Институт системного анализа и управления

Общества и человека «Дубна»

 

Институт системного анализа и управления

Кафедра персональной электроники

 

 

 

В.Н. Горбунова

Физико-химические основы технологии РЭС

 

 

Методическое пособие к курсовому проектированию

 

 

Дубна, 2010

 

 

УДК 621.382

ББК 32.36

Р69-3

 

 

Горбунова В.Н.

Физико-химические основы технологии РЭС. Методические указания к курсовому проектированию./В.Н.Горбунова – М.: ВНИИ-геосистем, 2010. – ххх с.: ил.

ISBN хххххххххххх

 

Аннотация

Определены цель и задачи курсового проекта, его объем и содержание. Указаны порядок выполнения и требования к его оформлению. Даны рекомендации к выполнению основных этапов курсовой работы. Предложены исходные данные для типовых технических заданий курсового проекта и контрольные задания к защите курсового проекта.

Пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальностям: 210200 «Проектирование и технология электронных средств»

 

 

ISBN ххххххххххх ©Горбунова В.Н., 2010

Курсовой проект по физико-химическим основам технологии РЭС является завершающим этапом работы студентов над изучаемой дисциплиной. Он включает расчет режимов технологического процесса формирования биполярной структуры, а также расчет распределения примесей в кремнии при диффузионном легировании и ионной имплантации.

Основная цель курсового проектирования заключается в закреплении и расширении теоретических знаний студентов, в приобретении ими навыков по решению инженерных задач.

Настоящие методические указания составлены с целью дать ответы на возникающие вопросы студентов, приступающих к выполнению курсового проекта. В них приведены уравнения, справочные данные и литературные источники, пользуясь которыми студенты проводят расчеты, а также указаны последовательность и содержание этих расчетов.

Оценивается курсовой проект с учетом качества выполнения, уровня защиты и степени самостоятельности при работе.

Введение

Практически на любом этапе производства электронных средств имеют место диффузионные процессы, протекающие в газовых, жидких и твердых фазах. Это, например, процессы жидкофазной эпитаксии, связанные с молекулярной диффузией, легирование полупроводников, зародышеобразование, химическое осаждение из газовой фазы и т.д. И даже в случае если диффузионные процессы не используются целенаправленно, они практически всегда сопутствуют другим процессам, и их необходимо принимать во внимание.

Особо важную роль диффузионные процессы играют в полупроводниковой технологии при создании p – n переходов, формировании базовых и эмиттерных областей транзисторов, областей истока и стока в МОП- структурах. При этом решаются задачи управления концентрацией легирующей примеси в подложке и обеспечения однородности легирования и воспроизводимости процесса.

Для осуществления диффузии обычно полупроводниковые пластины помещают в нагретую до высокой температуры кварцевую трубу диффузионной печи. Через трубу пропускают пары легирующей примеси, которые адсорбируются на поверхности пластин и диффундируют в кристаллическую решетку полупроводника.

Отличительной особенностью диффузии при изготовлении микросхем является то, что примеси вводят в полупроводниковую пластину локально в ограниченные защитной маской окна, а сам процесс осуществляют в две стадии: предварительная загонка нужного количества примеси в приповерхностный слой пластины и последующая разгонка атомов примеси на требуемую глубину до необходимого уровня концентрации.

Диффузия является детально изученным методом легирования и наиболее и широко применяется на практике.

В начале 60-х годов на стыке физики полупроводников и физики атомных столкновений возникло новое научно-техническое направление — ионное легирование полупроводников, имеющее большое значение для полупроводниковой электроники.

Ионная имплантация-это управляемое введение атомов примеси в поверхностный слой подложки путем бомбардировки ее ионами с энергией от нескольких килоэлектрон-вольт до нескольких мегаэлектрон-вольт.

Интерес к методу ионного легирования (ионно-лучевого легирования) вызван тем, что он обладает рядом существенных преимуществ по сравнению с диффузией.

Метод ионной имплантации позволяет:

· точно и воспроизводимо дозировать внедряемую примесь за счет контроля ионного тока пучка и времени облучения;

· получать высокую точность глубины залегания p-n переходов (до 0,02 мкм)

· создавать практически любые профили распределения за счет ступенчатого легирования, т.е. изменения энергии и (или) рода легирующего элемента;

· формировать скрытые легированные слои;

· совмещать процесс ионной имплантации с другими эмиссионными процессами (ионно-плазменным осаждением, ионным травлением и т.д.);

· создать особо чистые условия, исключающие загрязнение подложек посторонними примесями;

· возможность полной автоматизации.

Однако ионная имплантация имеет недостатки и ограничения:

· нарушение кристаллической структуры полупроводниковых подложек, появление радиационных дефектов, для устранения которых и восстановления нарушенной структуры необходима дополнительная технологическая операция-отжиг;

· трудно воспроизводимы глубокие легированные области;

· оборудование ионно-лучевых установок дорого и сложно, что обусловлено необходимостью применять высокий вакуум (10-4 Па) и высокие напряжения, а также устройства препарирования примеси (испарители, ионизаторы, сепараторы).

Тем не менее, именно с помощью методов ионной имплантации оказалось возможным создавать быстродействующие биполярные транзисторы СВЧ-диапазона, мощные малошумящие транзисторы с высокими воспроизводимыми параметрами, расширяются возможности современных сверхбольших интегральных схем.

 

 

Содержание и оформление курсового проекта

Задание на курсовой проект

Студент выполняет одно из двух представленных заданий на курсовой проект. Каждое задание состоит из десяти вариантов. Номер задания и его вариант определяется преподавателем.

 

Задание 1

I.Представить расчет распределения примесей в кремнии при диффузионном легировании.

 

1. Рассчитать и построить распределение заданной примеси в кремнии при одностадийной диффузии из источника бесконечной мощности.

 

2. Рассчитать и построить распределение примеси при двухстадийной диффузии той же примеси в кремнии для получения p-n перехода.

3. Расcчитать глубину залегания p-n перехода.

 

II. Рассчитать характеристики замедления ионов при имплантации, параметры распределения заданной примеси в кремнии используя симметричное распределение Гаусса.

 

1. Расcчитать глубину залегания p-n переходов.

2. Представить профиль распределения концентрации примесей.

3. Рассчитать средний полный пробег ионов заданной примеси (R),

средний нормальный пробег (R_p) и среднеквадратичное отклонение пробега (ΔR_p).

 

Задание 2

I Представить расчет режимов технологического процесса формирования биполярной структуры, полагая, что локальное легирование производиться методом диффузии.

1. Представить профиль распределения концентрации примесей в отдельных областях структуры.

2. Построить профиль суммарного распределения примесей эмиттера и базы.

3. Расcчитать глубины залегания коллекторного и эмиттерного переходов.

 

II. Представить расчет режимов технологического процесса формирования биполярной структуры полагая, что локальное легирование производиться методом ионной имплантации.

 

1. Расcчитать глубины залегания коллекторного и эмиттерного переходов.

2. Представить профиль распределения концентрации примесей в отдельных областях структуры.

3. Построить профиль суммарного распределения примесей эмиттера и базы.

 

Варианты заданий

Таблица 1- Исходные данные

 

Вариант		Эмиттер			База			Коллектор
	Примесь	ТДИФ, ^0С	t мин	Примесь	N см^-^2	ТДИФ, ^0С	t час	Cв, см ^-3
	As			B	5ּ10^1^4			1,5ּ10^16
	B			As	10^1^4			10^15
	P			B	5ּ10^15			10^15
	B			P	10^12			10^16
	Sb			B	5ּ10^15		1,5	10^17
	B			Sb	10^13		1,5	10^16
	As			Ga	5ּ10^12		1,5	10^15
	P			Ga	10^12			10^15
	As			B	5ּ10^1^4			10^1^5
	P			B	5ּ10^15			10^1^6
	B			As	5ּ10^1^3			1.5 ּ 10^15
	Al			Bi	5ּ10^13			10^1^6
	Bi			In	5ּ10^1^3			10^1^4
	Sb			Al	5ּ10^1^4			10^15
	As			B	5ּ10^1^5			10^1^7

 

Таблица 2- Исходные данные

 

 

Вариант	Эмиттер			База	Коллектор
	Примесь	E кэВ	N, см^-2	Примесь	E кэВ	N, см^-2	Cв, см ^-3
	^11B^+		10^1^5	^31P^+		5ּ10^13	10^16
	^31P^+		10^14	^11B^+		10^12	10^1^5
	^75As^+		10^16	^11B^+		10^14	10^1^7
	^11B^+		10^1^5	^14N^+		10^13	10^1^6
	^31P^+		10^14	^27Al^+		5ּ10^12	10^1^5
	^75As^+		10^1^5	^70Ga^+		5ּ10^13	10^16
	^115In^+		10^16	^122Sb^+		10^14	10^1^7
	^27Al^+		10^1^5	^11B^+		5ּ10^13	10^16
	^11B^+		10^1^5	^31P^+		10^13	10^1^5
	^122Sb^+		10^14	^11B^+		5ּ10^12	10^1^5
	^75As^+		10^16	^11B^+		10^14	10^1^7
	^14N^+		10^15	^27Al^+		5ּ10^13	10^16
	^14N^+		10^16	^11B^+		10^14	10^16
	^70Ga^+		10^15	^14N^+		5ּ10^13	10^16
	^122Sb^+		10^14	^27Al^+		5ּ10^12	10^1^5

 

 

Срок сдачи законченной работы руководителю - декабрь 201 г.

Преподаватель........................................Горбунова В.Н.

 

Содержание расчетно-пояснительной записки.

Основное содержание пояснительной записки определяется заданием на курсовой проект. Объем пояснительной записки должен быть не менее 20 - 30 страниц печатного текста. Страницы записки нумеруются, включая страницы с рисунками и таблицами. На титульном листе номер страницы не указывается.

 

Текст расчетно-пояснительной записки разбивается на разделы. В оглавлении указываются номера страниц, соответствующие каждому разделу записки. Разделы и подразделы нумеруются арабскими цифрами и должны иметь краткие наименования. Расстояние между заголовком и последующим текстом должно быть равно 10 мм. между заголовком и последней строкой текста -15 мм.

 

Пояснительная записка должна быть оформлена в определенной последовательности. Вне зависимости от темы расчетно-пояснительная записка должна содержать:

- титульный лист:

- задание на проектирование:

- оглавление:

- введение:

- описание механизма, принципов и основных характеристик технологического процесса:

- выбор схемы и параметров процесса:

- расчет технологических параметров и графическое представление результатов

- заключение:

- список использованной литературы.

 

Введение. В данном разделе кратко отмечаются место и роль того или иного физико-химического процесса в технологии электронных средств, выделяется проблема, которой посвящен курсовой проект, важность и актуальность ее решения, формируется задача исследований, обосновываются пути ее решения.

 

Диффузионное легирование

Диффузия легирующих примесей в полупроводниковые кристаллы вошла в промышленное производство в 60-е годы и до сих пор является основным технологическим методом создания электрически гетерогенных структур при изготовлении различных типов полупроводниковых приборов и ИМС.

 

Диффузионное легирование основано на использовании известного явления диффузии проникновении атомов одного вещества в другие через границу контакта тел в результате теплового движения атомов. Движущей силой диффузии является градиент концентрации атомов вещества. Чем больше градиент концентрации, тем интенсивнее диффузия.

 

При диффузионном легировании полупроводниковых материалов атомы примеси внедряются в кристаллическую решетку полупроводника с образованием области с противоположным типом проводимости и обеспечения заданного p-n -перехода. Диффузия, как и процессы электропроводности и теплопроводности, относится к явлениям переноса. Перенос вещества при диффузии обусловлен тепловым направленным движением атомов. Такое направленное движение возникает при наличии градиента концентрации данного вещества. Диффузия используется для введения в полупроводник некоторого заданного количества легирующей примеси. Примесные атомы могут располагается в кремнии в узлах кристаллической решетки, замещая основные атомы, и между основными атомами (междоузельные примеси). Соответственно и перемещение атомов примеси может происходить по двум механизмам: вдоль дефектов кристаллической решетки (вакансиям) и по междоузлиям. При высокой температуре (~1000 ^оС) наблюдается активация процесса диффузии. При диффузии по первому механизму после охлаждения кристалла вакансии исчезают, а примесные атомы, занимающие узлы кристаллической решетки, фиксируются. При диффузии по второму механизму после охлаждения кристалла междоузельные атомы могут вернуться в узлы, замещая основные атомы, и стать электрически активными.

Законы диффузии

Закономерности диффузионных процессов в газах и жидких растворах были исследованы в конце XIX века швейцарским ученым Фиком. Законы диффузии выведены из из­вестного положения о том, что атомы вещества перемещаются из области с высокой концентрацией в область с более низкой кон­центрацией.

 

Первое уравнение (первый закон Фика) записывается следующим образом:

(1)

,

где J - плотность потока диффундирующего вещества, т.е. количество вещества, проходящего за единицу времени через единичную площадь поверхности, перпендикулярной направлению переноса вещества;

С - концентрация атомов примеси.

D - коэффициент диффузии- является мерой скорости выравнивания градиента концентрации. Размерность коэффициента диффузии – м²/с.

 

Физический смысл этого уравнения — первопричиной диффузионного массопереноса вещества является градиент его концентрации. Скорость переноса пропорциональна градиенту концентрации.

Знак минус в правой части указывает на то, что диффузия происходит в направлении убывания концентрации.

Диффузия идет благодаря стремлению системы достичь физико-химического равновесия. Процесс будет продолжаться до тех пор, пока химические потенциалы компонентов всей системы не станут равными.

Уравнение описывает стационарный (установившийся) процесс - процесс, параметры которого не зависят от времени.

Когда концентрация вещества изменяется только в одном направлении (одномерная диффузия) и при диффузии в изотропной среде первое уравнения Фика имеет следующий вид:

(5)

(2)

Второе уравнение диффузии (второй закон Фика) получается путем сочетания первого закона и принципа сохранения вещества, согласно которому изменение концентрации вещества в данном объеме должно быть равно разности потоков этого вещества на входе в объем и выходе из него.

(3)

Для одномерной диффузии в изотропной среде уравнение можно записать:

(4)

Второй закон Фика характеризует процесс изменения концентрации диффундирующей примеси во времени в различных точках среды и является математической моделью нестационарного (развивающегося) состояния системы (описывает период времени от начала процесса до установления стационарного состояния).

При постоянстве коэффициента диффузии D (независимости его от концентрации примеси) уравнение упрощается

(5)

Процессы диффузии, используемые для изготовления интегральных структур, обычно анализируются с помощью частных решений уравнения второго закона Фика т.к., в отличие от первого закона Фика, именно оно содержит важный параметр - время установления некоторого анализируемого состояния системы.

Основная цель решения уравнения - найти распределение примеси С(x,t) в полупроводнике после диффузии в течение определенного времени t при различных условиях осуществления процесса.

 

Длина пробега ионов

Глубина проникновения нона в вещество характеризуется пробегом. Траектории отдельных ионов в кристалле подобны ломаным линиям, каждый прямолинейный участок и полная длина которых отличаются друг от друга. Вся совокупность пробегов отдельных ионов группируется по закону нормального распределения случайной величины со значением среднего полного пробега R и среднеквадратичным отклонением пробега ∆R. Практическую важность имеет средний нормальный пробег R_p — проекция траектории среднего полного пробега на направление первоначальной скорости иона и его среднеквадратич­ное отклонение ∆R_р.

 

Длинна пробега внедренных ионов:

R – средний полный пробег;

R_р –средний нормальный пробег

К механизмам потери энергии внедряемыми ионами можно отнести взаимодействие между внедряемыми ионами и электронами мишени (неупругие столкновения), а также упругие столкновения внедряемых ионов с ядрами атомов мишени. Если энергия ионов относительно мала, они теряют ее при упругом столкновении с ядрами мишени, а если энергия велика – при взаимодействии с электронами. С увеличением массы внедряемых ионов потери энергии за счет столкновений с ядрами возрастают.

Для расчета среднего полного пробега R (см) иона с энергией Е (эВ) используют формулы, в которых энергия и пробег выражены в безразмерных единицах ε и ρ соответст­венно:

Параметры распределения пробегов R_p и ∆R_p зависят от энергии ионов Е, а также от эффективного диаметра атома примеси (иначе говоря от порядкового номера z в периодической системе элементов). Чем выше Е и меньше z, тем больше R_p и ∆R_p.

На практике очень сложно обеспечить необходимую точность ориентирования. В результате имеет место неориентированное внедрение, когда падение ионов происходит под углом больше «критического».

Периодичность решетки кристалла не сказывается, ионы движутся хаотично и теряют свою энергию при взаимодействии с атомами решетки, характер распределения концентрации ионов примеси описывается функцией Гаусса:

где: N – доза облучения (ион/м2) и определяется как:

N = jt/ne

j –плотность ионного тока, А/м2; t -длительность облучения,

час; n -(1-3) кратность ионизации иона; e - заряд электрона.

 

Пример выполнения курсового проекта

Введение

Историческая справка. Объем исследований по физике твердого тела нарастал с 1930-х годов, а в 1948 было сообщено об изобретении транзистора. За созданием транзистора последовал необычайный расцвет науки и техники. Был дан толчок исследованиям в области выращивания кристаллов, диффузии в твердом теле, физики поверхности и во многих других областях. Были разработаны разные типы транзисторов, среди которых можно назвать точечный германиевый и кремниевый с выращенными переходами, полевой транзистор (ПТ) и транзистор со структурой металл – оксид – полупроводник (МОП-транзистор). Были созданы также устройства на основе интерметаллических соединений элементов третьего и пятого столбцов периодической системы Менделеева; примером может служить арсенид галлия. Широко применяются такие разновидности транзистора, как триодные тиристоры, денисторы, синисторы, которые играют важную роль в технике коммутации и регулировании сильных токов.

В 1954 было произведено более 1 млн. транзисторов. Сейчас эту цифру невозможно даже указать. Первоначально транзисторы стоили очень дорого. Сегодня транзисторные устройства для обработки сигнала можно купить дешевле.

Без транзисторов не обходится не одно предприятие, которое выпускает электронику. На транзисторах основана вся современная электроника. Их широко применяют в теле, радио и компьютерных аппаратурах.

Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя p-n-переходами. В простейшем случае транзисторы состоят из кристалла германия и двух клем (эмиттер и коллектор), касающихся поверхности кристалла на расстоянии 20-50 микронов друг от друга. Каждая клема образует с кристаллом обычный выпрямительный контакт с проводимостью от клемы к кристаллу. Если между эмиттером и базой подать прямое смещение, а между коллектором и базой - обратное, то оказывается, что величина тока коллектора находится в прямой зависимости от величины тока эмиттера.

Плоскостной транзистор состоит из кристалла полупроводника (германия, кремния, арсенида, индия, астата, и др.), имеющего три слоя различной проводимости p и n. Проводимость типа p создаётся избыточными носителями положительных зарядов, так называемыми "дырками", образующиеся в случае недостатка электронов в слое. В слое типа n проводимость осуществляется избыточными электронами.

Таким образом, возможны два типа плоскостных транзисторов: p-n-p, в котором два слоя типа p (например, германия) разделены слоем n, и n-p-n, в котором два слоя типа n разделены слоем типа p.

Из транзисторов можно составить схемы различных назначений. Например, можно собрать усилители тока, мощности, усилители звуковых частот, декодеры аудио, видео, теле-радио сигналов, а также простейшие логические схемы, основанные на принципе и-или-не.

 

Исходные данные

Таблица 1

 

Вариант	Эмиттер	База	Коллектор
	Примесь	ТДИФ, ^0С	t час	Примесь	N см^-^2	ТДИФ, ^0С	t час	Cв, см ^-3

 

Таблица 2

 

Вариант	Эмиттер	База	Коллектор
	Примесь	E кэВ	N, см^-2	Примесь	N, см^-2	E кэВ	Cв, см ^-3

 

 

Часть вторая

Метод ионной имплантации

В начале 60-х годов на стыке физики полупроводников и физики атомных столкновений возникло новое научно-техническое направление — ионное легирование полупроводников, имеющее большое значение для полупроводниковой электроники.

Ионной имплантацией называется процесс внедрения в мишень ионизованных атомов с энергией, достаточной для проникновения в ее приповерхностные области. Успешное применение ионной имплантации определяется главным образом возможностью предсказания и управления электрическими и механическими свойствами формируемых элементов при заданных условиях имплантирования.

Наиболее распространенным применением ИИ в технологии формирования СБИС является процесс ионного легирования кремния. Часто приходится проводить имплантацию атомов в подложку, которая покрыта одним или несколькими слоями различных материалов. Ими могут быть как тонкие слои тяжелых металлов (например, Та или TaSi₂), так и диэлектриков. Существование многослойной структуры способно вызвать резкие перепады в профиле легирования на границе отдельных слоев. За счет столкновения ионов с атомами приповерхностных слоев последние могут быть выбиты в более глубокие области легируемого материала. Такие "осколочные эффекты" способны вызвать ухудшение электрических характеристик готовых приборов.

Во многих случаях для получения необходимого профиля распределения легирующей примеси в подложке применяют метод, основанный на предварительной загонке ионов с их последующей термической разгонкой в мишени. При этом имплантация проводится с малой энергией ионов.

Общая траектория движения иона называется длиной пробега R, а расстояние, проходимое внедряемым ионом до остановки в направлении, перпендикулярном к поверхности мишени, проецированной длиной пробега Rp.

При интенсивной бомбардировке на ионную имплантацию влияет катодное распыление (разрушение поверхности твердого тела при бомбардировке его ионами) мишени, а также диффузия внедрённых ионов и их выделение с поверхности. Существует максимально возможная концентрация внедрённых ионов, которая зависит от вида иона и мишени, а также от температуры мишени.

Ионная имплантация наиболее широко используется при введении примесей в полупроводниковые монокристаллы для создания требуемой примесной электропроводности полупроводника. Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся дефектов в кристалле, а также для того, чтобы внедрённые ионы заняли определённые места в узлах кристаллической решётки. Ионная имплантация позволяет вводить в разные полупроводниковые материалы точно дозированные количества почти любых химических элементов. При этом можно управлять распределением внедрённых ионов по глубине путём изменения энергии ионов, интенсивности и направления ионного пучка относительно кристаллографических осей. Ионная имплантация позволяет создать в полупроводниковом кристалле электронно-дырочный переход на малой глубине, что увеличивает, например, предельную частоту транзисторов.

Одно из преимуществ метода ионного легирования — его универсаль­ность. Используя пучки ускоренных ионов в установках типа обычного масс-спектрометра, можно вводить любую примесь (если необходимо — изотопно чистую) в любой кристалл.

Процесс облучения кристаллов осуществляется практически при ком­натной температуре. Однако после ионного легирования образцы прихо­дится отжигать для устранения радиационных дефектов, возникающих под действием ионной бомбардировки. Вопрос о радиационных дефектах имеет принципиальное значение для ионного легирования полупроводников. Уже первые эксперименты с ионными пучками показали, что возможности практического применения нового метода в каждом конкрет­ном случае будут зависеть от того, удастся ли восстановить упорядочен­ную структуру решетки после ионной бомбардировки.

 

Расчет профилей распределения концентрации внедренных примесей в структурах с двойной имплантацией

Для создания транзистора типа n-р-n в эпитаксиальный слой с электропроводностью n-типа производят последовательную имплантацию ионов акцепторной примеси с энергией E_а и дозой N_а для формирования базовой области и ионов донорной примеси с энергией Е_д, и дозой N_д, для формирования эмиттера, причем R_pa>R_pд, а С_{max a} < C_{max д}. Суммарное распределение примеси описывается выражением

Глубину залегания коллекторного перехода определяем из условия

 

Откуда , где

Глубину залегания эммитерного перехода определяем из условия

Откуда , где , ,

Или

 

Расчет технологических параметров для метода ионной имплантации

 

Воспользовавшись формулами, приведенными выше, рассчитаем глубины залегания коллекторного и эмиттерного переходов.

Недостающие значения возьмем из таблицы:

Проективный пробег и дисперсия проективного пробега некоторых элементов в кремнии, нм
Элемент	E, кэВ
B	Rp	78,4		243,8	323,8	397,7	468,8	537,4		665,4	725,3
	D Rp	32,1	53,8	70,8	83,9	93,9	102,5	109,8		121,3	125,9
P	Rp			73,2		123,3	149,1	175,2	201,4	227,7	253,8
	D Rp	9,4	16,4	23,1	29,5	35,4	41,1	46,6	51,8	56,6
As	Rp	15,9	27,1	37,7	48,1	58,4	68,6	78,9	89,1	99,5	110,1
	D Rp	3,7	6,2	8,4	10,5	12,5	14,5	16,3	18,2		21,9
Sb	Rp		22,9	30,8	38,4	45,7	52,8	59,9	66,9	73,9	80,9
	D Rp	2,4	3,8	5,1	6,3	7,4	8,4	9,5	10,5	11,5	12,5

 

И получим, что

Таблица 4-Распределение примесей в транзисторной структуре