Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Оперативные запоминающие устройства
Оперативные запоминающие устройства на электрических схемах обозначаются RAM (Random Access Memory). В ОЗУ коды в соответствии с решаемыми задачами постоянно изменяются и полностью пропадают при выключении питания. ОЗУ подразделяются на статическую SRAM, динамическую DRAM и регистровую память RG. ВОЗУ статического типа SRAM в качестве элементов памяти используются простейшие RS - или D -триггеры. Такие ОЗУ характеризуются весьма высоким быстродействием и используются в наиболее «узких» местах микропроцессорной системы, например в сверхоперативной памяти при кратковременном хранении промежуточных результатов, в различных регистрах, кэш-памяти и т.п. Статическая память может быть синхронной и асинхронной. В асинхронной памяти выдача и прием информации определяется подачей комбинационных сигналов. В синхронной памяти выдача и прием информации тактируется. В ОЗУ динамического типа DRAM в качестве элемента памяти используется микроконденсатор в интегральном исполнении, размеры которого значительно меньше D-триггера статической памяти. По этой причине при одинаковых размерах кристалла информационная емкость DRAM выше, чем SRAM. При этом число адресных входов и габариты должны увеличиться. Чтобы не допустить этого, адресные линии внутри микросхемы разбиваются на две группы, например старшая и младшая половина. Две одноименные k -линии каждой группы подключаются к двум выходам внутреннего k -го демультиплексора 1 в 2, а его вход соединяется с k -м адресным входом микросхемы. Число адресных входов, при этом уменьшается в два раза, но зато передача адреса в микросхему производится, во-первых, в два приема, что несколько уменьшает быстродействие, и, во-вторых, требуется дополнительный внешний мультиплексор адреса. В процессе хранения бита конденсатор разряжается. Чтобы этого не допустить, заряд необходимо поддерживать (обеспечивать регенерацию хранимой информации). Запоминающая ячейка динамического типа хранит информацию в виде заряда емкости. Ток утечки обратносмещенного p–n -пе-рехода составляет не более 0,1 нA, а емкость – 0,1..0,2 пФ, следовательно, постоянная времени разряда – более 1 мс. Поэтому через каждые 1..2 мс требуется производить подзаряд емкостей запоминающих элементов – регенерацию динамической памяти.
В динамических ОЗУ чаще используется так называемая «строчная регенерация», при которой в одном цикле регенерируются все элементы, расположенные в одной строке прямоугольной матрицы накопителя. Любое обращение к запоминающей ячейке (запись или чтение) регенерирует ее и одновременно регенерирует все ячейки, расположенные в той же строке накопителя. Для регенерации накопителя достаточно провести обращение только к последовательным строкам – каждый цикл обращения для регенерации может состоять только из передачи адреса строки, поэтому для полной регенерации накопителя объемом 16 K (матрица 128 ´ 128) достаточно 128 тактов. Накопители большего объема реализуют на неквадратных матрицах, чтобы уменьшить число строк и сократить время регенерации. Так, накопитель объемом 64 K имеет матрицу 128 ´ 512. Динамическая память может быть синхронной и асинхронной. В асинхронной памяти выдача и прием информации определяется подачей комбинационных сигналов. В синхронной памяти выдача и прием информации тактируется. Все DRAM имеют несколько режимов работы: режим чтения/записи, страничный режим чтения/записи, режим регенерации. Динамическое ОЗУ отличается от статического мультиплексированием адресных входов, необходимостью регенерации хранимой информации, повышенной емкостью (до нескольких Мбит), более сложной схемой управления, меньшим быстродействием. Для повышения быстродействия памяти в последнее время на одном кристалле вместе с большой по объему динамической памятью DRAM размещают небольшую по объему статическую память SRAM. Такие микросхемы SDRAM, имеющие на одном кристалле 4 Мбайт DRAM и всего 16 Кбайт SRAM, выпускают фирмы «Samsung», «Ramtron» и другие.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-05-12; просмотров: 37; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.223.159.195 (0.005 с.) |