S: В чем состоит принципиальное различие между магнитомягкими и магнитотвердыми материалами? 


Мы поможем в написании ваших работ!



ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

S: В чем состоит принципиальное различие между магнитомягкими и магнитотвердыми материалами?



  1. в длительности срока эксплуатации.
  2. в твердости материала магнита по Бринеллю (HB), соответственно мягкие материалы и твердые.
  3. в ширине петли гистерезиса: у магнитомягких – широкая, у магнитотвердых – узкая; и в величине коэрцетивной силы: у магнитомягких большая, у магнитотвердых – малая
  4. в ширине петли гистерезиса: у магнитомягких – узкая, у магнитотвердых – широкая; и величине коэрцетивной силы: у магнитомягких малая, у магнитотвердых – большая.

 

I: «46»; mt=0,1

S: Полупроводниковые материалы – это материалы:

  1. способные менять свою проводимость в зависимости от времени года (зима, лето …)
  2. способные изменять свойства проводимости в течение всего срока службы (сначала, это проводники, в конце периода эксплуатации – это диэлектрики).
  3. электрические свойства которых сильно зависят от содержания примесей, дефектов структуры и внешних воздействий (температуры, освещения, электромагнитного поля и т.д.)

 

I: «47»; mt=0,1

S: К полупроводниковым материалам относят вещества, ширина запрещенной зоны которых лежит в диапазоне:

  1. 0,1 – 3,0 эв.
  2. менее 0,1 эв.
  3. более 3,0 эв.

 

I: «48»; mt=0,1

S: Что такое электронная проводимость, или проводимость n -типа в полупроводниках?

  1. электропроводность, обусловленная диффузией дырок в валентной зоне.
  2. электропроводность, обусловленная возбужденными электронами в зоне проводимости.
  3. электропроводность, обусловленная движением электронов во всех трех зонах: проводимости, валентной и запрещенной.

 

I: «49»; mt=0,1

S: Что такое дырочная проводимость или проводимость р-типа в полупроводниках?

  1. электропроводность, обусловленная возбужденными электронами в зоне проводимости.
  2. электропроводность, обусловленная диффузией дырок во всех трех зонах: проводимости, валентной и запрещенной.
  3. электропроводность, обусловленная диффузией дырок в валентной зоне

 

I: «50»; mt=0,1

S: Чем обусловлена собственная проводимость полупроводников?

  1. электронной и дырочной проводимостями
  2. только электронной проводимостью.
  3. только дырочной проводимостью.

 

I: «51»; mt=0,1

S: Какими типами примесей обеспечивается примесная проводимость полупроводников?

  1. только донорными примесями.
  2. донорными и акцепторными.
  3. только акцепторными.

 

I: «52»; mt=0,1

S: Донорные примеси, это примеси, которые:

  1. обеспечивают проводимость p-типа
  2. захватывают валентные электроны полупроводника и переносят их в зону проводимости.
  3. энергетические уровни которой расположены в запрещенной зоне полупроводника вблизи дна зоны проводимости; при внешнем энергетическом воздействии валентные электроны примеси легко переходят в зону проводимости полупроводника, создавая проводимость n-типа.

 

I: «53»; mt=0,1

S: Акцепторные примеси, это примеси, которые:

  1. обеспечивают проводимость n-типа.
  2. поставляют электроны в зону проводимости полупроводника.
  3. энергетические уровни которых располагаются в запрещенной зоне полупроводника вблизи потолка валентной зоны; при внешнем энергетическом воздействии акцепторные примеси захватывают валентные электроны полупроводника, обеспечивая проводимость p-типа

 

I: «54»; mt=0,1

S: Какие полупроводники относят к элементарным, примеры?

  1. все неметаллы: резины, пластмассы, клеи, бензины, древесины и др.
  2. все металлы: железо, никель, хром, медь, золото, алюминий и др.
  3. 12 химических элементов, которые проявляют полупроводниковые свойства, в том числе германий, кремний, селен, бор, углерод, фосфор, олово, мышьяк, сурьма, селен, теллур, иод.

 

I: «55»; mt=0,1

S: Какие химические соединения относятся к полупроводникам типа АII ВVI?

  1. нитрид бора BN, фосфид алюминия FlP, арсенид галлия GaAs, антимонид индия InSb и др.
  2. сульфид цинка ZnS, селенид кадмия CdSe, теллурит ртути HgTe и др.
  3. антимонид бора BSb, арсенид бора BAs, нитрид индия InN и др.

 

I: «56»; mt=0,1



Поделиться:


Последнее изменение этой страницы: 2020-11-28; просмотров: 79; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.145.202.123 (0.008 с.)