Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Кафедра персональной электроники
В.Н. Горбунова Физико-химические основы технологии РЭС
Методическое пособие к курсовому проектированию
УДК 621.382 ББК 32.36 Р69-3
Горбунова В.Н. Физико-химические основы технологии РЭС. Методические указания к курсовому проектированию./В.Н.Горбунова – М.: ВНИИ-геосистем, 2010. – ххх с.: ил. ISBN хххххххххххх
Аннотация Определены цель и задачи курсового проекта, его объем и содержание. Указаны порядок выполнения и требования к его оформлению. Даны рекомендации к выполнению основных этапов курсовой работы. Предложены исходные данные для типовых технических заданий курсового проекта и контрольные задания к защите курсового проекта. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальностям: 210200 «Проектирование и технология электронных средств»
ISBN ххххххххххх ©Горбунова В.Н., 2010 Курсовой проект по физико-химическим основам технологии РЭС является завершающим этапом работы студентов над изучаемой дисциплиной. Он включает расчет режимов технологического процесса формирования биполярной структуры, а также расчет распределения примесей в кремнии при диффузионном легировании и ионной имплантации. Основная цель курсового проектирования заключается в закреплении и расширении теоретических знаний студентов, в приобретении ими навыков по решению инженерных задач. Настоящие методические указания составлены с целью дать ответы на возникающие вопросы студентов, приступающих к выполнению курсового проекта. В них приведены уравнения, справочные данные и литературные источники, пользуясь которыми студенты проводят расчеты, а также указаны последовательность и содержание этих расчетов. Оценивается курсовой проект с учетом качества выполнения, уровня защиты и степени самостоятельности при работе. Введение Практически на любом этапе производства электронных средств имеют место диффузионные процессы, протекающие в газовых, жидких и твердых фазах. Это, например, процессы жидкофазной эпитаксии, связанные с молекулярной диффузией, легирование полупроводников, зародышеобразование, химическое осаждение из газовой фазы и т.д. И даже в случае если диффузионные процессы не используются целенаправленно, они практически всегда сопутствуют другим процессам, и их необходимо принимать во внимание.
Особо важную роль диффузионные процессы играют в полупроводниковой технологии при создании p – n переходов, формировании базовых и эмиттерных областей транзисторов, областей истока и стока в МОП- структурах. При этом решаются задачи управления концентрацией легирующей примеси в подложке и обеспечения однородности легирования и воспроизводимости процесса. Для осуществления диффузии обычно полупроводниковые пластины помещают в нагретую до высокой температуры кварцевую трубу диффузионной печи. Через трубу пропускают пары легирующей примеси, которые адсорбируются на поверхности пластин и диффундируют в кристаллическую решетку полупроводника. Отличительной особенностью диффузии при изготовлении микросхем является то, что примеси вводят в полупроводниковую пластину локально в ограниченные защитной маской окна, а сам процесс осуществляют в две стадии: предварительная загонка нужного количества примеси в приповерхностный слой пластины и последующая разгонка атомов примеси на требуемую глубину до необходимого уровня концентрации. Диффузия является детально изученным методом легирования и наиболее и широко применяется на практике. В начале 60-х годов на стыке физики полупроводников и физики атомных столкновений возникло новое научно-техническое направление — ионное легирование полупроводников, имеющее большое значение для полупроводниковой электроники. Ионная имплантация-это управляемое введение атомов примеси в поверхностный слой подложки путем бомбардировки ее ионами с энергией от нескольких килоэлектрон-вольт до нескольких мегаэлектрон-вольт. Интерес к методу ионного легирования (ионно-лучевого легирования) вызван тем, что он обладает рядом существенных преимуществ по сравнению с диффузией. Метод ионной имплантации позволяет: · точно и воспроизводимо дозировать внедряемую примесь за счет контроля ионного тока пучка и времени облучения; · получать высокую точность глубины залегания p-n переходов (до 0,02 мкм)
· создавать практически любые профили распределения за счет ступенчатого легирования, т.е. изменения энергии и (или) рода легирующего элемента; · формировать скрытые легированные слои; · совмещать процесс ионной имплантации с другими эмиссионными процессами (ионно-плазменным осаждением, ионным травлением и т.д.); · создать особо чистые условия, исключающие загрязнение подложек посторонними примесями; · возможность полной автоматизации. Однако ионная имплантация имеет недостатки и ограничения: · нарушение кристаллической структуры полупроводниковых подложек, появление радиационных дефектов, для устранения которых и восстановления нарушенной структуры необходима дополнительная технологическая операция-отжиг; · трудно воспроизводимы глубокие легированные области; · оборудование ионно-лучевых установок дорого и сложно, что обусловлено необходимостью применять высокий вакуум (10-4 Па) и высокие напряжения, а также устройства препарирования примеси (испарители, ионизаторы, сепараторы). Тем не менее, именно с помощью методов ионной имплантации оказалось возможным создавать быстродействующие биполярные транзисторы СВЧ-диапазона, мощные малошумящие транзисторы с высокими воспроизводимыми параметрами, расширяются возможности современных сверхбольших интегральных схем.
Содержание и оформление курсового проекта Задание на курсовой проект Студент выполняет одно из двух представленных заданий на курсовой проект. Каждое задание состоит из десяти вариантов. Номер задания и его вариант определяется преподавателем.
Задание 1 I.Представить расчет распределения примесей в кремнии при диффузионном легировании.
1. Рассчитать и построить распределение заданной примеси в кремнии при одностадийной диффузии из источника бесконечной мощности.
2. Рассчитать и построить распределение примеси при двухстадийной диффузии той же примеси в кремнии для получения p-n перехода. 3. Расcчитать глубину залегания p-n перехода.
II. Рассчитать характеристики замедления ионов при имплантации, параметры распределения заданной примеси в кремнии используя симметричное распределение Гаусса.
1. Расcчитать глубину залегания p-n переходов. 2. Представить профиль распределения концентрации примесей. 3. Рассчитать средний полный пробег ионов заданной примеси (R), средний нормальный пробег (Rp) и среднеквадратичное отклонение пробега (ΔRp).
Задание 2 I Представить расчет режимов технологического процесса формирования биполярной структуры, полагая, что локальное легирование производиться методом диффузии. 1. Представить профиль распределения концентрации примесей в отдельных областях структуры. 2. Построить профиль суммарного распределения примесей эмиттера и базы. 3. Расcчитать глубины залегания коллекторного и эмиттерного переходов.
II. Представить расчет режимов технологического процесса формирования биполярной структуры полагая, что локальное легирование производиться методом ионной имплантации.
1. Расcчитать глубины залегания коллекторного и эмиттерного переходов. 2. Представить профиль распределения концентрации примесей в отдельных областях структуры.
3. Построить профиль суммарного распределения примесей эмиттера и базы.
Варианты заданий Таблица 1- Исходные данные
Таблица 2- Исходные данные
Срок сдачи законченной работы руководителю - декабрь 201 г. Преподаватель........................................Горбунова В.Н.
Содержание расчетно-пояснительной записки. Основное содержание пояснительной записки определяется заданием на курсовой проект. Объем пояснительной записки должен быть не менее 20 - 30 страниц печатного текста. Страницы записки нумеруются, включая страницы с рисунками и таблицами. На титульном листе номер страницы не указывается.
Текст расчетно-пояснительной записки разбивается на разделы. В оглавлении указываются номера страниц, соответствующие каждому разделу записки. Разделы и подразделы нумеруются арабскими цифрами и должны иметь краткие наименования. Расстояние между заголовком и последующим текстом должно быть равно 10 мм. между заголовком и последней строкой текста -15 мм.
Пояснительная записка должна быть оформлена в определенной последовательности. Вне зависимости от темы расчетно-пояснительная записка должна содержать: - титульный лист: - задание на проектирование: - оглавление: - введение: - описание механизма, принципов и основных характеристик технологического процесса: - выбор схемы и параметров процесса: - расчет технологических параметров и графическое представление результатов - заключение: - список использованной литературы.
Введение. В данном разделе кратко отмечаются место и роль того или иного физико-химического процесса в технологии электронных средств, выделяется проблема, которой посвящен курсовой проект, важность и актуальность ее решения, формируется задача исследований, обосновываются пути ее решения.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-01; просмотров: 201; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.139.107.241 (0.029 с.) |