Ключи на биполярных транзисторах. 





Мы поможем в написании ваших работ!



ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

Ключи на биполярных транзисторах.



Ключом называют устройство, основное назначение которого состоит в замыкании и размыкании цепи нагрузки под действием управляющего сигнала. Транзисторный ключ подобен механическому выключателю или электромагнитному реле. Качество ключа определяется минимальным падением напряжения на нем в замкнутом состоянии, минимальным током в разомкнутом состоянии и скоростью переходных процессов.

В импульсной технике используют в ключевом режиме все три схемы включения транзистора: c ОЭ, с ОБ и с ОК. Наибольшее распространение получил транзисторный ключ, собранный по схеме с общим эмиттером, дающей самое большое усиление по мощности. Практическая схема ключа на биполярном транзисторе типа p-n-p представлена на рис. 3.3.

Нагрузочный резистор включен в коллекторную цепь транзистора. Входной управляющий сигнал (рис. 3.4.) поступает на базу транзистора через резистор , ограничивающий величину тока базы транзистора в открытом состоянии. Для обеспечения запертого состояния транзистора при , через резистор на базу транзистора подается положительное напряжение от источника . Транзистор выполняет роль ключа в последовательной цепи с резистором и источником питания .

Также, как и для усилительного каскада, на выходных характеристиках транзистора построим нагрузочную прямую, описываемую соотношением и пересекающую оси координат в точках и . Транзисторный ключ может находиться в одном из двух статических режимов: режиме отсечки (ключ разомкнут) – точка А или режиме насыщения (ключ замкнут) – точка В на рис. 3.5.

В режиме отсечки оба перехода транзистора смещены в обратном направлении и . Исходя из уравнений Эберса – Молла для токов запертого транзистора справедливы соотношения

,

,

,

так как .

Отсюда видно, что, в первом приближении, закрытый транзистор на эквивалентной схеме ключа в режиме отсечки можно представить в виде генератора тока, включенного между базой и коллектором транзистора (рис.3.6.).

При напряжение создается двумя источниками: источником напряжения и источником тока и равно

(3.1)

Поскольку в режиме отсечки должно выполняться условие , то из (3.1) получаем . Учитывая, что указанное условие должно выполняться во всем диапазоне температур, находим необходимую величину резистора .

При подаче на вход ключа отрицательного импульса , ток базы практически мгновенно увеличивается. Рабочая точка перемещается вверх по нагрузочной прямой. Линейная зависимость между базовым и коллекторным токами будет соблюдаться лишь в активной области, расположенной между точками А и В (рис. 3.5) При подходе к линии критического режима ОВ дальнейшее увеличение базового тока уже не приводит к росту коллекторного тока, достигшего своего максимального значения в точке В, т.е. транзистор заходит в режим насыщения и становится неуправляемым. Произойдет это при токе базы насыщения . Ток коллектора насыщения при этом равен . В это время отрицательное напряжение на базе оказывается больше величины остаточного напряжения на коллекторе транзистора и коллекторный переход оказывается смещенным в прямом направлении. Если пренебречь напряжениями на открытых переходах транзистора, то транзистор в режиме насыщения можно представить эквипотенциальной точкой (коротким замыканием его электродов), что существенно упрощает анализ ключевых схем. Эквивалентная схема ключа в режиме насыщения приведена на рис. 3.7. Условие насыщения транзистора можно записать в виде

, (3.2)

где - реальный ток базы открытого транзистора, который для нашей схемы ключа (рис. 3.3.) равен

. (3.3)

 

Для количественной оценки степени насыщения транзистора вводят коэффициент насыщения

(3.4)

С увеличением коэффициента насыщения растет нагрузочная способность, уменьшается влияние различных дестабилизирующих факторов (разброс величин резисторов, изменение напряжения питания и т. д.) на выходные параметры ключа, но как показано ниже, ухудшается быстродействие ключа. Поэтому коэффициент S выбирают из компромиссных соображений, исходя из условий конкретной задачи. Обычно выбирают S = 1,5 ÷ 3. Условие насыщения транзистора (3.2) с учетом выражений (3.3) и (3.4) можно представить в виде равенства

(3.5)

Решив равенство (3.5) относительно , найдем выражение для его расчета

.

Рассмотрим переходные процессы, протекающие в ключевой схеме рис. 3.3. Временные диаграммы, иллюстрирующие переходные процессы в ключе, представлены на рис. 3.8.

Пусть в исходном состоянии ключ выключен, транзистор заперт некоторым обратным напряжением , которое можно определить из выражения (3.1). При подаче на вход ключа отрицательного управляющего импульса эмиттерный переход смещается в прямом направлении, и через базу будет протекать постоянный ток , величина которого определяется выражением (3.3).

В момент времени , когда напряжение на базе достигает , открывается эмиттерный переход и транзистор переходит из режима отсечки в активный режим, начинается этап формирования фронта . На этом этапе ток коллектора стремится измениться от значения до по экспоненциальному закону

, (3.6)

где – постоянная времени передачи тока базы в схеме с ОЭ. Однако в момент ток коллектора достигает максимального значения и ограничивается, транзистор переходит из активного в режим насыщения. Если считать, что формирование фронта заканчивается при , то, решив (3.6) относительно длительности фронта получим

, (3.7)

где , , .

После преобразований получим

(3.8)

Анализируя (3.8), можно сделать вывод, что длительность фронта уменьшается, если выбрать более высокочастотный транзистор и увеличивать степень насыщения транзистора .

Несмотря на то, что после момента времени , коллекторный ток остается постоянным, заряд в базе продолжает нарастать, но уже с постоянной времени , определяемой как среднее время жизни неосновных носителей в базовой и коллекторной областях насыщенного транзистора . В базе транзистора происходит накопление неосновных носителей заряда (дырок). По мере увеличения числа избыточных дырок в базе растут и их потери на рекомбинацию. Когда число дырок в базе, рекомбинирующих в единицу времени, становится равным числу электронов, приходящих из внешней цепи, процесс нарастания заряда в базе прекращается и заряд будет равен . Постоянная времени в режиме насыщения меньше постоянной передачи тока базы в активном режиме вследствие возрастания рекомбинации носителей заряда. Полагают, что этап накопления заряда в базе заканчивается через время . Практически для различных транзисторов .

Процесс выключения транзисторного ключа можно разделить на два этапа: время рассасывания заряда неосновных носителей в базе и время формирования отрицательного фронта (рис. 3.8). В момент окончания управляющего входного сигнала ток базы скачком изменяется от прямого значения до обратного . Обратный ток способствует рассасыванию избыточного заряда неосновных носителей из области базы. Очевидно, что пока заряд, накопленный в базе, больше , коллекторный ток и напряжение на коллекторе не изменяются. На временной диаграмме коллекторного тока (рис. 3.8) процесс рассасывания заряда неосновных носителей отображен экспоненциальным изменением кажущегося тока коллектора от до уровня . Пока кажущийся ток превышает уровень транзистор можно считать насыщенным. Рассасывание избыточного заряда заканчивается в момент , когда . Тогда время рассасывания равно

,

где , , .

(3.9)

Из формулы (3.9) видно, что время рассасывания сокращается при уменьшении степени насыщения S и увеличении обратного тока .

В момент транзистор выходит из режима насыщения, и ток коллектора изменяется по экспоненциальному закону от до величины с постоянной времени , соответствующей активному режиму работы транзистора. В момент времени ток коллектора уменьшается до нуля, эмиттерный переход закрывается, и обратный ток базы падает до величины . Транзистор переходит в режим отсечки и процесс выключения ключа заканчивается.

Длительность отрицательного фронта можно найти из выражения

,

где , , .

, (3.10)

Из выражения (3.10) видно, что уменьшается с увеличением обратного тока .

Анализ переходных процессов проводился без учета емкости коллекторного перехода . Учесть влияние можно, если в формулах (3.8) и (3.10) заменить на .

Для того, чтобы обеспечить высокое быстродействие ключа желательно, чтобы базовый ток транзистора имел форму, показанную на рис. 3.9. Амплитуда выброса должна быть достаточно большой, чтобы получить требуемую длительность . В стационарном включенном состоянии ток базы нужно поддерживать на таком уровне , чтобы открытый транзистор работал на границе режима насыщения при минимальном (есть возможность уменьшить время рассасывания). Для быстрого выключения транзистора нужно, чтобы в базу был подан обратный ток , достаточный для запирания транзистора в течение заданного промежутка времени . Форма тока базы, близкая к желаемой, получается в схеме ключа с ускоряющей емкостью, приведенной на рис. 3.10а.

В данной схеме вместо базового тока в первый момент действует ток (при ), что позволяет сократить . По мере заряда конденсатора C ток базы уменьшается и стремится к установившемуся току .

После окончания входного сигнала к обратному току добавляется дополнительный ток разряда конденсатора C. Это ведет к сокращению и . Основной недостаток ключа с ускоряющей емкостью - наличие конденсатора, который трудно реализовать при интегральной технологии. Конденсатор занимает много места на подложке.

Для исключения накопления избыточного заряда в базе, и, следовательно, исключения времени рассасывания при любой форме входного сигнала используют ключ с нелинейной обратной связью (ненасыщенный ключ), в котором транзистор работает на границе активного и насыщенного режима. При разработке цифровых интегральных схем широко используются ключи с нелинейной обратной связью, образованной с помощью диода Шоттки (рис. 3.11). При транзистор закрыт, диод смещен в обратном направлении и его сопротивление велико. Цепь обратной связи от коллектора к базе разорвана. С приходом управляющего импульса транзистор открывается и должен войти в режим насыщения, а его коллекторный переход сместиться в прямом направлении. Однако раньше, чем откроется коллекторный переход кремниевого транзистора, открывается диод Шоттки.

Диод Шоттки (структура металл - полупроводник) имеет малое падение напряжения в открытом состоянии - меньшее, чем падение напряжения на открытом кремниевом p-n-переходе транзистора а также в нем отсутствует накопление заряда. При малом прямом напряжении на коллекторном переходе переход остается практически закрытым. Через малое сопротивление открытого диода Шоттки осуществляется параллельная ООС по напряжению. Через открытый диод Шоттки часть входного тока ответвляется в цепь коллектора, так что базовый ток транзистора остается равным току . Следовательно, не будут накапливаться избыточные неосновные носители, и время рассасывания будет равно нулю, а формирование фронтов импульса будет происходить, как и в других схемах при больших токах базы. Основной недостаток ненасыщенного ключа – в большем падении напряжения на открытом транзисторе (порядка 0,3- 0,4 В).





Последнее изменение этой страницы: 2016-12-28; просмотров: 517; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 54.224.117.125 (0.007 с.)