Постоянные запоминающие устройства

Постоянные запоминающие устройства на электрических схемах обозначаются буквами ROM ( Read Only Memory). Они могут быть:

– масочными (ROM) – запрограммированными на заводе изготовителе;

– однократно программируемыми пользователем (PROM);

– многократно программируемыми пользователем (репрограммируемыми РПЗУ) с ультрафиолетовым стиранием EPROM или c электрическим стиранием EEPROM;

– и в виде так называемой флэш-памяти (Flash).

Широкое распространение нашли также программируемые логические матрицы и устройства PLM, PML, PLA, PAL, PLD, FPGA и т.д. с большим выбором логических элементов и устройств на одном кристалле.

В ПЗУ хранятся управляющие работой ЭВМ стандартные программы, константы, таблицы символов и другая информация, которая сохраняется и при выключении компьютера.

Масочные ПЗУ (ROM) получают в заводских условиях с помощью специальных масок, задающих способ соединения отдельных элементов памяти на общем полупроводниковом кристалле. В дальнейшем изменить записанную таким способом программу нельзя.

Однократно программируемое ПЗУ (OTP,PROM) имеет набор плавких перемычек, которые в процессе программирования  пережигаются импульсами тока.

РепрограммируемоеПЗУ (EPROM, EEPROM) допускают многократное, до сотен тысяч циклов, перепрограммирования на рабочем месте пользователя. Это свойство обеспечивается применением элементов памяти (ЭП) на МОП-транзисторах с плавающим затвором (толщина изоляции плавающего затвора порядка 200 нм). Информация считается стертой, если на выходах всех ЭП высокий уровень сигнала. В режиме программирования на выбранный по адресной шине ЭП, куда необходимо записать ноль, подается импульс. Стирание осуществляется ультрафиолетовым излучением либо электрическим сигналом. При этом все ячейки переводятся в состояние 1. Записанная информация сохраняется в течение нескольких лет.

Флэш-память основана на применении МНОП-транзисторов с комбинированной нитридно-оксидной изоляцией затвора.

У этих транзисторов под затвором помещен еще так называемый плавающий затвор (из электрически изолированного поликремния), позволяющий хранить заряд в виде электронов. Количество заряда определяет работу этого транзистора. И это различие в поведении определяет состояние ячейки: наличие заряда на транзисторе понимается как логический 0, а его отсутствие – как логическая 1. Использование только одного транзистора для хранения одного бита ведет к уменьшению площади памяти (и значит, к уменьшению цены) по сравнению с типами памяти хранящейся на нескольких транзисторах (например SRAM). Операция программирования (заряд плавающего затвора) создает поток электронов между истоком и стоком транзистора. Часть этих электронов набирает достаточное количество энергии, чтобы преодолеть барьер Si-SiO2 и оказаться запертой на плавающем затворе. Если заряд плавающего затвора у однобитного транзистора меньше 5000 электронов, то это означает, что ячейка хранит логическую 1, а если заряд больше 30000 электронов, то – 0. Заряд ячейки вызывает изменение порогового напряжения транзистора, и при операции чтения измеряется величина этого порогового напряжения, а по нему определяется количество заряда на плавающем затворе. Возможность сохранять заряд на ячейке дает возможность сохранять несколько бит на одной ячейке. Flash-ячейка является, по существу, аналоговым запоминающим устройством, а не цифровым. Она хранит заряд (квантизованый с точностью до одного электрона), а не биты. Поэтому, используя контролируемый метод программирования, на плавающий затвор можно поместить точное количество заряда. Есть возможность устанавливать заряд в одно из четырех состояний, поэтому можно запрограммировать два бита данных на одной ячейке. Каждое из четырех состояний соответствует одному из двухбитных наборов.

    Разработка флэш-памяти явилась наивысшим достижением развития схемотехники полупроводниковых программируемых ЗУ. По типу запоминающих элементов флэш-память подобна памяти типа EEPROM с электрическим стиранием, но имеет ряд особенностей. В схемах флэш-памяти не предусмотрено стирание отдельных слов, стирание информации осуществляется либо для всей памяти одновременно, либо для достаточно больших блоков. Одновременное стирание всей информации ЗУ реализуется наиболее просто, но имеет один недостаток. При замене даже одного слова необходимо перезаписывать всю информацию. Поэтому наряду со схемами с одновременным стиранием всей информации имеются схемы с блочной структурой с размером блока от 256 байт до 128 Кбайт. Двумя основными направлениями эффективного использования флэш-памяти являются хранение редко изменяемых данных и замена памяти на магнитных дисках. Для первого направления используется флэш-память с адресным доступом, а для второго – файловая память.

      Флэш-память с адресным доступом. Микросхемы этого типа могут осуществлять одновременное стирание как всей информации, так и отдельных блоков. Запись и стирание информации осу­ществляет не программатор, а сам процессор вычислительного устройства в обычном рабочем режиме. Для этого флэш-память имеет дополнительное управлениесловами-командами, записывае­мымипроцессором в специальный регистр микросхемы. При подаче специального напряжения программирования схема обеспечивает запись и стирание информации, а при его отсутствии работает как обычная микросхема ПЗУ. Перед программированием процессор считывает из микросхемы код – идентификатор, содержащий код фирмы-изготовителя и микросхемы. Эти сведения позволяют согласовать алгоритмы стирания и записи, что производится автоматически.

В режиме программирования работа микросхемы осуществляется под управлением внутреннего автомата, который управляет схемами стирания и программирования памяти в соответствии с кодом команды. По команде стирания стираются все байты памяти или выбранного блока, после чего все они должны быть проверены. Если не все байты стерты, выполняется повторное стирание и проверка. Программирование памяти ведется байт за байтом. При этом проверяется записанная информация. Процессор считывает из ЗУ записанный байт и сравнивает его с исходным.

В настоящее время выпускаются микросхемы флэш-памяти с адресным доступом емкостью 1...16 Мбит, в последующих поколе- ниях ожидаются ИС с информационными емкостями до 256 Мбит.

Файловая флэш-память применяется для замены твердых дис- ков, так как она в сотни раз сокращает потребляемую мощность, повышает надежность ЗУ, уменьшает их размеры и вес, на не- сколько порядков повышает быстродействие ЗУ при чтении данных. Если в компьютере с винчестером программа сначала должна быть считана с диска и записана в ОЗУ, то при использовании файлов флэш-памяти необходимость в ОЗУ отпадает. Команды программы в этом случае читаются процессором непосредственно из фай­ловой флэш-памяти, туда же записываются и результаты. Операции с интенсивными вычислениями, требующие быстрей­шего доступа к памяти, выполняются с использованием быстро­действующей статической кэш-памяти.