Классификация т конструкция диодов. Разновидности и их применение.

В основе п/п диодов лежит ЭДП, созданный на монокристаллическом германии или кремнии. Степень очистки от примесей не ниже 10^-8%. Диоды имеют несимметричную структуру, т.е. концентрация основных носителей заряда в pиn-областях отличаются во много раз (основной носитель тот, концентрация которого преобладает в данном полупроводнике). Это приводит к значительному превышению диффузии неосновных носителей из сильнолегированной зоны в слаболегированную при прямом смещении, т.е. к увеличению прямого тока.

По соотношению площади объёмного заряда к его толщине диоды разделяют на плоскостные и точечные.

Конструкции различаются в зависимости от назначения. Условное обозначение.

 Мощные диоды имеют корпус в виде винта с шестигранной головкой для завинчивания в радиаторы или токоведущие шины. Внутри корпуса имеется плоскостной переход, присоединенный с одной стороны к корпусу, с другой –к гибкому многожильному проводу с кабельным наконечником. Этот провод, как правило, подключается к плюсу (анод), на корпусе имеется маркировка направления тока (демонстрация).

Галетная конструкция рассчитана на плоскостной контакт.

Диоды малой и средней мощности оформляются в металлическом или пластмассовом корпусе с гибкими выводами или шпилькой для привинчивания к радиатору или токоподводу.

Диодные сборки. Выпрямительные мосты.

По назначению и области применения: общего применения (выпрямительные; импульсные; высокочастотные; стабилитроны и ограничители напряжения);

специального назначения (варикапы, детекторы радиации, смесители, модуляторы и т.д.);

инжекционные диоды (светодиоды и индикаторы на их основе).

Выпрямительные—в цепях переменного тока частоты 50 Гц, иногда в цепях постоянного тока (например, для разделения полярности).

Импульсные и высокочастотные—в радиотехнических устройствах, автоматике, вычислительной технике.

Стабилитроны

Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения. Они работают в обл. электрического пробоя. Изготавливаются на основе кремния. Если ЭДП будут созданы с обеих сторон кристалла, стабилитрон будет симметричным (двуханодным). Напряжение стабилизации от 1 до 1000В. Если нужно менее 1В, используют стабисторы (работают на прямой ветви ВАХ-0,7 В).

Варикапы—зависимость емкости перехода от обратного напряжения. Электрически управляемая емкость.

Туннельные и обращенные диоды. Туннельные диоды изготавливают на основе                                                                 германия. За счет туннельного эффекта имеют на ВАХ впадину.  Это создает такие возможности,       как генерирование электрических колебаний, работу в переключающих схемах. Их достоинствами являются высокие частоты, малые шумы, малая зависимость от температуры.

                 Обращенные диоды представляют собой разновидность туннельных диодов. Их впадина настолько мала, что представляет собой горизонтальный участок. Их обратный ток значительно больше прямого. Работают на обратной ветви ВАХ. Малая инерционность позволяет им работать на СВЧ.