Як впливає температура на електропровідність домішковнх напівпровідників.

 

Таблиця 1

Номенклатура 32 класів (видні) симетрії кристалів

 

Сингонія	Назва класів по номен- клатурі Федорівського інституту	Формула симетрії
Триклинна	1. Примітивній	L1
2. Центральнії	С
Моноклинна	3. Аксіальній	L2
4. Плавальний	Р
5. Планаксіальний	L2PC
Ромбічна	6. Аксіальній	3L2
7. Планальннй	L22P
8. Планаксіальний	3L23PC
Тригональна	9. Примітивний	L3
10. Центральний	L3C = L3i
11. Аксіальний	L33L2
12. Планальний	L33P
13. План аксіальни й	L33L23PC
Тетрагональна	14. Примітивний	L4
15. Інверсіонно-	L4i
примітивний
16. Центральний	L4PC
17. Аксіальний	L44L2
I8. Плавальний	L44P
19.Iнверсіонно-	L4i2L22P
плавальний
20. План аксіальни й	L44L25PC
Гексагональна	21. Примітивний	L6
22. Інверсіонно-	L6i; L3P
примітивний
23. Центральний	L6PC
24. Аксіальний	L66L2
25. Планальний	L66P
26.Інверсіонно-	L6i3L23P; L33L24P
планальний
27. Планаксіальний	L66L27PC
Кубічна	28.Примітивний	4L33L2
29. Центральний	4L33L23PC
30. Аксіальний	3L44L36L2
З1. Планальний	4L33L26P
32. Планаксіальний	3L44L36L29PC

Таблиця 2

Прості форми кристалів Нижча категорія

 

Назва	Триклінна	Сингонія
Моноклінна
Моноедр
Пінакоїд
Діедр		L2 Осьовий (сфеноід), відкрита форма	P Площинний, (дома), закрита форма	L2 Осьовий (сфеноід), відкрита форма	Р     Площинний (дома), Закрита форма

Прості форми кристалів Нижча та середня категорії

Продовження табл.2

 

Назва	Сингонія
Ромбічна	Тригональна	Тетрагональна	Гексагональна
Призми
Піраміди
Біпіраміди
Форма поперечного перерізу

Продовження табл.2

Прості форми кристалів

Нижча та середня категорії

Назва	Сингонія
Ромбічна	Тригональна	Тетрагональна	Гексагональна
Трапецоедр		правий	лівий	правий	лівий	правий	лівий
Скаленоедр (ромбоедр)		ромбоедр	тригональний скаленоедр	скаленоедр
Тетраедр	лівий	правий

Закінчення табл.2

Прості форми кристалів Вища категорія

Назва	Кубічна сингонія
Вихідна форма	Ускладнені форми з числом граней
Подвоєним	Потроєним	Учетвереним	Ушестіреним
Тетраедр	Тетраедр		Тригонтри - тетраедр	Тетрагонтри - тетраедр	Пентагонтри- тетраедр		Гексатетраедр
Куб	Гексаедр	Ромбо­додекаедр			Пентагон-додекаедр	Тетрагекса-едр	Дідодекаедр
Октаедр	Октаедр		Тригонтри - октаедр	Тетрагонтри - октаедр	Пентагонтриоктаедр		Гексаоктаедр

Гратки Браве

Таблиця З

 

	Тип решітки
Сингонія	Примітивна (Р)	Базоцентрована (С)	Об'ємно цент­рована (І)	Гранецентро-вана (А, В, F)
Триклінна	1.
Моноклінна	2.	3.
Ромбічна	4.	5.	6.	7.
Тригональна	8.
Тетрагональна	9.		10.
Гексагональна	11.
Кубічна	12.		13.	14.

Таблиця 4

Основні характеристики категорій та сингоній

 

 

 

Категорія	Сингонія	Число одинич­них нап- рямків	Характерні елементи симетрії
Нижча   Відсутні осі си­метрії віще дру­гого порядку, одиничних напрямків -більше двох.	1. Триклінна	Усі	L1 або С	α ≠ β = γ = 90°; a ≠ b ≠ с.
2. Моноклінна	Безлічь	L2 або Р	α = β = 90° ≠ γ; a ≠ b ≠ с.
3. Ромбічна	Три	3L2 або ЗР	α = β = γ = 90°; a = b ≠ с.
Середня Одна вісь си­метрії вище дру­гого порядку, одиничний напрямок - один.	4. Тригональна	Одне	L3 або L3i	α = β = 90°; γ =120°; a = b ≠ c.
5. Тетра­гональна	Одне	L4 або L4i	α = β = γ = 90°; a = b ≠ с.
6, Гекса­гональна	Одне	L6 або L6i	α = β = γ = 90°; a = b ≠ с.
Виша Декілька осей симетрії вище другого порядку, одиничних напрямків -немає.	7. Кубічна	Немає	4L3	α = β = γ = 90°; a = b = с.

 

 

ЛІТЕРАТУРА

 

1. Кушта Г. П. Введение в кристаллографию. - Львов: Вища шк.,, 1976.-
278 с.

2. Торопов Н. А., Булак Л. Н. Кристаллография и минералогия.- Л.:
Недра 1982.-532с.

3. Шаскольская М. П. Кристаллография.- M.: Высш шк., 1986.- 441 с. Дранчук С.М. Базовий конспект лекцій до дисциплін “Хімія і основи матеріалознавства”, “Основи матеріалознавства і матеріали електронних апаратів”, “Електротехнічні матеріали”, “Електроматеріалознавство”, “Мікроелектронні технології та матеріали електронної техніки”: Ч.1 – Діелектрики та напівпровідники. – Одеса: ОДПУ, 2000. – 109 С.

4. Дранчук С.М. Базовий конспект лекцій до дисциплін “Хімія і основи матеріалознавства”, “Основи матеріалознавства і матеріали електронних апаратів”, “Електротехнічні матеріали”, “Електроматеріалознавство”, “Мікроелектронні технології та матеріали електронної техніки”: Ч.2 – Провідники та магнітні матеріали. – Одеса: ОДПУ, 2000. – 91 С.

5. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. – М.: Высш.шк., 1999. – 367 С.

6. Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы. – Л.: Энергоатомиздат, 2000. – 304 С.

7. Пасынков В.В. Материалы электронной техники.– М.: Высш.шк., 1980.– 406 С.

8. Справочник по электротехническим материалам. В 3-х томах:

9. Т.1 /Под редакцией Ю.Б.Корицкого и др.– М.: Энергоатомиздат, 1996. – 368 С.

10. Т.2 /Под редакцией Ю.Б.Корицкого и др.– М.: Энергоатомиздат, 1997. – 464 С.

11. Т.3 /Под редакцией Ю.Б.Корицкого и др.– М.: Энергоатомиздат, 1998. – 728 С.

12. Казарновский Д.М., Яманов С.А. Радиотехнические материалы. – М.: Высш.шк., 1997. – 247 С.