Основные параметры фильтров на пав, методы внешнего и комбинированного взвешивания импульсной характеристики фильтров на пав.

На принципах функциональной электроники, а именно на использовании динамических неоднородностей, можно построить фильтры не только на основе ПЗС, но и акустоэлектронные, основанные на применении поверхностных акустических волн. Рабочий диапазон частот фильтров на ПАВ находится в пределах от 1 до 10³ МГц.

Отметим важную особенность фильтров на ПАВ: они являются дискретными аналогично фильтрам на ПЗС. Действительно, электрическое поле действует на пьезоэлектрик, вызывая неоднородность, в виде дискретных участков сжатия или растяжения, где расположены пары штырей преобразователя. Наиболее часто основные функции по формированию частотной характеристики выполняет входной преобразователь, а выходной является широкополосным. Как показывает опыт, при этом меньше проявляются искажения частотной характеристики.

Суммарная амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) фильтра K _ф(ω) определяется произведением частотных характеристик обоих преобразователей:

K ф(ω) = K вх(ω) K вых(ω),

(6.17)

поэтому детальное рассмотрение АЧХ можно проводить для каждого преобразователя в отдельности.

Совокупность весовых коэффициентов определяет импульсную характеристику фильтра, т.е. его входной сигнал при воздействии на вход единичного импульса.

 

Методы микромонтажа (сборки, корпусирования) микроэлектронных компонентов

Микромонтаж кристаллов начинается после создания ИМС в пластине (после электрического зондового контроля ИМС в составе пластин и контроля по внешнему виду).

Основными операциями микромонтажа являются:

1) разделение пластин на модули; 2) контроль по внешнему виду и разбраковка; 3) посадка кристаллов ИМС в корпус или на коммутационную плату; 4) электрическое соединение выводов КП кристалла с КП корпуса или платы.

Установка (крепление) кристаллов ИМС на коммутационную плату ГИФУ зависит от необходимости электрического соединения основания посадки с телом кристалла и эффективного теплоотвода.

Аналогичным образом применяется бесфлюсовая вибрационная пайка кристаллов ИМС с использованием в качестве припоя легкоплавких металлов и сплавов.

При сборке корпусных и бескорпусных ИМС, а также отдельных радиокомпонентов на платы ГИФУ в настоящее время возникает ряд проблем, вызванных, прежде всего возрастающим многообразием типов ИМС и компонентов, а также типов коммутационных плат, дефицитом необходимых для групповой технологии компонентов, несовершенным программным обеспечением, длительным производственным циклом, ошибками при ручной сборке.

Существует два основных конструктивно-технологических решения: 1)корпусирование ИМС на уровне кристалла (корпусные ИМС);

2) корпусирование ИМС на уровне ГИФУ, ячейки или блока МЭА (бескорпусные ИМС).

К настоящему времени, несмотря на многочисленные варианты использования жестких организованных выводов для автоматизированной сборки бескорпусных ИМС, наиболее широкое применение находят два направления: 1) сборка с использованием объемных (шариковых, столбиковых) выводов (ОВ) или методом перевернутого кристалла с ОВ (рис.

При сборке ИМС методом перевернутого кристалла контроль совмещения подложки и ОВ осуществляется оптическим путем с помощью полупрозрачного зеркала.

 

Основные процессы в производстве микроэлектронных компонентов: технологический процесс, как большая система, общая классификация базовых технологических процессов в производстве микроэлектронных компонентов

Технологический процесс (ТП) (сокращенно техпроцесс) — это упорядоченная последовательность взаимосвязанных действий, выполняющихся с момента возникновения исходных данных до получения требуемого результата..

Любой технологический процесс (ТП) можно представить в виде большой системы (рисунок 2.3).

Здесь - Х1, Х2...ХN - входы системы (подложки, пластины, испаряемые материалы, диффузанты и др.). Это параметры исходных про­дуктов.

У1,У2...УN - выходы системы (параметры ИС или ее части). Это выходные параметры конечного продукта.

Z1,Z2...ZN - контролируемые и управляемые факторы (температура подложек, давление в камере, расход газа и т.д.). Это факторы, возмущающие технологический процесс.

W1,W2...WN - неконтролируемые факторы, оказывающие случайное возмущающее действие на процесс (состав остаточной атмосферы). Это влияющие технологические факторы.

ТП изготовления современных ИМЭ настолько сложны, в большинстве случаев они изучаются с помощью экспериментально-статистических методов, которые позволяют определить наиболее существенные технологические факторы, определить характер их влияния на качество изделий и построить модель исследуемого про­цесса. Среди методов анализа ТП наиболее широко используются:

- дисперсионный анализ;

- регрессионный и корреляционный анализ;

- математическое планирование эксперимента.

Технологический маршрут - последовательность техно­логических операций обработки пластин или подложек, применяемых для изготовления данного типа ИМЭ. Документом, содержащим описание маршрута, является маршрутная карта.

Технологический процесс производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (микропроцессоров, модулей памяти и др.) включает нижеследующие операции.

· Механическую обработку

· Химическую обработку

· Эпитаксиальное наращивание слоя полупроводника

· Получение маскирующего покрытия

· Фотолитография

· Введение электрически активных примесей в пластину для образования отдельных p- и n-областей

· Получение омических контактов и создание пассивных элементов на пластине

· Добавление дополнительных слоев металла

· Пассивация поверхности пластины

· Разделение пластин на кристаллы