Діодна, терморезисторна термокомпенсація

При підвищенні температури вхідна характеристика транзистора зміщується вліво. Щоб струм бази незмінювался, необхідно зменшити U_зм(U_ОБ). Тоді струм колектора буде постійним.

Для цього у схемах з температурною компенсацією (рис.57) в ланцюгах зміщення використовуються термокомпенсуючі елементи: терморезистори R_Т або напівпровідникові діоди замість R2.  

І_ОК = β І_ОБ = const, U_зм =  R2.

Рисунок 57 – Термокомпенсація: а) за допомогою терморезистора; б) за допомогою діода

Як терморезистор можуть використовуватися недротяні резистори з негативним температурним коефіцієнтом. Із зростанням температури опір терморезистора R_Т (рис.57,а) зменшується, при цьому напруга зміщення U_БЕ0 на транзисторі знижується, що викликає зменшення І_ОК. Оскільки, з одного боку, збільшення температури викликало зростання І_ОК, а з іншого - через пониження зміщення U_БЕ0 зменшення цього ж струму, за певних умов температурні коливання струму І_ОК можуть бути істотно зменшені. Ефективність схеми можна підвищити, якщо замість резистора R1 включити терморезистор з позитивним температурним коефіцієнтом.

При використовуванні для температурної компенсації напівпровідникового діода (рис.57, б) підвищення температури викликає зменшення прямого опору діода, що приводить до зменшення зміщення, при цьому зростання І_ОК компенсується. У цій схемі застосовуються стабілітрони або германієві діоди. Діодна стабілізація застосовується у вихідних двотактних каскадах, при роботі транзисторів в режимі В, для отримання низької напруги зміщення.

Перевага схем діодної температурної компенсації у тому, що можна одержати повну температурну компенсацію зміни положення робочої точки.

ДОМАШНЄ ЗАВДАННЯ:

1 Чому виникає потреба у температурній стабілізації підсилювача і як вона забезпечується?

2 Наведіть схеми термокомпенсації у підсилювачах і поясніть принцип дії?

3 Як реалізується схема зміщення фіксованою напругою?

4 Знайти І_0Б, І_Д, R1, R2, якщо струм І_0К=0,8мА, h_21Е=40, Е=36В, U_БЕ0=0,6В.

 

ВИКЛАДАЧ – Ковальова Т.І.

 

ЛЕКЦІЯ № 18 (2 год.)

ТЕМА 3.5 Каскади попереднього підсилення на біполярних транзисторах

МЕТА:

- навчальна: ознайомити студентів з каскадами попереднього підсилення на біполярних транзисторах (СЕ, СБ, СК);

- розвиваюча: розширити світогляд студентів, поглибити вивчене для систематизації та узагальнення фундаментальних знань щодо основних схем попереднього підсилення на біполярних транзисторах (СЕ, СБ, СК); розвивати вміння самостійно застосовувати знання до вирішення практичних завдань;

- виховна: виховувати увагу, логічне мислення, впевненість у вирішенні практичних завдань:

ОБЛАДНАННЯ: дошка, схеми, характеристики

 

ПЛАН

1Типова схема попереднього резистивного підсилювача на біполярному транзисторі.

2 Схема підсилювача з спільною базою, з спільним колектором. Особливості схем.

 

ЗМІСТ ЛЕКЦІЇ