Общая характеристика проектируемого усилителя мощности

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

 

Расчет площади теплоотвода

РАСЧЕТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ

 

3.1 Выбор транзисторов предварительных каскадов усиления

Выходная цепь каждого последующего каскада многокаскадного усилителя мощности является нагрузкой предыдущего, что иллюстрируется структурой усилителя, показанной на рис. 3.1, где приняты следующие обозначения: ОУ – операционный усилитель; УК₁, …, УК _i – каскады предварительного усиления; УМ – усилитель мощности (оконечный каскад усиления).

Рис.3.1

 

Таким образом, для расчета каждого предыдущего каскада необходимо знать параметры последующего, а именно:

– максимальное значение входного тока каскада следующего за рассчитываемым, который для последнего является током нагрузки;

– входное сопротивление каскада следующего за рассчитываемым, которое для последнего является сопротивлением нагрузки.

Обычно все каскады многокаскадного усилителя запитываются от одного источника питания, следовательно, выбор транзисторов всех каскадов усиления должен производиться с учетом обязательного выполнения условия

в случае двухтактных схем при симметричном источнике питания.

Кроме того, как показано в п.2, транзисторы должны удовлетворять условиям (2.6). При этом для проверки требования к максимально допустимым значениям тока можно использовать приближенное значение тока нагрузки (входного тока последующего каскада), который в основном определяется максимальным значением тока базы последующего каскада. В результате

где N – число параллельно включенных транзисторов в одном плече каскада усиления, следующего за рассчитываемым; , – максимальное значение тока и минимальное значение коэффициента передачи тока транзистора i -го каскада усиления.

Если же в ходе расчетов ток нагрузки очередного каскада окажется меньше, чем допустимый ток нагрузки операционного усилителя, который предполагается использовать в качестве предварительного усилителя-сумматора, то необходимость во включении промежуточных каскадов усиления, построенных на транзисторах, отпадает, и компоновка принципиальной электрической схемы всего усилительного устройства на этом завершается.

Сопротивлением нагрузки (i -1)-го каскада является входное сопротивление i -го каскада, величина которого зависит от схемы соответствующего каскада усиления.

Так для оконечного каскада усиления входное сопротивление определяется в соответствии со схемой, показанной на рис.2.7. В этом случае эквивалентная расчетная схема будет иметь вид (рис.3.2), тогда входное сопротивление будет

где R _{вх VT} – входное сопротивление транзистора.

Рис.3.2

 

Поскольку при параллельном включении все транзисторы одного плеча имеют одинаковые входные сопротивления, а в эмиттерные цепи включаются одинаковые уравнительные резисторы, то

где N – число параллельно включенных транзисторов.

Пример. Допустим, что мощный каскад рассчитан, как это сделано в предыдущих примерах. При этом полагаем, что I _{н max} = 2,4 А; R _н = 3,5 Ом; R _э = 2,0 Ом; R _б = 874 Ом. В параллель включены два транзистора КТ816А (КТ817А), входное сопротивление которых R _{вх VT} = 5 Ом. Тогда ток нагрузки каскада предварительного усиления будет

а входное сопротивление

Максимальное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора, будет

Значение U _{кэ max доп.} ≥ 21 В получено в предыдущих расчетах. Тогда, исходя из условий (2.6), выбираем комплиментарную пару транзисторов, например, КТ502Б и КТ503Б, параметры которых приведены в табл.3.1

 

Каскадов усиления

 

Схемные решения промежуточных каскадов зависят от схемы включения выходного (мощного) каскада (схема с общим эмиттером или схема с общим коллектором), а также от числа каскадов, расположенных между операционным усилителем-сумматором и оконечным каскадом.

Рассмотрим типовые варианты построения промежуточных каскадов, расчет резисторов которых ведется графо-аналитически построением области допустимых значений, ограниченной прямыми, соответствующим условиям:

– достаточности входного напряжения;

– ограничения тока базы транзистора максимально допустимым значением;

– требуемого входного сопротивления каскада;

– обеспечения требуемой термостабильности;

– обеспечения требуемого тока нагрузки;

– ограничения максимально допустимого значения обратного напряжения база-эмиттер.

Вариант 1.

Схема усилительного каскада, показана на рис.3.3, где R _{н i} – входное сопротивление следующего каскада усиления; А и В – точки подключения следующего каскада, а эквивалентная расчетная схема одного плеча показана на рис.3.4.

Таблица 3.1

Паспортные данные транзистора

Параметры	Ед. изм.	Марки транзисторов и тип их проводимости
КТ502Б p-n-p	КТ503Б n-p-n	…	…
U кэ доп	В
U кэ нас (при I к = 10мА; I б = 1 мА)	В	0,6	0,6
U бэ доп	В
U бэ нас (при I к = 10мА; I б = 1 мА)	В	0,8	0,8
I к доп	А	0,15	0,15
I б доп	А	0,1	0,1
I кб0	мА	0,001	0,001
I э0	мА	-	-
P к доп	Вт	0,35	0,35
β min	-
β max	-
	^0С/Вт	-	-
	^0С/Вт	-	-
	^0С
f гр	кГц
Q 1	см^2	0,858	0,858
m	г	0,3	0,3

 

1. Условие достаточности входного напряжения, определяем, исходя из предположения, что транзистор находится в состоянии насыщения, тогда:

где K _{3 U} = 1,1÷1,3 – коэффициент запаса по напряжению; U _{вх max} = U _{вых ОУ max} – напряжение на входе усилительного каскада, соответствующее напряжению выхода операционного усилителя (из паспортных данных); U _бэ = U _{бэ нас} = 0,5÷1 В (при отсутствии справочных данных); , здесь I _{н i} – ток нагрузки усилительного каскада, соответствующий входному току следующего каскада усиления, определенному в предыдущих расчетах.

Рис.3.3

Из соотношения (3.1) следует функциональная зависимость R _б = R _б(R _э)

Рис.3.4

2. Условие ограничения тока базы транзистора допустимым значением следует из соотношения:

где I _{э max} = I _{н i}К _{3 i}, здесь К _{3 i} = 1,1÷1,3 – коэффициент запаса по току.

Тогда из (3.3) получаем

где I _{б доп} – максимально допустимое значение тока базы (из паспортных данных транзистора).

Из соотношения (3.4) следует функциональная зависимость R _б = R _б(R _э)

3. Условие требуемого входного сопротивления каскада получаем из соотношения

представив его в виде

где – входное сопротивление каскада; – входное сопротивление транзистора, определяемое по входной характеристике I _б(U _бэ), либо приближенно . Учитывая, что I _э = (β+1) I _б, приводим соотношение (3.6) к виду

где R _{вх треб} = R _{н ОУ min доп} – минимально допустимое значение сопротивления нагрузки операционного усилителя (из паспортных данных);

Из соотношения (3.7) следует функциональная зависимость R _б = R _б(R _э)

4. Условие обеспечения требуемой термостабилизации:

где R _{вн ОУ} – внутреннее сопротивление операционного усилителя (из паспортных данных), при отсутствии в паспортных данных, можно принять R _{вн ОУ} = 50 ÷ 100 Ом; m = (1¼ 2) – эмпирический поправочный коэффициент; I _эб0 – обратный ток перехода эмиттер-база; j_т – тепловой потенциал, приближенное значение которого j_т = 0,026В; I _кб0 – обратный ток перехода коллектор-база; I _эб0 – тепловой обратный ток перехода эмиттер-база; . Значения обратных токов переходов I _кб0 и I _эб0 определяются из справочной литературы, при отсутствии необходимой информации можно задать отношение токов , а методика определения обратного тока перехода коллектор-база как функции температуры и обратного напряжения подробно рассмотрена в п.2.

Учитывая приведенные выше числовые значения параметров, а также то, что b>>1, а, следовательно, , формула (3.9) может быть существенно упрощена. В результате окончательно функциональная зависимость R _б = R _б(R _э) имеет вид

5. Условие обеспечения требуемого тока в нагрузке следует из соотношения:

Где R _{н i} – сопротивление нагрузки усилительного каскада, соответствующее входному сопротивлению последующего каскада усиления, определенному в предыдущих расчетах; I _к = I _{н i} · K _{3 i}, здесь K _{3 i} = 1,1÷1,3 коэффициент запаса по току.

Из соотношения (3.11) следует функциональная зависимость R _к = R _к(R _э)

которая определяет предельно возможное значение резистора R _э при котором R _к является неотрицательным.

6. Условие ограничения значения обратного напряжения U _бэ имеет вид:

где U _{бэ max доп} – максимально допустимое значение напряжения база-эмиттер (из паспортных данных транзистора).

Из соотношения (3.13) следует ограничение на максимально допустимое значение сопротивления R _э

Таким образом, расчет сопротивлений эквивалентной схемы усилительного каскада (рис.3.3), показанной на рис.3.4, сводится к построению области допустимых значений, ограниченной неравенствами (3.2), (3.5), (3.8), (3.10), (3.12), (3.14), а также максимально допустимым значением сопротивления, стоящего в цепи базы транзистора, выбранного типа R _{б max доп}, и выбору любых значений R _б и R _э из данной области.

Пример. Проведем расчет усилительного каскада (рис.3.3) для следующих исходных данных: напряжение источника питания составляет 15В; ток нагрузки каскада (входной ток следующего каскада усиления) I _{н i} = 0,15 А; сопротивление нагрузки усилительного каскада (входное сопротивление следующего каскада) R _{н i} = 5 Ом.

В качестве усилителя-сумматора предварительно выбираем операционный усилитель К140УД9 максимальное напряжение на выходе которого U _{вых ОУ max} = 10 В; минимально допустимое значение сопротивления нагрузки R _{н ОУ min доп} = 1000 Ом. Поскольку данные о внутреннем сопротивлении микросхемы отсутствуют, то для расчетов приминаем R _внОУ = 50 Ом.

В соответствии с методикой выбора транзисторов, изложенной в п.3.1 для предварительного усилителя выбираем комплиментарную пару транзисторов КТ502Б, КТ503Б, основные параметры которых представлены в табл.3.1.

С учетом числовых значений соотношения (3.2), (3.5), (3.8), (3.10), (3.12), (3.14) принимают вид:

условие 1

условие 2

условие 3

условие 4

условие 5

условие 6

Полученные результаты представлены на рис.3.5, где номера графиков соответствуют условиям 1 – 6. Из полученной области выбираем R _б = 75 Ом; R _э = 15 Ом и соответствующее ему значение R _к = 60 Ом. Из (3.14) следует, что R _э1 ≤ 22,44 Ом, в результате принимаем R _э1 = 5 Ом, получаем R _э2 = 10 Ом.

Рис.3.5

Вариант 2.

Схема усилительного каскада, показана на рис.3.6, где R _{н i} – входное сопротивление следующего каскада усиления; А и В – точки подключения следующего каскада, а эквивалентная расчетная схема одного плеча показана на рис.3.7.

Рис.3.6

1. Условие достаточности входного напряжения определяем, исходя из предположения, что транзистор находится в состоянии насыщения, тогда:

где K _{3 U} = 1,1÷1,3 – коэффициент запаса по напряжению; U _{вх max} = U _{вых ОУ max} – напряжение на входе усилительного каскада, соответствующее напряжению выхода операционного усилителя (из паспортных данных); U _бэ = U _{бэ нас} – при отсутствии справочных данных 0,5¸1В; , здесь I _{н i}, R _{н i} – ток и сопротивление нагрузки усилительного каскада, соответствующие входному току и входному сопротивлению следующего каскада усиления, определенные в предыдущих расчетах.

Из соотношения (3.15) следует функциональная зависимость R _б = R _б(R _э)

Рис.3.7

2. Условие ограничения тока базы транзистора допустимым значением, следует из соотношения:

и имеет вид

где K _{3 i} = 1,1÷1,3 – коэффициент запаса по току; I _{б доп} – максимально допустимое значение тока базы (из паспортных данных транзистора).

Из соотношения (3.17) следует функциональная зависимость R _б = R _б(R _э)

3. Условие требуемого входного сопротивления каскада получаем из соотношения

представив его в виде

где – входное сопротивление каскада; – входное сопротивление транзистора, определяемое по входной характеристике I _б(U _бэ), либо приближенно . Учитывая, что I _{н i} = (β+1) I _б, приводим соотношение (3.19) к виду

где R _{вх треб} = R _{н ОУ min доп} – минимально допустимое значение сопротивления нагрузки операционного усилителя (из паспортных данных).

Из соотношения (3.20) следует функциональная зависимость R _б = R _б(R _э)

4. Условие обеспечения требуемой термостабилизации получается аналогично схеме каскада варианта 1 и определяется формулой:

5. Условие обеспечения требуемого тока в нагрузке следует из соотношения:

и представляется в виде следующей функциональной зависимости

6. Условие ограничения значения обратного напряжения U _бэ имеет вид:

откуда следует ограничение на максимально допустимое значение R _э

Таким образом, расчет сопротивлений усилительного каскада, показанного на рис.3.6, сводится к построению области допустимых значений, ограниченной неравенствами (3.16), (3.18), (3.21), (3.22), (3.23), (3.24), а также максимально допустимым значением сопротивления, стоящего в цепи базы транзистора, выбранного типа R _{б max доп}, и выбору любых значений R _б и R _э из данной области.

Пример. Проведем расчет усилительного каскада (рис.3.6) для следующих исходных данных: напряжение источника питания составляет 15В; ток нагрузки каскада (входной ток следующего каскада усиления) I _{н i} = 0,15 А; сопротивление нагрузки усилительного каскада (входное сопротивление следующего каскада) R _{н i} = 5 Ом.

В качестве усилителя-сумматора предварительно выбираем операционный усилитель К140УД9 максимальное напряжение на выходе которого U _{вых ОУ max} = 10 В; минимально допустимое значение сопротивления нагрузки R _{н ОУ min доп} = 1000 Ом. Поскольку данные о внутреннем сопротивлении микросхемы отсутствуют, то для расчетов приминаем R _{вн ОУ} = 50 Ом.

В соответствии с методикой выбора транзисторов, изложенной в п.3.1 для предварительного усилителя выбираем комплиментарную пару транзисторов КТ502Б, КТ503Б, основные параметры которых представлены в табл.3.1.

С учетом числовых значений соотношения (3.16), (3.18), (3.21), (3.22), (3.23), (3.25) принимают вид:

условие 1

условие 2

условие 3

т.е. условие вырождается в R _б ≥ 0;

условие 4

условие 5

условие 6

Полученные результаты представлены на рис.3.8, где номера графиков соответствуют условиям 1 – 6. Из полученной таким образом области выбираем R _б = 75 Ом; R _э = 15 Ом.

Рис.3.8

Варианты 3 и 4.

Схема усилительного каскада варианта 3, показана на рис.3.9, а варианта 4 на рис.3.10, где R _{н i} – входное сопротивление следующего каскада усиления; А и В – точки подключения следующего каскада. Эквивалентная расчетная схема одного плеча одинакова для обоих вариантов каскадов и показана на рис.3.11.

Рис.3.9

 

1. Условие достаточности входного напряжения, определяем, исходя из предположения, что транзистор находится в состоянии насыщения, тогда:

где K _{3 U} = 1,1÷1,3 – коэффициент запаса по напряжению; U _{вх max} – напряжение на входе усилительного каскада, соответствующее напряжению выхода операционного усилителя (из паспортных данных); U _бэ = U _{бэ нас} = 0,5÷1 В (при отсутствии справочных данных); I _{н i} – ток нагрузки усилительного каскада, соответствующий входному току следующего каскада усиления, определенному в предыдущих расчетах.

Следует иметь в виду, что значение U _{вх max}, используемое в формуле (3.25) зависит от схемы предыдущего каскада усиления.

 

Рис.3.10

Если каскаду (вариант 3) предшествует каскад (вариант 1), или каскаду (вариант 4) предшествует каскад (вариант 2), то

где K_U = 1,5 – коэффициент, учитывающий потери напряжения.

Если каскаду (вариант 3) предшествует каскад (вариант 4), или каскаду (вариант 4) предшествует каскад (вариант 3), то

где K_U = 1,2 – коэффициент, учитывающий потери напряжения.

Из соотношения (3.25) следует ограничение на максимально допустимое значение R _э

Рис.3.11

 

2. Условие ограничения тока базы транзистора допустимым значением следует из соотношения:

где I _э = I _б(β+1).

Тогда из (3.27) получаем

где I _{б доп} – максимально допустимое значение тока базы (из паспортных данных транзистора).

Из соотношения (3.28) следует ограничение на максимально допустимое значение R _э

3. Условие требуемого входного сопротивления каскада получаем из соотношения

где – входное сопротивление каскада; – входное сопротивление транзистора, определяемое по входной характеристике I _б(U _бэ), либо приближенно .

Из соотношения (3.30) следует функциональная зависимость R _б = R _б(R _э)

4. Условие обеспечения требуемой термостабилизации для схемы (рис.3.12) аналогично формуле (3.10). Так как рассматриваемые каскады усиления являются промежуточными, то в (3.10) надо положить R _{вн ОУ} = 0, тогда окончательно получаем функциональную зависимость R _б = R _б(R _э)

5. Условие обеспечения требуемого тока в нагрузке следует из соотношения:

где R _{н i} – сопротивление нагрузки усилительного каскада, соответствующее входному сопротивлению последующего каскада усиления, определенному в предыдущих расчетах; I _к = I _{н i} · K _{3 i}, здесь K _{3 i} = 1,1÷1,3 коэффициент запаса по току.

Из соотношения (3.33) следует функциональная зависимость R _к = R _к(R _э)

которая определяет предельно возможное значение резистора R _э при котором R _к является неотрицательным.

6. Условие ограничения значения обратного напряжения U _бэ имеет вид:

где U _{бэ max доп} – максимально допустимое значение напряжения база-эмиттер (из паспортных данных транзистора).

Из соотношения (3.35) следует ограничение на максимально допустимое значение сопротивления R _э

Таким образом, расчет сопротивлений усилительного каскада, показанного на рис.3.11, сводится к построению области допустимых значений, ограниченной неравенствами (3.26), (3.29), (3.31), (3.32), (3.34), (3.36), а также максимально допустимым значением сопротивления, стоящего в цепи базы транзистора, выбранного типа R _{б max доп}, и выбору любых значений R _б и R _э из данной области.

Пример. Проведем расчет усилительного каскада (рис.3.10) для следующих исходных данных: напряжение источника питания составляет 15В; ток нагрузки каскада (входной ток следующего каскада усиления) I _{н i} = 0,15 А; сопротивление нагрузки усилительного каскада (входное сопротивление следующего каскада) R _{н i} = 5 Ом.

В качестве усилителя-сумматора предварительно выбираем операционный усилитель К140УД9 максимальное напряжение на выходе которого U _{вых ОУ max} = 10 В; минимально допустимое значение сопротивления нагрузки R _{н ОУ min доп} = 1000 Ом. Поскольку данные о внутреннем сопротивлении микросхемы отсутствуют, то для расчетов приминаем R _{вн ОУ} = 50 Ом.

В соответствии с методикой выбора транзисторов, изложенной в п.3.1 для предварительного усилителя выбираем комплиментарную пару транзисторов КТ502Б, КТ503Б, основные параметры которых представлены в табл.3.1.

С учетом числовых значений соотношения (3.26), (3.29), (3.31), (3.32), (3.34), (3.36) принимают вид:

условие 1 (полагаем, что входным для данного является каскад вариант 1 или 2, тогда )

условие 2

условие 3

условие 4

условие 5

условие 6

 

Полученные результаты представлены на рис.3.12, где номера графиков соответствуют условиям 1 – 6. Из полученной таким образом области выбираем R _б = 75 Ом; R _э = 15 Ом и соответствующее ему значение R _к = 60 Ом.

 

 

Рис.3.12

 

Библиографический список

1. Шишлаков В. Ф. Проектирование электронных усилительных устройств систем автоматического управления: Учеб, пособие / СПбГУАП. СПб., 2005. 151с.: ил.

2. Герман О. Г., Ломов В. С. Расчет электронных устройств систем электрооборудования летательных аппаратов: Учеб, пособие / ЛЭТИ. Л., 1980. 100с.

3. Герман О. Г., Ломов В. С. Примеры расчета электронных устройств систем электрооборудования: Учеб, пособие / ЛИАП. Л., 1982. 84 с.

4. Транзисторные схемы автоматического управления. Проектирование и расчет / Под ред. Ю. И. Конева. М.: Сов. радио, 1967. 280 с.

5. Резисторы: Справочник / Под ред. И. И. Четверткова и В. М. Терехова. М.: Радиосвязь, 1987. 352 с.

6. Новаченко И. В., Юровский А. В. Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник. М.: Радио и связь, 1990. 176 с.

 

ОГЛАВЛЕНИЕ

1 Техническое задание......................................................................... 3

1.1 Общая характеристика проектируемого усилителя мощности....... 3

1.2 Этапы проектирования и исходные данные..................................... 5

2 Расчет оконечного каскада усиления, работающего в классе В...... 8

2.1 Выбор транзисторов мощного каскада усиления............................ 8

2.2 Расчет площади теплоотвода и числа параллельно включаемых транзисторов 11

2.3 Расчет величин сопротивлений уравнительных резисторов......... 27

2.4 Расчет термостабилизирующих резисторов выходного каскада.. 32

3 Расчет предварительных каскадов усиления.................................. 39

3.1 Выбор транзисторов предварительных каскадов усиления.......... 39

3.2 Расчет сопротивлений резисторов промежуточных каскадов усиления 42

3.3 Стыковка каскадов усиления многокаскадного усилителя............ 61

4 Расчет внешних цепей усилителя.................................................... 64

4.1 Расчет коэффициента усиления охватываемой части усилителя и коэффициента передачи цепи отрицательной обратной связи.......................................... 64

4.2 Расчет параметров внешних цепей усилителя с параллельной отрицательной обратной связью по напряжению............................................................... 72

4.3 Расчет требуемой точности и выбор типа резисторов................... 82

5 Принципиальная электрическая схема и основные показатели качества усилителя..................................................................................................... 88

Библиографический список......................................................................... 91

 

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

 

Общая характеристика проектируемого усилителя мощности

 

Проектируемый усилитель малой мощности предназначен для работы в составе системы автоматического управления. При этом его функции заключаются в выполнении операции суммирования сигнала входного датчика, сигналов главной и корректирующей обратных связей системы управления и усилении сигнала рассогласования по величине и мощности. Таким образом, усилитель должен включать в свой состав следующие элементы: сумматор, осуществляющий суммирование U _упр; U _кос; U _гос и определяющий сигнал рассогласования, который представляет собой входное напряжение усилителя U _вх; сумматор, осуществляющий сравнение входного напряжения усилителя U _вх с сигналом отрицательной обратной связи, охватывающей усилитель U _оос; предварительный усилитель, обеспечивающий усиление сигнала рассогласования U ^*_вх и защиту усилителя от перенапряжений. Усилитель мощности обеспечивает передачу необходимой мощности в нагрузку и защиту усилителя от перегрузок по току. Цепь отрицательной обратной связи, охватывающая усилитель в целом, обеспечивает заданную точность и стабильность характеристик усилителя. Таким образом, структурная схема проектируемого усилителя имеет вид, показанный на рис. 1.1.

Рис. 1.1

 

Требования технического задания по максимальным значениям напряжения и тока нагрузки допускают применение транзисторов в качестве мощных усилительных элементов [1,2]. Применение для этой цели тиристоров в данном случае нецелесообразно, поскольку приведет к существенному усложнению предварительного усилителя из-за необходимости формирования специальных управляющих сигналов.

Как показано в [1,2] для повышения коэффициента полезного действия усилителя и уменьшения искажений сигнала целесообразно проектировать усилитель мощности, работающий в классе B.

 

1.2 Этапы проектирования и исходные данные

 

Проектирование усилителя мощности включает в себя следующие этапы:

1. Расчет оконечного каскада усиления (выбор транзисторов мощного КУ, расчет площади теплоотвода и числа параллельно включаемых транзисторов, расчет величин сопротивлений уравнительных резисторов, расчет термостабилизирующих резисторов выходного каскада)

2. Расчет предварительных каскадов усиления (выбор транзисторов предварительных КУ, расчет сопротивлений резисторов промежуточных КУ, стыковка КУ многокаскадного усилителя)

3. Расчет внешних цепей усилителя (расчет коэффициента усиления охватываемой части усилителя и коэффициента передачи цепи отрицательной обратной связи, расчет параметров внешних цепей усилителя с параллельной отрицательной обратной связью по напряжению, расчет требуемой точности и выбор типа резисторов).

 

Исходными данными для проектирования усилителя являются:

1) параметры и характеристика нагрузки:

активное сопротивление R _н;

индуктивность L _н;

максимальный ток нагрузки I _{н max};

рабочий диапазон частоты преобразователя w_н, w_в;

2) данные источников входных сигналов:

внутреннее сопротивление датчиков сигнала управления R _упр; корректирующей обратной связи R _к.о.с и главной обратной связи R _г.о.с;

отклонение внутренних сопротивлений d R _упр= d R _к.о.с= d R _г.о.с= d R _с= 0,1;

максимально возможное напряжение (ЭДС) U _{упр max}; U _{к.о.с max}; U _{г.о.с max};

остаточное напряжение источников сигналов U _{упр.ост} =10^–5· U _упрmax; U _{к.о.сост}=10^–2· U _{к.о.с max}; U _{г.о.с ост}= 10^–5· U _{с.у max};

3) основные требования к качеству работы усилителя:

коэффициенты передачи по напряжению по сигналам управления U _упр; корректирующей обратной связи U _к.о.с и главной обратной связи U _г.о.с;

допустимые отклонения коэффициентов передачи d U _упр = d U _к.о.с= d U _г.о.с = d U _доп= 0,1÷0,2;

максимально допустимое значение дрейфа входного сигналаd U _{вых max};

входное сопротивление усилителя по каждому из трех входов R _{вх i};

4) эксплуатационные и конструктивные требования:

диапазон изменения температуры окружающей среды –60°С…+60°С;

среднее время безотказной работы 5000…10000 ч;

 

Варианты заданий на проектирование приведены в табл.1.1