Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Выбор транзисторов мощного каскада усиления
В двухтактной схеме с двухполярным источником питания, усилительные элементы которой работают в классе В, максимальное значение напряжения U кэ max на закрытом транзисторе достигает почти полного напряжения источника питания [1, 3]. С учетом коэффициента запаса по напряжению где K 3 U =1,1…1,3; либо в случае симметричного источника питания Напряжение источника питания усилителя определяется следующим образом: где U Н max – максимальное значение напряжения на нагрузке, заданное по техническому заданию; ULm =0,5 I н L нω – максимальная величина ЭДС самоиндукции в случае активно-индуктивной нагрузки; – падение напряжения на эмиттерном сопротивлении силового транзистора; U кэ – падение напряжения на полностью открытом транзисторе. Поскольку расчет схемы еще не выполнен, полагаем тогда формула (2.2) принимает вид откуда следует Полученное в ходе расчетов значение напряжения источника питания следует округлить до ближайшего большего из номинальных напряжений: 2,4 В; 3,0 В; 6,0 В; 6,3 В; 9,0 В; 10 В; 12,5 В; 15 В; 20 В; 24 В; 27 В; 30 В; 40 В; 48 В; 60 В; 80 В; 100 В; 125 В; 150 В. Максимально возможный ток в силовой цепи выходного транзистора с учетом коэффициента запаса по току определяется соотношением где K 3 i =1,1…1,3. Максимальное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе выходного транзистора в двухтактной схеме усилителя постоянного тока класса В, как следует из разд. 1 Далее из справочника выбираются транзисторы, параметры которых удовлетворяют условиям: причем при выборе транзисторов, безусловно, должны выполняться лишь требования, относящиеся к максимально допустимому напряжению. Требования к максимально допустимым значениям тока и мощности для одного транзистора могут быть не выполнены, но только с учетом возможности параллельного соединения нескольких транзисторов. При выборе транзисторов необходимо учитывать не только выполнение условий (2.6), но и другие характеристики транзисторов: коэффициент передачи тока b; обратный ток коллекторного перехода I кб0; тепловое сопротивление переход – корпус ; частотный диапазон работы; размеры и массу транзистора и т. д. Целесообразно выбирать транзисторы, составляющие комплиментарную пару, что упрощает последующие расчеты усилителя, так как в этом случае ведется расчет только одного плеча усилительного каскада.
Осуществляя выбор транзисторов, следует избегать применения приборов с необоснованно избыточными параметрами. Так, например, при использовании мощного транзистора в маломощной схеме тепловой ток коллектора может оказаться соизмеримым с рабочим, что может привести к отказу каскада. Кроме того, при малых, по сравнению с номинальным, токах может оказаться уменьшенным коэффициент передачи тока и т.д. Параметры всех отобранных транзисторов сводятся в таблицу вида табл. 2.1, для предварительной оценки и принятия решения по окончательному выбору транзистора. Пример. Покажем выбор транзисторов для следующих исходных данных: I н = 2 А; R н = 3,5 Ом; L н = 0,001 Гн; ω = 100 Гц. Из (2.2) получаем максимальное значение ЭДС самоиндукции а затем, используя (2.3) находим В соответствии с рядом номинальных напряжений полученное значение округляем до U ИП = 9 В. Тогда из соотношений (2.1), (2.4), (2.5) получаем Таким образом, из справочных данных выбираем транзисторы КТ816А и КТ817А, удовлетворяющие условиям (2.6), паспортные данные которых приведены в табл. 2.1: Выбранные типы транзисторов представляют собой комплиментарную пару, что облегчает расчет проектируемого усилителя. При выполнении курсового проекта следует сопоставить две-три пары транзисторов, проанализировав их параметры. Таблица 2.1 Паспортные данные транзистора
Расчет площади теплоотвода
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-12-30; просмотров: 278; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.191.174.168 (0.007 с.) |