Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Дрейф нуля. Емітерна та колекторна термостабілізації
Для забезпечення працездатності підсилювальних каскадів, працюючих у режимі класу А, при зміні температури, старінні і заміні транзисторів, ламп і резисторів використовують схеми стабілізації струму спокою (стабілізації робочої точки) від'ємним зворотним зв'язком за постійним струмом. При підвищенні температури у області бази зростає генерація пар носіїв заряду – електронів і дірок, тобто збільшується концентрація неосновних носіїв і власна провідність напівпровідника, ток колектора транзистора ІОК ≈ h21е (ІОБ + Ікбо), де h21е(β)- низькочастотний коефіцієнт підсилення струму в схемі зі СЕ; - Ікбо – зворотний струм колектора при відключеному емітері транзистора (тепловий струм неосновних носіїв заряду через p-n – перехід). Положення точки спокою на вихідній характеристиці залежить від коефіцієнта передачі транзистора за струмом. При підвищенні температури навколишнього середовища він зростає, при зниженні – зменшується. В результаті положення точки спокою транзистора змінюється залежно від температури навколишнього середовища або при заміні транзистора на інший (коефіцієнти передачі різних екземплярів транзисторів навіть одного типу різняться) (рис.54). Рисунок 54 – Температурний дрейф точки спокою траанзистора Найпростішею зі схем стабілізації точки спокою за допомогою від'ємного зворотнього зв'язку є схема колекторної стабілізації (рис.55). Рисунок 55 – Схема підсилювача з колекторною термостабілізацією
На рис.12 показана схема колекторної стабілізації при включенні транзистора за схемою зі СЕ (можна включати транзистори зі СК, СБ). Резистор R1 підключений верхнім кінцем не до джерела живлення, а до колектора транзистора, вводиться паралельний від'ємний зворотний зв'язок по напрузі, що знімається з колектора транзистора. При цьому на резисторі RБ діє не вся напруга джерела живлення ЕК, а різниця, тобто URБ = ЕК - UR – UБ0; UR = (ІК0 + ІБ0 )R URБ = ЕК - (ІК0 + ІБ0) R- UБ0 , (1) URБ = ІБ0 RБ, ІБ0 = ІК0 / β. Схема колекторної стабілізації проста і економічна, але має обмежене застосування із-за ряду недоліків. Таким методом термостабілізації створюється від'ємний зворотний зв'язок по змінному струму, тобто вихідний сигнал через R1 протидіє вхідному сигналу, зменшуючи вхідний опір і підсилення каскаду.
Емітерна термостабілізація. У підсилювачах за схемою зі СЕ послідовно з емітером транзистора вмикається резистор RЕ, шунтований конденсатором СЕ (рис.56). Рисунок 56 – Схема підсилювача з емітерною термостабілізацією
Розглянемо як резистор RЕ стабілізує режим спокою, скориставшись рівняннями: Uд = UБ0 + ІЕ0 RЕ,, (2) звідки UБ0= Uд - ІЕ0RЕ. (3) При зростанні температури транзистора, збільшується його коефіцієнт передачі β, що призводить до зростання колекторного струму спокою ІОК = β ІОБ, а отже, і струму емітера ІЕ0 = (ІОК +ІОБ). Падіння напруги на RЕ збільшується, а це, виходячи з (2), викликає зменшення UОБ , що зменшить ІОБ, а значить і ІОК (приблизно до попереднього значення). Таким чином, відхилення ІОК від заданого значення припиняється за рахунок наявності в схемі RЕ. Але RЕ створює від'ємний зворотний зв'язок за струмом, тобто в еміторі з'являється сигнал, який протидіє вхідному сигналу. Коефіцієнт підсилення через це значно зменшується. Щоб усунути протидію RЕ вмикають СЕ. Конденсатор СЕ забезпечує вимкнення від'ємного зворотного зв'язку за вхідним сигналом. Його ємність визначається зі співвідношення 1/ωн СЕ << RЕ, де ωн – нижня границя діапазону робочих частот підсилювального сигналу. Для ПЗЧ СЕ обирають одиниці або десятки мікрофарад. З підвищенням частоти емність пропорційно зменшується. При зменшенні температури струм ІОК також практично не змінить свого значення. Звичайно, задають RЕ = (0,1…0,2) RК.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-05-27; просмотров: 55; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.138.110.119 (0.004 с.) |