Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Типовые структурные схемы ИВЭПСодержание книги Поиск на нашем сайте
Сетевой 2х канальный ИВЭП с входным тр-ром.
Сетевой ИВЭП с бестрансформаторным входом ИВЭП с входом и выходом на постоянном напряжении
Лекция № 2
Характеристики силовых диодов.(СД) Основным параметром СД является допустимая нагрузка по току, которая определяется температурой р-n перехода Qp-n < доп» 1250,величина которой определяется потерями в СД. т.С – UBR - напряжение при котором начинается лавинный пробой n-p-перехода т.В –URSM - называется неповторяющимся импульсивным напряжением т.А –URRM -наибольшее мгновенное значение напряжения, которое допускается прикладывать к диоду в обратном направлении и определяет класс прибора (в сотнях вольт) Основной точкой на прямой ВАХ диода является предельный ток IF(IA), под которым понимают максимально допустимое среднее значение прямого тока, длительно протекающего через диод. В общем случае РS=Рnр + Робр + Рком Рnр: Реальная ВАХ, заменяется прямой (линейная апроксимация) , тогда средняя за период Т мощность Рnp= U0Iаср + RgI2эф = Рn ср + Рn эф Iаср - средний ток вентиля - экв. постоянный ток, протекающий за период Т Iaэф – эффективный (действующий ток) – это эквивалентно равный ток, который выделяет за Т, такое же количество тепла. Соотношение между ними – коэффициент формы Кф= Iэф/ Iаср >1 т.е. Рn ср - потери от среднего тока Рn эф- потери от эффективного тока Iэф= Кф Iср, а т.к Кф – зависит от режима работы преобразователя, то изменяется соотношение между Рn ср и Рn эф Рn ср > Рn эф при Ia< In, и Рn ср < Рn эф при Ia> In ПРИМЕР: Т=100; Uо=1,2В; Rg=2 . 10-3 Ом; Кф= =2,2 для ~ 1) Iаср =50А Рn ср =1,2 . 50 =60Вт Р n эф =2 . 10-3(2,2 . 50)2=24,2 Вт 2) Iаср =200А Рn ср =1,2 . 200 =240Вт Р n эф =2 . 10-3(2,2 . 200)2=400 Вт Робр – потери при протекании Iобр. Робр ≈ Iобр . Uобр ПРИМЕР: Т=100 Iобр =20 . 10-3 Робр =20 . 10-3. 500≈10Вт При перегрузках могут быть и больше. Рком –коммутационные потери возникают в интервале вкл. И выкл.вентиля.
Из-за переходных процессов в n-р переходе Uаnр устанавливается не сразу => Рвкл= – могут быть больше С ростом . увеличивается Рср выкл >Рср вкл ПРИМЕР: Т= 100 Uобр= 500 Iобр =50 ∆ tc =5мкс =10.4 Вт (+10Вт вкл) ≈20 Вт Потери мощности Р∑ -сотни ватт на малом объеме кристалла ═> быстрый рост t до критической ═> вентили характеризуются перегрузочной способностью. Iаnср = f(t) и требуют хорошего теплоотвода Виды охлаждения - воздушное естественное Vс= 0 - воздушное принудительное Vc=6; 12 м/с - водяное - испарительное 150-1700С, то он может еще включиться. Зависит от условий работы. Тмл =1412 0С
ХАРАКТЕРИСТИКА ТИРИСТОРОВ Тиристоры в отличии от диодов обычно вкл. и выкл. под прямым напряжением
Эффект di/dt- способность тиристора выдерживать определенную способность нарастания анодного прямого тока при включении при определенных условиях от 50 до 200 А/мкс. При включении напряжение является однозначной функцией тока, => индуктивный характер, т.е. при включении тиристор может быть заменен. Эффект dU/dt. Процесс выключения. С~ . t>t1 Обратный ток.
РS = Рпроткр + Рпрз + Робрз +Ркоu + Ру > больше Ру- учитывается только при широких импульсах (600) Ру =UуIу Рвкл=UапрIапр tn/6T Рсрвыкл –как у диода Классификация вентилей по конструкции: 1.Штыревые 2.Фланцевые 3.Таблеточные 4.С корпусом под запрессовку 5.Модульные Условные обозначения:
Диод быстро восстанавливающийся, первой модификации, штыревой конструкции, с гибким выводом, со средним прямым током 200А, повторяющимся импульсным Uобр =1200В, обратной полярности, временем обратного восстановления 2,5мкс, отобранный для параллельного соединения с разбросом прямого импульсного напряжения от 1,41 до 1,61В, климатического исполнения УХЛ, категория размещения 4,2.Выпускаемый по ТУ 16… Д4131-200Х-12-М4-1,41-1,61 УХЛ 4,2 ТУ16…
Тиристор быстродействующий, второй модификации, таблеточный, с диаметром таблетки 58 мм, со средним током 400А,Uобр= 1600В, критической скоростью нарастания напряжения в закрытом состоянии 200В/мкс, tвыкл= 32мкс, tвкл= 4мкс для U соед. С разбросом 1,75В-1,95В. Климатич.исполнение Е, категории размещения;, выпускаемый по ТУ16… ТБ243-400-16-Р2К3Н4-1,75-1,95 Т4 ТУ16… Лекция № 3 Выпрямители
Блок-схема выпрямителя
I.Тр-р-статический эл. аппарат для преобразования ~ U1 в ~ U2 c f= const 1.напряжения сети U1 и U2 на входе СВБ (может и не быть) 2.Изменение числа фаз m1,m2 3.Гальваническая развязка 4.Снижение di/dt, i к.з. В зависимости от схемы СВБ, режима его работы и мощности,тр-р оказывает существенное влияние на эл.магнитные процессы преобразователя. Магнитопровод-для усиления магнитного потока Фо Фо- общий магнитный поток, связанный с обмотками W1иW2 Фs1,Фs2 -потоки рассеяния, связанные с витками своей обмотки Фs<< Фо Эквивалентная схема
r1,r2’-активные сопрот.W1,W2 хs1=ωLs1 =ωLs2- индуктивные сопротивления рассеяния хо= ωLо - индуктивность намагничивания, учитывающая ток намагничивания Iо для создания Фо. rо-сопротивление, учитывающие потери в магнитопроводе на гистерезис и вихревые токи. E1=4.44fW1Фmaх = . Хs2, r2’= r2 . Ктр=W1/W2 E2=4.44fW2Фmaх Ктр=Е1/Е2 Параметры экв.схемы определяются из опытов ХХ и к.з. ХХ на входе I2=0=> ток I1 =Io –мал, полагая r1≈0 Получаем r0=Рхх/Io2 cos хх=Рхх/Sхх;
Опыт к.з. на выходе U2=Uк.з. при I2=I2 ном полагая хо=0, rо=0 => r1+r2’= Рк.з./I1н2
cos кз= Рк.з/Sк.з, + =(r1+r2’)tg к.з при этом r1≈r’2; ≈
Эти параметры отражают реальные, т.к. при ключевых режимах работы СВБ –тр-р работает либо в режиме ХХ или к.з. Учет тех или иных параметров (r или s) зависист от режима работы (чаще от тока нагрузки Id)
Потери и к.п.д. тр-ра. Электрические потери. Обусловлены нагревом обмоток тр-ра при прохождении эл.тока. Рэ=Рэ1+ Рэ2= mI12 r1 +mI22 r2’ Как видно эл.потери пременные, т.к зависят от величины нагрузки
Магнитные потери. Главным образом в магнитопроводе тр-ра –причина перемагничивание магнитопровода => два вида потерь: потери от гистерезиса Рr, связанные с закрытой энергией на уничтожение остаточного магнетизма в материале магнитопровода и потери от вихревых токов Рв.т. наводимых переменным магнитным полем в пластинах магнитопровода: Рм =Рr+ Рв.т. Рr≡f Рв.т≡f2 => магнитные потери постоянны, т.е. не зависят от нагрузки тр-ра. Таким образом, активная мощность Р1 поступающая из сети в первичную обмотку тр-ра
Коэффициент нагрузки тр-ра β= I2/I2н к.п.д. cos 2-коэффициент мощности РАСЧЕТ ТР-РА 1. Фрумкин Г.Д. Расчет и конструирование радиоаппаратуры. М.В.ш. 1989г. Тр.- низкой частоты и силовые тр-ры 2. С.А. Эраносян. Сетевые блоки питания с высокочастотными преобразователями.Л.энергоатом.1991г.ВИЭП без сетевого тр-ра. 3. Расчет электромагнитных элементтов ьисточников вторичного питания.М.»Радио и связь» (А.Н.Горский, Ю.С. Русин…) 1988г. 4. Расчет тр-ров при различных напряжениях питания, расчет реакторов.
II.Силовой вентильный блок- сердце преобразователя. Отличаются схемой соединения (с о, мостовая, однополупер., двухполупер.) Основной параметр- коэффициент прпеобразования, зависит от схемы(наз.К схемы) Ксх=Ud/U2=const Обратная величина к-т фазной э.д.с. В=U2/Ud
III.Сглаживающий фильтр- для улучшения качества Ud, подавляет (фильтрует) переменную составляющую и выделяет постоянную. L-для мощных выпрямителей (I>10А) C-для маломощных (I< 10А) Полупроводниковые вентили (классификация, характеристики, терминология) Вентиль –прибор с односторонней проводимостью ВАХ-идеального вентиля(2 состояния)
ПТ используют силовые вентили (I=10-1000А) эквивалент идеального вентиля
1. Вкл. Uа=0; Iа=In 2. Выкл.Uа =Uобр.maх Iа=0
Классификация п/п
По степени управляемости - возможность перевода из одного состояния и наоборот. 1.Неуправляемые-состояние V- определяется только направлением тока (диоды) 2.С неполным управлением- момент вкл.определяется полярностью Uа и сигналом управления Iy(Uy), а момент выкл. направлением анодного тока(Iа) (тиристоры) 3.Полностью управляемые – момент включения и выкл. определяется Ua иUy (запир.тир. и тр-ры) Внутри групп классификация по применению и назначению (низко, высокочастотные, импульсные, быстродействующие, мощные и т.п.) По способу коммутации (выключения) Коммутация-процесс передачи тока с одного вентиля на другой Один вентиль открывается, другой закрывается. А) естественная коммутация- выключение V под действием переменной ЭДС приложенного напряжения сети Uc при снижении Uc→0, Ia→0 и вентиль выключается.
Б) Искусственная коммутация- выключение при снижении Ia→0 под действием э.д.с. и доп. коммутационного устройства ik≥ia (чаще заряженный Ск) При замыкании К, противоток iк снижает iа≤ i выкл ≈ 0.V выкл. В) самокоммутация (резонансная)- вариант искуственной к.
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-09-19; просмотров: 414; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.138.175.166 (0.011 с.) |