Charge on the electron, and the velocity of the electron under the influence of a field equivalent to one volt per

электрона под влиянием поля эквивалентно одному вольту на сантиметр… Для хороших проводников понятие скорости не важно, как можно заметить по следующей centimeter… For good conductors the concept of velocity is not important, as may be seen from the following

простой аналогии. Не трудно рассмотреть трубу, имеющую очень большое поперечное сечение относительно количества жидкости, протекающей через нее. Большие

Simple analogy. It is not difficult to consider a pipe having a very large cross section relative to the quantity of

объемы жидкости могут быть осуществлены несмотря на относительно низкую линейную скорость. Этот случай аналогичен хорошему проводнику со многими свободными

Liquid flowing through it. Large volumes of liquid may be carried in spite of a relatively low linear velocity. This

электронами, в которых большие количества тока могут протекать без зависимости от большой электронной скорости. Как мы будем видеть, полупроводник имеет

Case is analogous to a good conductor with many free electrons in which large quantities of current may flow

ограниченное число носителей заряда и соответствует труб, имеющих относительно малое сечение, так чтобы поток жидкости зависел от скорости, которая может быть

Without dependence on a large electron velocity. As we shall see, a semiconductor has a limited number of charge

достигнута. Таким образом, протекание тока в полупроводнике будет показывать, зависимость от скорости протекания тока на единицу поле. Эта скорость называется carriers and corresponds to a pipe having a relatively small cross section so that the flow of liquid is dependent

«подвижностью». Предшествующие выражения для проводимости будут получены с точки зрения подвижности в заключительных обсуждениях […].

Upon the velocity which can be achieved. Hence the flow of current in a semiconductor will be shown to be

Dependent upon the velocity of the current carriers per unit field. This velocity is known as “mobility”. The

foregoing expressions for conductivity will be derived in terms of mobility in final discussions […].

•Band theory. Any substance may be classified according to the relative locations (on the energy scale) of the

•Зонная теория. Любое вещество может быть классифицировано согласно относительным местоположениям (в энергетическом масштабе) валентной зоны, вершин valence band, the tops of the interatomic potential barriers, the conduction band, and the forbidden gap between

межатомных потенциальных барьеров, зоны проводимости и запрещенного промежутка между валентностью и зонами проводимости. На одном полюсе находятся

The valence and conduction bands. At one extreme are the insulators and at the other extreme are the metals,

изоляторы, а в другом полюсе - металлы, где запрещенный промежуток не существует, и валентная зона неотличима от зоны проводимости [..].

where the forbidden gap is nonexistent and valence band is indistinguishable from the conduction band [..].

•The energy-position diagrams in fig. 17 show the various energy situations. Fig. (17, a) – depicts the energy bands

•Энергетическое положение изображенное схематически на рисунке. 17 показывает различные энергетические ситуации. Рис. (17, a) – изображает энергетические зоны в

In a conductor. Here we have a nonexistent forbidden gap or a situation in which there is a valence band overlap

проводнике. Здесь у нас есть несуществующий запрещенный промежуток или ситуация, в которой есть наложение валентной зоны по зоне проводимости.

Over the conduction band.

•That is, there are energy states from both bands at approximately the same energy level. However, note in fig.

•Таким образом, существуют энергетические состояния от обеих групп в приблизительно том же самом энергетическом уровне. Однако, обратите внимание на рисунок (17, (17, b) which presents the energy diagram of an insulator the very large amount of energy needed to raise an

b), который представляет энергетическую диаграмму изолятора, очень большое количество энергии должно было поднять электрон от принужденной валентной зоны к зоне electron from the constrained valence band to the conduction band. Fig. (17, c) pictures a semiconductor with a

проводимости. Рис. (17, c) изображает полупроводник с шириной запрещенной зоны между проводимостью и энергетическими уровнями валентности, ширина которых band gap between the conduction and valence energy levels whose width is intermediate between insulators and

является промежуточной между изоляторами и проводниками.

Conductors.

•These block diagrams show the band representation in a more schematic from which will be found frequently in

•Эти блок-схемы показывают более схематическое представление групп, которое будет часто встречаться в литературе. В этих рисунках горизонтальная шкала больше не