Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Термическое окисление полупроводниковых пластинСодержание книги Поиск на нашем сайте
Получаемая при окислении пленка SiO2 выполняет следующие функции: защита поверхностей вертикальных участков p-n переходов, выходящих на поверхность; маски, через окна которой вводится необходимые примеси при легировании; тонкого диэлектрика под затвором МОП транзистора; для межслойной изоляции разводки; Рис. 4. Схема МОП-транзистора
Методы получения слоев SiO2:
Получаемые слои SiO2 совершенны по равномерности толщины и структуре, а также обладают высокими диэлектрическими свойствами. Существует две основные разновидности метода термического окисления кремния: 1) высокотемпературное окисление в атмосфере сухого кислорода или водяного пара при атмосферном давлении; 2) окисление в парах воды при высоком давлении и температуре 500¸800°С; Процесс окисления кремния происходит в три этапа: 1) адсорбция окислителя поверхностью пластины, покрытой оксидом; 2) перенос окислителя через оксидный слой SiO2; 3) реакция окислителя с кремнием на границе Si - SiO2;
Толщина оксидной пленки определяется по формуле: , где k – коэффициент, зависящий от температуры и влажности кислорода; t – время;
Особенности: окисление при сухом кислороде в десятки раз медленнее влажного; с уменьшением температуры на каждые 100° время окисления повышается в 2¸3 раза; Различают толстые (0,7¸0,8 мкм) и тонкие (0,1¸0,2 мкм) слои. Рис. 5. Однозонная высокотемпературная печь
В промышленности выполняется комбинированное окисление: сначала выращивается тонкий слой SiO2 в сухом кислороде, толстый слой SiO2 во влажном, а затем снова в сухом.
Недостатки метода термического окисления – трудноуправляемые физические явления: возникновение зарядов в слое оксида; невысокая стойкость к проникновению водяных паров и ионов щелочных металлов; малый коэффициент теплопроводности; Дальнейшим совершенствованием метода является освоение новых материалов. Одним из перспективных материалов является Si3N4. Преимущества: материал обладает лучшими маскирующими и защитными свойствами в меньших толщинах из-за более высокой плотности и термостойкости; высокая скорость нанесения (до 10нм/мин); электрическая прочность выше чем у SiO2 (107 В/см); Для получения слоев используются методы: 1) осаждение продуктов при протекании реакции взаимодействия силана кремния (Si3N4) c аммиаком или гидразином (N2H4); 2) нанесение реактивным катодным распылением; высокочастотным реактивным распылением в плазме азота; плазмохимическим осаждением Si в присутствии азота.
Литография Литография – процесс создания защитной маски на поверхности полупроводникового кристалла, необходимой для локальной обработки при формировании интегральной структуры И.C. по планарной технологии. В зависимости от длины волны применяемого облучения различают: оптическую/ультрафиолетовую литографию (l=100¸450 нм); рентгеновскую литографию (l=0,1¸1 нм); электронную литографию (l=0,1 нм); ионно-лучевую литографию (l=0,05¸0,1 нм). Варианты методов литографии в зависимости от способов получения топологических конфигураций на шаблоне и поверхности полупроводниковой пластины приведены на рис. 6.
Ведущую роль в технологии ИС занимает фотолитография (см. главу 2). Разрешающая способность УФ фотолитографии характеризуют часто значением D - минимальной шириной линии, мкм. Принципиальным физическим фактором, ограничивающим D, является дифракция УФ-излучения, не позволяющая получить D меньше длины волны l. На практике D может быть более l по ряду причин, например, из-за рассеяния УФ-излучения в фоторезисте при экспонировании, набухания фоторезиста при проявлении и его последующей усадки при высушивании, несоответствия размеров отверстий в фоторезистивной и основной масках. Литография с разрешающей способностью D<<1 мкм, необходимая для создания ИС с высокой степенью интеграции, основывается на применении излучений с меньшей длиной волны, чем в фотолитографии.
Электронолитография Метод основан на нетермическом взаимодействии электрона с электронорезистами. Электронорезист – полимерный материал, который изменяет свои свойства при взаимодействии с электроном. На практике наибольшее распространение получила – обработка сфокусированным пучком электронов (сканирующая ЭЛ) и электронная проекция всего изображения (проекционная ЭЛ) на пластину с электронорезистом. Методом достигается формирование топологических конфигураций с размерами элементов 0,1…0,2мкм. (Теоретически возможно получить 0,1нм). Особенность ЭЛ- отсутствие необходимости оригинала топологии в увеличенном масштабе.
Рентгенолитография Метод основан на взаимодействии характеристического рентгеновского излучения (l = 0,1¸10нм) с рентгенорезистом, приводящим к изменению их свойств - увеличение или уменьшение стойкости к проявителям. Проекционный метод (1:1): шаблон состоит из кремниевой подложки, тонкой мембраны из, пропускающей рентгеновское излучения и слоя материала (хром, золото) хорошо поглощающего рентгеновское излучение. Зазор между шаблоном и пластиной составляет порядка 3¸10 мкм, время экспонирования – 1 сек ¸ 20 мин. Достоинства - высокая разрешающая способность, отсутствие влияния загрязнений, большой срок службы шаблона, относительная простота оборудования.
Ионно-лучевая литография Основана на использовании ионов гелия для экспонирования поверхности пластин, покрытых резистом. Существуют: сканирующая ИЛЛ (разрешающая способность – 0,3¸0,03мкм); проекционная ИЛЛ с (разрешающая способность – 0,5мкм);
Для формирования рисунка топологии ИС возможно воздействие на пленку электронного, ионного и лазерного пучка с высокой плотностью энергии, достаточной для термического испарения материала.Для этого необходимы плотность мощности больше >106 Вт/см2 и время @ 1мкс. Применение ограничено возможным возникновением дефектов из-за механического напряжения и ударных волн.
Для сравнения эффективности методов литографии используются обобщенные оценки. В качестве критерия выбран показатель качества, определяемый как: Производительность (1+0,15´плотность дефектов) ´ стоимость оборудования ´ (ширина линий)
Сравнение эффективности методов литографии приведено в таблице 1. Таблица 1
Травление 1. Химическое травление – химическая реакция жидкого травителя с кремниевой пластиной с последующим образованием растворимого соединения. Процесс состоит из следующих стадий: 1) диффузия реагента к поверхности; 2) адсорбция реагента; 3) поверхностная химическая реакция; 4) десорбция продуктов реакции; 5) диффузия продуктов реакции от поверхности;
Пример реакции для изотропного травления кремния: Si + 4HNO3 ® SiO2 +4NO3 +2H2O SiO2 + 4HF ® SiF4 + 2H2O Для большей равномерности травления ванну с раствором и пластиной кремния вращают в наклонном положении (динамическое травление) или вводят в ванну ультразвуковой вибратор.
Для травления кремния используют анизотропное и изотропное травление. Изотропное травление происходит во всех направления с приблизительно одинаковой скоростью. Для травление используются фосфорная, азотная и уксусная кислоты. Анизотропное травление основано на том, что скорость химической реакции зависит от кристаллографического направления: минимальная скорость травления в направлении [111], а максимальная – в [100] (скорость травления в направлении [100] в 600 раз больше чем в направлении [111]). В качестве анизотропного травителя используются калиевая кислота и вода. При использовании анизотропного травления скорость зависит от кристаллографического направления и боковые стенки лунок приобретают рельеф или огранку, углы под которыми вытравливаются боковые стенки лунок строго определены. плоскость [111] является как бы непроницаемой для травителя, что дает возможность при использовании маски избежать подтравливания.
Эпитаксия Эпитаксия – это ориентированный рост полупроводниковых слоёв на полупроводниковой подложке, при котором кристаллографическая ориентация повторяет ориентацию подложки. Если подложка и плёнка – одно и тоже вещество то процесс автоэпитаксиальный, иначе гетероэпитаксиальный. Методы этого наращивания делят на прямые и косвенные. 1. Прямые – частицы полупроводника переносятся без промежуточных химических реакций (испарение, сублимация, реактивное распыление). 2. Косвенные – полупроводниковые плёнки получают путём разложения паров полупроводниковых соединений (методы восстановления в H2 хлоридов, бромидов кремния, а также метод разложения органических соединений кремния). Недостаток прямого метода – сложность точного дозирования примеси в плёнке. Поэтому чаще используют косвенный метод - восстановление из хлоридов кремния SiCl4
Рис. 12. Схема установки используемой для восстановления из хлоридов кремния
1. Загружаются пластины Si в реакционную камеру (пластины обработаны) 2. Продувка H2 3. Заполнение HCl для стравливания SiО2 4. Нагрев камеры до 12000 и подача SiCl4 + H2, происходит реакция восстановления SiCl4 + H2= SiCl2+2HCl Скорость роста порядка 0,5-5 микрон в минуту. Толщина плёнки 10-20 микрон. В процессе выращивания возможно легирование В2Н6 или РН3, создающего дырочную (р) или электронную (n) проводимость.
Скорость роста пленки зависит от температуры в камере, кристаллографической ориентации кристалла в подложке (быстрее в [110], медленнее в [100]), от скорости потока газа-носителя, концентрации SiCl4 в H2, равномерности потока газа из поверхности кремния. При невысоких температурах и больших содержаниях SiCl4 в H2 образуются рыхлые аморфные слои кремния, при повышении температуры структура кремния ухудшается и появляется поликремний. Для всех процессов требуется высокая степень чистоты исходных элементов. Поддержание определенного технологического режима позволяет получить постоянство параметров пленки кремния в пределах 5¸10%. В процессе выращивания слоя кремния возможно легирование соединений бора B206 (диборан) – получается р-тип кремния или фосфора PH3 (фосфин) – получается n-тип кремния, задающих дырочную или электронную проводимость.
Легирование В современной технологии микроэлектроники процесс легирования является одним из базовых процессов. Степень интеграции ИС увеличивается за счет совершенствования методов локального легирования и разрешающей способности методов литографии.
Методы легирования можно разделить на группы: 1. Высокотемпературная диффузия. 1) в замкнутой системе 2) в открытой системе 3) из твёрдой фазы на поверхности 2. Ионная имплантация 1) внедрение ионов а) температурная обработка 3. Радиационностимулированная диффузия 1) обработка частицами высокой энергии 2) обработка частицами низкой энергии
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-12-15; просмотров: 129; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.220.227.250 (0.009 с.) |