счет спонтанно образуемых носителей, поэтому в этом температурном диапазоне преобладают собственные по­лупроводниковые свойства кремния. Таким образом, при температурах ниже 200°С, удельное сопротивление кремния имеет ПТК, а при температурах выше 200°С он становится отрицательным. KTY-датчик состоит из крис­талла кремния n-типа размером 500*500*240мкм, металлизированного с од­ной стороны и с контактной площадкой с другой стороны. При такой конст­рукции датчика создается эффект «растягивания» сопротивления, в результа­те которого внутри кристалла устанавливается коническое распределение тока, значительно снижающее зависимость характеристик от производственных до­пусков. При больших токах и высоких температурах KTY датчик становится чувствительным к направлению тока. Для решения этой проблемы применя­ется сдвоенный датчик, в котором два чувствительных элемента включаются последовательно навстречу друг другу. Такие датчики часто используются в ав­томобилях. Передаточную функцию KTY датчика можно аппроксимиро­вать полиномом второго порядка:

(5.1.5)

где R₀ и Т₀ — сопротивление в Омах и температура в Кельвинах, измеренные в эталонной точке. На рис.3.3.1 показана типовая пе­редаточная функция кремниевого резистивного датчика.

Рис.3.3.1. Передаточная функция кремниевого датчика температуры.

 

Термин термистор образовался в результате соединения двух слов: тепловой и резистор. Это название дано металл-оксидным детекторам, имеющим форму ка­пель, стержней, цилиндров, прямоугольных пластин и толстых пленок. Термис­торы относятся к классу датчиков абсолютной температуры, показания которых соответствуют абсолютной температурной шкале. Все термисторы делятся на две категории: с отрицательным температурным коэффициентом (ОТК) и положи­тельным температурным коэффициентом (ПТК) сопротивления. Для проведения прецизионных измерений используются термисторы только с ОТК.

Обычные металл-оксидные термисторы обладают ОТК. Это значит, что при увели­чении температуры их сопротивление падает. Сопротивление термисторов с ОТК, также как и любых других резисторов, определяется их физическими размерами и удельным сопротивлением материала. Зависимость между величиной сопротив­ления и температурой является сильно нелинейной.

При использовании термистора в качестве датчика абсолютной температуры предполагается, что при прохождении через него электрического тока, его соб­ственная температура не изменится, что означает, что он не внесет в систему зна­чительных тепловых возмущений, способных повлиять на точность измерений. В этом случае говорят, что термистор обладает «нулевой мощностью». Увеличе­ние температуры термистора в установившемся режиме вследствие явления са­моразогрева описывается уравнением:

(5.1.6)

где r — тепловое сопротивление между термистором и окружающей средой, V — при­ложенное постоянное напряжение, S — сопротивление термистора при измеряе­мой температуре, а N — рабочий цикл измерений (например, N=0,1 означает, что постоянное напряжение подается на термистор только на время, равное 10% от пол­ного времени измерений). При проведении измерений по постоянному току N=1.

Из уравнения (16.15) видно, что для выполнения условий «нулевой мощнос­ти» необходимо, чтобы:

- термистор обладал высоким удельным сопротивлением,

- термистор и объект измерения имели хорошую тепловую связь друг с другом (что должно снизить значение r),

- измерения проводились при небольшом постоянном напряжении, подавае­мом в течение короткого интервала времени.

При использовании термисторов в каких-либо измерительных системах не­обходимо знать их передаточные функции, которые являются аналитическими выражениями, связывающими величину сопротивления и температуру. Для опи­сания передаточной функции термисторов были предложены несколько матема­тических моделей. Следует отметить, что все математические модели являются только аппроксимациями, и, как правило, чем проще модель, тем ниже ее точ­ность. С другой стороны, при использовании более сложных моделей значитель­но усложняется калибровка термисторов. Все существующие модели термисто­ров построены на экспериментально доказанном факте, что логарифм сопротив­ления термистора связан с его абсолютной температурой следующей полиноми­нальной зависимостью:

(5.1.7)

При разработке датчиков на основе термисторов всегда используется одна из его трех основных характеристик:

4. Зависимость сопротивления от температуры. На рис. 5.1.2 показан вид такой зависимости для термисторов с ОТК. В датчиках, реализованных на основе этой характеристики, эффект саморазогрева, практически, отсутствует. При этом необходимо выбирать термисторы с высоким номинальным сопротив­лением, а конструкция детектора должна обеспечивать максимальную связь чувствительного элемента с объектом измерения. Данная характеристика ис­пользуется, в основном, для построения детекторов температуры. Термомет­ры, термостаты и тепловые прерыватели являются примерами применения этой зависимости.

5. Зависимость тока от времени (или сопротивления от времени).

6. Зависимость напряжения от тока. Эта характеристика важна либо для детек­торов, реализованных на основе явления саморазогрева, либо для датчиков, где этим эффектом пренебречь нельзя. Эта характеристика обычно строится в логарифмических ко­ординатах по обоим осям. В таком графике линии, соответствующие посто­янным сопротивлениям, имеют наклон +1, а линии постоянной мощности — наклон -1.

При очень низких токах мощность рассеяния тер­мистора мала, и характеристика для каждого значения температуры является ка­сательной к линии постоянного сопротивления, т.е. в этой области термистор ве­дет себя как обычный резистор, и напряжение V_T пропорционально току i. При увеличении тока эффект саморазогрева термистора усиливается, что ве­дет к уменьшению его сопротивления. Поскольку величина сопротивления пере­стает быть постоянной, характеристика V_T(i) начинает отклоняться т прямой ли­нии. Наклон этой зависимости (dV_T/di), соответствующий величине сопротивле­ния, снижается при увеличении тока. Возрастание тока ведет к падению сопро­тивления, которое, в свою очередь, вызывает увеличение тока. В некоторой точке сопротивление термистора становится равным нулю. Эта точка характеризуется максимальным значением напряжения V_p и током i_p. Дальнейшее увеличение тока приводит к продолжению уменьшения наклона характеристики. Это означает, что величина сопротивления становится отрицательной. Если ток продолжить увеличивать ток дальше, начинают играть роль сопротивле­ния соединительных проводов, поэтому никогда нельзя допускать работу терми­стора в таких режимах.

Все металлы относятся к материалам с положительным температурным коэффици­ентом (ПТК). РДТ также имеют небольшой ПТК. В отличие от них многие керами­ческие материалы в определенном температурном диапазоне обладают довольно зна­чительными ПТК. Термисторы с ПТК обычно изготавливаются на базе поликрис­таллических керамических материалов, основные компоненты которых (титанат ба­рия или твердые растворы титаната бария и стронция), обладающие высоким удель­ным сопротивлением, легируются дополнительными примесями для придания им свойств полупроводников. При температурах, превышающих точку Кюри компо­зиционных материалов, их ферроэлектрические свойства меняются очень быстро, что приводит к значительному увеличению сопротивления, иногда на несколько по­рядков. На рис.3.3.2 показаны передаточные характеристики для трех типов темпе­ратурных детекторов: с ОТК, ПТК и РДТ. Как видно из рисунка, для термисторов с ПТК очень сложно подобрать математическую аппроксимацию.

Рис. 5.1.2. Передаточные функции для термисторов с ОТК, ПТК и РДТ.

Рис. 5.1.3. ВАХ детектора с ПТК.

 

Следует отметить, что для термисто­ров с ПТК важными факторами являют­ся: температура окружающей среды и эф­фект саморазогрева. Любой из них влияет на положение рабочей точки термистора.

На рис.3.3.3 показаны вольтамперные характеристики термистора с ПТК при разных температурах окружающей среды, по которым можно оценить его температурную чувствительность. В соот­ветствии с законом Ома обычный резис­тор с близким к нулю ТКС обладает ли­нейной вольтамперной характеристикой. При ОТК коэффициент кривизны поло­жительный, а при ПТК — отрицательный. При подключении термисторов с ОТК к идеальному источнику напряжения (об­ладающему практически нулевым выход­ным сопротивлением и способностью вы­рабатывать любой ток без изменения ве­личины напряжения) явление саморазог­рева, возникающее из-за рассеяния Джоулева тепла, приводит к уменьшению со­противления, что, в свою очередь, вызы­вает увеличение тока и большему нагре­ву детектора. Если термистор с ОТК име­ет плохой теплоотвод, может произойти его перегрев и даже разрушение.

В отличие от термисторов с ОТК, де­текторы с ПТК при подключении к иде­альным источникам напряжения ведут себя как саморегулирующиеся устройства. Например, нить накаливания раскален­ной лампы не перегорает из-за того, что увеличение ее температуры ведет к росту сопротивления, ограничивающего ток. Эффект саморегулирования значителен в термисторах с ПТК. Из рис. 5.1.3 видно, что в относительно узком температурном диапазоне, термистор с ПТК обладает отрицательным сопротивлением, т.е.

(5.1.8)

В этой зоне устройства обладают внутренней отрицательной обратной связью, т.е. работают саморегулирующимися термостатами. При этом любой рост напряжения на термисторе приводит к выделению тепла, которое, в свою очередь, вызывает увеличение сопротивления и уменьшению тепловых потерь, в результате чего возникает динамическое равновесие, позволяющее удерживать температуру ус­тройства на постоянном уровне Т₀. Эта температура соответствует точке х, в которой касательная к кривой имеет максимальный наклон. Следует отметить, что термисторы с ПТК обладают максимальной эффек­тивностью при больших значениях Т₀ (около 100°С), а при меньших темпера­турах их эффективность (наклон характеристики R(Т) в точке х) резко падает. По своей физической природе термисторы с ПТК предпочтительнее исполь­зовать при температурах, значительно превышающих температуру окружаю­щей среды.

Приведем четыре примера применения термисторов с ПТК:

В устройствах защиты электронных схем термисторы с ПТК могут играть роль неразрушаемых предохранителей, реагирующих на токи, значения ко­торых превышают допустимые уровни. На рис.3.3.4А показан термистор с ПТК, включенный последовательно с источником напряжения Е, подаю­щего на нагрузку ток i.

В миниатюрных термостатах с саморазогревом (рис. 5.1.4Б), используемых в микроэлектронике, биомедицине, химических исследованиях и т.д., также используются термисторы с ПТК с соответственно подобранной темпера­турой перехода. Термостат состоит из кюветы, теплоизолированной от ок­ружающей среды и связанной с термистором. Для устранения сухого кон­такта между термистором и кюветой делают слой из специальной смазки. Выводы термистора подключаются к источнику напряжения, напряжение которого можно оценить при помощи выражения:

(5.1.9)

где δ - коэффициент рассеяния, зависящий от теплоизоляции термистора от окружающей среды, а Т_а — температура окружающей среды. Рабочая точка тер­мостата определяется физическими свойствами керамического материала (точ­кой Кюри). Благодаря внутренней тепловой обратной связи, устройство может работать в сравнительно широком диапазоне напряжений и окружа­ющих температур. Естественно, что окружающая температура должна быть всегда меньше Т_τ.

Термисторы с ПТК из-за большой длительности переходных процессов, оп­ределяемых временем между подачей напряжения и переходом устройства в рабочее состояние, часто требует подключения схем задержки.

Расходомеры и детекторы уровня жидких сред, работающие на принципе де­тектирования теплового рассеяния, также часто реализуются на основе тер­мисторов с ПТК.

Рис. 5.1.4. Применение термисторов с ПТК: А – в схемах ограничения тока; Б – в микротермостатах.

 

Термоэлектрические контактные датчики состоят, по крайней мере, из двух разных проводников и двух соединений (пар) этих проводников, поэтому их часто назы­вают термопарами. Они являются пассивными датчиками, т.к. сами вырабатывают напряжение в ответ на изменение температуры и не требуют для этого внешнего ис­точника питания. Термопары относятся к классу относительных датчиков, посколь­ку их выходное напряжение определяется разностью температур между двумя спая­ми и практически не зависит от абсолютной температуры каждого соединения. При измерении температуры при помощи термопары один ее спай служит эталоном, и его температуру необходимо определять при помощи отдельного детектора абсолют­ной температуры, например, термистора, РДТ и т.д. или его надо поместить в матери­ал, находящийся в физическом состоянии, температура которого точно известна.

Для практического использования термопар необходимо знать три основных за­кона, устанавливающих правила их подключения. Следует подчеркнуть, что ин­терфейсные электронные схемы всегда должны подсоединяться к двум идентич­ным проводникам. Эти проводники, как правило, формируют одно из плечей тер­мопарного контура, используемого для подключения измерительного устройства. На рис. 5.1.5А это разомкнутое плечо обозначено как А.

Рис. 5.1.5. Иллюстрации правил соединения термопар.

 

Закон 1. Явление термоэлектричества характерно только для неоднородных электрических цепей. Из этого закона следует, что для получения разности потенциалов Зеебека необходимо использовать неоднородный материал. В случае однородного про­водника при любом распределении температуры вдоль его длины результирую­щее напряжение будет всегда нулевым. Соединение двух разных проводников обеспечивает возникновение термо э.д.с.

Закон 2. Алгебраическая сумма всех термо э.д.с. цепи, состоящей из любого количества термопар (соединений разных материалов), будет всегда равна нулю, если все соединения находятся при одинаковой температуре. Это значит, что в любое плечо термоэлектрического контура можно внести дополнительный материал С, не боясь изменить результирующее напряжение V при условии, что оба новых соединения будут иметь одинаковую температуру (Т₃ на рис. 5.1.5А). Здесь нет никаких ограничений на количество внесенных про­водников, необходимо только поддерживать одинаковую температуру в местах их подключения. Из этого закона также следует, что термоэлектрические соедине­ния могут выполняться любым способом, даже с использованием промежуточ­ных материалов (например, припоев): сваркой, пайкой, скруткой, сплавлением и т.д.. При этом метод соединения не будет влиять на точность термопар. Из закона 2 вытекает правило введения дополнительных материалов (рис. 5.1.5Б): Если изве­стны термо э.д.с (V₁ и V₂) двух проводников (В и С) при их подсоединении к эта­лонному проводнику А, результирующее напряжение при непосредственном кон­такте проводников В и С будет равно алгебраической сумме термо э.д.с V_l и V₂.

Закон 3. Если два соединения разных материалов, находящихся при темпера­турах Т₁ и Т₂, вырабатывают термо э.д.с V₂ а при температурах Т₂ и Т₃ результиру­ющая термо э.д.с. равна V₁ то при температурах Т₁ и Т₃ выходное напряжение V₃ определяется суммой двух термо э.д.с V₁ и V₂ (рис. 5.1.5В). Этот закон иногда называется законом промежуточных температур. Он позво­ляет калибровать термопары в одном температурном диапазоне, а использовать в другом. Из этого закона также следует, что в термоэлектрическую цепь могут быть внесены дополнительные провода без изменения ее точностных характеристик.

На основе этих трех законов может быть построено множество практических схем, применяемых для измерения, например, средней температуры объекта, раз­ности температур между двумя объектами, а также для включения в измеритель­ную цепь детекторов температуры других типов для определения температуры эталонных спаев.

Для усиления выходного сигнала иногда используют последовательное соединение нескольких термопар, но при этом необходимо обеспечивать, чтобы все эталонные и все чув­ствительные соединения находились при соответствующих температурах. Такие структуры получили название: термоэлементы. Исторически повелось, что эталон­ные соединения называются холодными спаями, а чувствительные — горячими.

На рис. 5.1.6А показана эквивалентная схема термопары и термоэлемента, состоящая из источников напряжений e_h и е_с, соответствующих разности потен­циалов Зеебека горячего и холодных спаев, и последовательного резистора. Ре­зультирующее напряжение схемы V является функцией измеряемой разности тем­ператур. Предполагается, что выводы схемы изготавливаются из того же самого материала, например, железа.

Рис. 5.1.6. Применение термопар: А – эквивалентная схема термопары; Б – термопарный термометр с эталонным полупроводниковым детектором.

 

Характеристики полупроводникового р-n перехода в диодах и биполярных транзис­торах довольно сильно зависят от темпера­туры. Если прямосмещенный переход соединить с генератором постоянного тока (рис. 5.1.7А), вы­ходное напряжение, снимаемое с него, бу­дет прямо пропорционально изменению его температуры (рис. 5.1.8). Достоинством такого датчика является его линейность, что дает возможность проводить его калиб­ровку только по двум точкам для определе­ния наклона прямой и ее пересечения с ко­ординатной осью (наклон прямой характе­ризует чувствительность детектора).

Рис. 5.1.7. Датчики температуры на основе прямосмещенного р-n перехода: А – диод; Б – транзистор, включенный по схеме диода.

Рис. 5.1.8. Зависимость напряжения от температуры для прямосмещенного полупроводникового перехода, снятая в условиях постоянного тока.

 

Зависимость тока от напряжения для р-n перехода в диоде можно выразить в следующем виде:

(5.1.10)

где I₀ — ток насыщения, величина которого сильно зависит от температуры. Мож­но показать, что зависимость напряжения на переходе от температуры имеет сле­дующий вид:

(5.1.11)

где Е_g — ширина зоны запрещенных энергий для кремния при температуре абсо­лютного нуля (0К), q - величина заряда электрона, К — константа, независящая от температуры. Из уравнения (3.3.11) видно, что при работе р-n перехода в усло­виях постоянного тока, напряжение на нем пропорционально его температуре, а наклон этой зависимости определяется следующим выражением:

(5.1.12)

Любой диод или биполярный транзистор могут быть использованы в ка­честве датчиков температуры. На рис. 5.1.7Б показана схема детектора темпера­туры на базе транзистора, в которой вместо источника тока используется источ­ник напряжения и резистор R. Ток, протекающий через транзистор, можно найти из выражения:

(5.1.13)

Рекомендуется работать при токе 100 мкА. Тогда при Е=5В и V=0,6В, сопро­тивление R=(E-V)/I=44кОм. При увеличении температуры напряжение V падает, что приводит к незначительному увеличению тока I. В соответствии с уравне­нием (5.1.12) это вызывает некоторое снижение чувствительности, которая выра­жается в появлении нелинейности. Этой нелинейностью в ряде случаев можно пренебречь, однако иногда при обработке сигналов ее приходится учитывать. Бла­годаря простоте и очень низкой стоимости, транзисторные (диодные) датчики тем­пературы получили довольно широкое распространение. Детекторы температуры на основе диодов часто встраиваются в кремниевую подложку монолитных датчиков для осуществления температурной компенсации. Например, такие детекторы методом диффузии формируются на мембранах крем­ниевых микродатчиков давления для компенсации температурной зависимости пьезорезистивных элементов.

Напряжение на транзисторах всегда пропорционально абсолютной темпера­туре в Кельвинах. На основе этого свойства можно реализовать недорогой, но достаточно точный датчик температуры. В этом датчике можно либо непосред­ственно измерять напряжение, либо предварительно преобразовать напряжение в ток, по величине которого определять температуру. Такой полупроводни­ковый датчик температуры построен на основе зависимости между напряжением база-эмиттер (V_BE) и коллекторным током биполярного транзистора. На рис. 5.1.9А показана упрощенная схема детектора температуры. В этом датчике тран­зисторы Q₃ и Q₄ формируют, так называемое, токовое зеркало, вырабатывающее два одинаковых тока I_С1=I и I_C2=I, которые поступают на транзисторы Q₁ и Q₂. Величина коллекторных токов определяется сопротивлением R. В монолитной схеме транзистор Q_v как правило, состоит из нескольких идентичных транзисто­ров (например, 8), включенных параллельно. Поэтому плотность тока в Q₁ будет в восемь раз больше, чем на каждом из транзисторов, входящих в состав Q₂. Раз­ность напряжений база-эмиттер двух транзисторов Q₁ и Q₂ равна:

(5.1.14)

где r — множитель тока (8 в нашем примере), к — постоянная Больцмана, q — заряд электрона, Т — температура в Кельвинах. Ток I_ceo одинаков для обоих транзисто­ров. Ток, протекающий через резистор R, создает на нем напряжение V_T= 179мкВ/К, величина которого не зависит от токов на коллекторах. Исходя из этого, мож­но найти выражение для суммарного тока, протекающего через датчик:

(5.1.15)

Рис. 5.1.9. Упрощенная схема полупроводникового датчика температуры (А) и зависимости тока от напряжения (Б).

 

При r=8 и R=358Ом, данный датчик обладает линейной передаточной функци­ей: I_T/T. На рис. 5.1.9Б показаны зависимо­сти тока от напряжения, построенные для разных температур. Отметим, что значение выражения в круглых скобках в уравнении (5.1.15) в данном конкрет­ном случае является постоянной величи­ной и может быть точно подстроено в процессе изготовления для получения требуемого наклона I_T/T. Ток I_Т легко преобразуется в напряжение. Например, если последовательно с датчиком вклю­чить резистор номиналом 10кОм, на­пряжение на нем будет прямо пропор­ционально абсолютной температуре.

Работа упрощенной схемы, пока­занной на рис. 5.1.9А, соответствует уравнениям (5.1.14) и (5.1.15) только в случае использования идеальных транзис­торов, у которых β=∞. Поскольку таких транзисторов не бывает, в схемы, приме­няемые на практике, приходится вводить много дополнительных компонентов.

Флуоресцентные датчики реализуются на основе свойства некоторых фосфорных компонен­тов излучать свет в ответ на возбуждение лучами видимого диапазона спектра. Такие компоненты наносятся на поверхность объекта, температуру которого не­обходимо измерить. После чего объект подвергается воздействию УФ импульс­ного излучения. Возникшее в результате этого облучения послесвечение детекти­руется и анализируется. Форма импульса послесвечения зависит от температуры. Время спада импульса послесвечения в широком температурном диапазоне явля­ется параметром, обладающим очень высокой воспроизводимостью. В ка­честве чувствительного материала в флуоресцентных датчиках применяется фтормагнетит магния, активированный четырехвалентным марганцем. Фосфор длитель­ное время применялся только как корректор цвета ртутных ламп, используемых для освещения улиц. Порошок фосфора получается в ходе реакции в твердой фазе при температуре 1200°С. Он является относительно инертным и термоустойчи­вым веществом, безопасным с биологической точки зрения. Он не разрушается от воздействия большинства химических реагентов и длительного УФ излучения. Он переходит в возбужденное состояние при облучении его светом УФ или синей области спектра. Флуоресцентное свечение фосфора находится в дальнем крас­ном спектральном диапазоне, а его интенсивность спадает по экспоненциально­му закону. Для снижения возможности возникновения перекрестных помех между сиг­налами возбуждающего и флуоресцентного излучений, на их пути устанавлива­ются полосовые фильтры, пропускающие волны только заданных зон спектра (рис. 5.1.10А). В качестве источника возбуждения применяется ксеноновая импульс­ная лампа, которая может одновременно использоваться несколькими оптичес­кими каналами в составе комплексных систем измерения. Процесс измерения температуры заключается в определении скорости ослабления флуоресцентного свечения (рис. 5.1.10Б). Это значит, что значение температуры находится по по­стоянной времени τ, величина которой в температурном диапазоне — 200...+400°С уменьшается в пять раз. Измерение времени выполняется при помощи электрон­ной схемы, как правило, с очень высокой точностью. Поэтому датчики флуорес­центного типа позволяют измерять температуру с хорошей разрешающей способ­ностью и точностью порядка ± 2°С в широком температурном диапазоне без про­ведения калибровки.

Рис. 5.1.10. Флуоресцентный метод измерения температуры: А – спектральные характеристики возбуждающего и флуоресцентного излучений; Б – спад послесвечения по экспоненциальному закону для двух температур.

 

Поскольку постоянная времени не зависит от интенсивности возбуждающе­го излучения, возможна реализация датчиков самых разнообразных конструкций. Например, фосфорный состав может наносится непосредственно на поверхность объекта, при этом оптическая система проводит измерения бесконтактным спо­собом (рис.5.1.11А). Это дает возможность проведения непрерывного мониторинга температуры объекта без внесения возмущений в зону измерений. В другой кон­струкции фосфор наносится на конец упругого зонда, способного вступать в плот­ный контакт с объектом (рис. 5.1.11Б и 5.1.11В).

Другой метод оптического измерения температуры заключается в модуляции ин­тенсивности света, возникающей вследствие интерференции двух лучей света. Один луч является эталонным, а другой пропускается через среду, параметры ко­торой зависят от температуры, что вызывает появление фазового сдвига между сигналами. Величина этого фазового сдвига, а, значит, и параметры интерферен­ционного сигнала, определяются температурой.

Рис. 5.1.11. Расположение фосфорынх компонентов: А – на поверхности объекта; Б и В – на конце зонда.

 

В качестве чувствительного эле­мента интерферометрического датчика температуры часто используют тонкий слой кремния, поскольку его коэффициент преломления зависит от тем­пературы, что приводит к изменению длины пути луча.

Рис. 5.1.12. Схема тонкопленочного оптического датчика температуры.

 

На рис. 5.1.12 показана схема тонкопленочного оптического датчика, состоя­щего из трех слоев пленок, нанесенных на концы многомодового оптоволокон­ного волновода со ступенчатым измене­нием показателя преломления с диамет­ром сердцевины 100мкм, и диаметром покрытия — 140мкм. Первый слой формируется из кремния, второй их ди­оксида кремния. Пленка из FeCrAl на­носится в самом конце для защиты ни­жележащих слоев от окисления. Такие оптоволокна могут использоваться при температурах до 350°С. Однако при ис­пользовании волноводов с золотым по­крытием рабочий диапазон увеличива­ется до 650°С. В качестве источников из­лучения здесь применяются светоизлучающие диоды с длиной волны излуче­ния порядка 860нм, а анализ результи­рующего сигнала проводится при помо­щи спектрометра.

Датчики на основе растворов, изменяющих цвет от температуры, применяются в биомедицинских системах. В качестве хромати­ческого раствора часто применяют СоС1₂*6Н₂О (раствор хлорида кобальта). Принцип действия таких датчиков основан на характерной для определенных хроматических растворов температурной зависимости коэффициентов поглощения излучений видимого диапазона спектра (400...800нм)(рис.3.3.13А). Очевидно, что в состав таких датчиков должны входить: источник излучения, детектор и раствор хлорида кобальта, имеющий тепловую связь с объектом измерения. На рис. 5.1.13Б и 5.1.13В показаны два варианта хроматических датчиков температуры.

Рис. 5.1.13. Датчики на основе растворов, цвет которых зависит от температуры: А – абсорбционный спектр раствора хлорида кобальта; Б – датчик с отражающей поверхностью; В – датчик проходного типа.

 

При работе в экстремальных условиях (в диапазоне криогенных температур, при высоких уровнях радиации в ядерных реакторах и т.д.), а также при проведении измерений в замкнутом герметичном объеме, где невозможно разместить контактные датчики или использовать ИК детекторы, бывает очень сложно определять температуру. В таких случаях обычно применяют акустические датчики температуры, принцип действия которых основан на зависимости скорости звука от температуры среды, через которую он распространяется. Например, для сухого воздуха при нормальном атмосферном давлении эта зависимость имеет вид:

(5.1.16)

где ν — скорость света, а Т — абсолютная температура.

Акустический датчик температуры (рис. 5.1.14) состоит из трех компонентов: ультразвуковых передатчика и приемника, а также герметичной трубки, запол­ненной газом. Передатчик и приемник представляют собой керамические пьезо­электрические пластины, акустически несвязанные с трубкой, что обеспечивает распространение звука преимущественно через газ внутри трубки. В качестве газа чаще всего используется сухой воздух. В альтернативной конструкции датчика пере­дающий и принимающий кристаллы встраиваются внутрь замкнутой камеры с изве­стным содержимым, температуру которого необходимо измерить. В случае, когда объем и масса внутренней среды поддерживаются постоянными, не требуется при­менения промежуточной трубки. В случаях когда без нее не обойтись, ее необходимо защищать от механических деформаций и потери герметичности при воздействии очень высоких температур. Подходящим материалом для трубки является инвар.

Рис. 5.1.14. Акустический термометр с ультразвуковым детектором.

 

Тактовое устройство работает на низкой частоте (порядка 100Гц). Его им­пульсы запускают передатчик и блокируют приемник. Передающий кристалл из­гибается и тем самым запускает ультразвуковую волну, распространяющуюся вдоль трубки. На принимающий кристалл приходит сигнал разрешения, и он преобра­зует дошедшую до него акустическую волну в электрический сигнал, который уси­ливается и передается в схему управления. Блок управления по времени распрос­транения волны вдоль трубки вычисляет скорость звука, по которой при помощи калибровочных коэффициентов, хранящихся в специальных таблицах, находит­ся искомая температура. Альтернативный акустический детектор температуры реализован на основе одного пьезоэлектрического кристалла, попеременно ра­ботающего то приемником, то передатчиком. В этом случае пустой конец трубки заваривается. Ультразвуковые волны отражаются от заваренного конца трубки и возвращается обратно на кристалл, который к этому моменту времени переклю­чается в режим приемника. Электронная интерфейсная схема преобразует полученные импульсы в сигнал, соответствующий температуре внутри трубки.