Предохранительный сбросной Клапан пск-50

 

Клапан предохранительный сбросной Ду 50мм мембранного типа прямого действия устанавливается на газопроводах низкого, среднего и высокого давления, а также в ГРП среднего давления и работает при температуре от-10 до +35⁰С.

Чугунный корпус выполнен в виде усечённого конуса с фланцем, седлом и двумя отверстиями с резьбой трубной цилиндрической 2 дюйма.

Седло перекрывается клапаном с резиновым уплотнением. Клапан собран с мембранной, которая жёстко закреплена между клапаном и тарелкой.

В свою очередь мембрана закреплена между корпусом и крышкой. Пружина зажата между тарелками мембраны и регулировочного винта.

Путём вращения регулировочного винта перемещается нижняя тарелка, изменяя усилие пружины, которая определяет настройку клапана на давление в заданных пределах.

Газ из сети через выходной патрубок корпуса входит в надмембранную полость.

При установившемся режиме контролируемое давление газа в установленных пределах уравновешивается настроенной пружиной, и клапан герметично закрыт.

Когда давление газа в сети (также и в надмембранной полости) превысит предел настройки, мембрана, преодолевая усилие пружины, опустится вместе с клапаном, открывая при этом выход газа в атмосферу через выходной патрубок.

Сброс газа произойдёт до снижения давления в сети ниже настроенного, после чего под действием пружины клапан закроется.

В отличие от запорных они не перекрывают подачу газа, а сбрасывают часть его в атмосферу, за счет чего снижается давление газа в газопроводе. При повышении давления газа за регулятором (15% от рабочего).

При эксплуатации ПСК должны выполняться:

- осмотр технического состояния (обход), в сроки, устанавливаемые производственными инструкциями, обеспечивающие безопасность и надежность эксплуатации;

- проверка параметров срабатывания не реже одного раза в три месяца, а так же после окончания ремонта;

- техническое обслуживание – не реже 1 раза в 6 месяцев;

- текущий ремонт – не реже 1 раза в 12 мес

3. Порядок проведения работ по снятию дисков-диафрагм, термокарманов и клапанов.

По наряду. Менее 200 мм без наряда.

4. Принцип действия, обозначение и применение диодов.

Полупроводниковый диод.

Электронно-дырочный переход представляет собой полупроводниковый

диод. Нелинейные свойства диода видны при рассмотрении его вольтамперной характеристики. Пример такой характеристики для диода небольшое мощности дан на рис.2. Она показывает что прямой ток в десятки миллиампер получается при прямом напряжении порядка десятых долей вольта. Поэтому прямое сопротивление имеет величину не выше десятков ом. Для более мощных диодов прямой ток составляет сотни

миллиампер и больше при таком же малом напряжении, а R соответственно снижается до единиц ом и меньше.

Участок характеристики для обратного тока, малого по сравнению с прямым током, обычно показывают в другом масштабе, что и сделано на рисунке выше. Обратный ток при обратном напряжении до сотен вольт у диодов небольшой мощности составляет лишь единицы или десятки микроампер. Это соответствует обратному сопротивлению до сотен килом и больше.

Полупроводниковые диоды подразделяются по многим признакам. Прежде всего следует различать точечные, плоскостные и поликристаллические диоды. У точечных диодов линейные размеры, определяющие площадь p-n перехода, такого же порядка как толщина перехода, или меньше ее. У плоскостных диодов эти размеры значительно больше толщины перехода.

Точечные диоды имеют малую емкость p-n перехода и поэтому применяются на любых частотах вплоть до СВЧ. Но они могут пропускать токи не более единиц или нескольких десятков миллиампер. Плоскостные диоды в зависимости от площади перехода обладают емкостью в десятки пикофарад и более. Поэтому их применяют на частотах не более десятков килогерц. Допустимый ток в плоскостных диодах бывает от десятков

миллиампер до сотен ампер и больше.

Основой точечных и плоскостных диодов являются пластинки полупроводника, вырезанные из монокристалла, имеющего во всем своем объеме правильное кристаллическое строение. В качестве полупроводниковых веществ для точечных и плоскостных диодов применяют чаще всего германий и кремний, а в последнее время также и арсенид галлия и карбид кремния.

Поликристаллические диоды имеют p-n переход, образованный полупроводниковыми слоями, состоящими из большого количества кристаллов малого размера, различно ориентированных друг относительно друга и поэтому не представляющих собой единого монокристалла. Эти диоды бывают селеновыми, меднозакисные (купроксные) и титановые. Принцип устройства точечного диода показан на рисунке 3(а). В нем тонкая заостренная проволочка(игла) с нанесенной на нее примесью приваривается при помощи импульса тока к пластинке полупроводника с определенным типом электоропроводности. При этом из иглы в основной полупроводник диффундируют примеси которые создают в нем область с другим типом проводимости. Это процесс наз. формовкой диода. Таким образом, около иглы получается мини p-n переход полусферической формы. Следовательно, принципиальной разницы между точечными и плоскостными

диодами нет. В последнее время появились еще так называемые микро плоскостные или

микросплавные диоды, которые имеют несколько больший по плоскости p-n переход, чем точечные диоды(б).

Плоскостные диоды изготавливаются, главным образом, методами сплавления диффузии. Для примера на рисунке 4.а) показан принцип устройства сплавного германиевого диода. В пластинку германия n-типа вплавляют при температуре около 500 градусов каплю индия, которая сплавляясь с германием, образует слой германия p-типа.

Область с электропроводностью p-типа имеет более высокую концентрацию примеси, нежли основная пластинка сравнительно высокоомного германия, и поэтому является эмитером. К основной пластинке германия и к индию припаиваются выводные проволочки, обычно из никеля. Если за исходный материал взят высокоомный германий p-типа, то в него вплавляют сурьму и тогда получается эмитерная область n-типа.

Следует отметить, что сплавным методом получают так называемые резкие или ступенчатые p-n переходы, в которых толщина области изменения концентраци примесей значительно меньше толщины области объёмных зарядов, существующих в переходе.

Типы диодов.

По назначению полупроводниковые диоды подразделяются на выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности, импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны.

Выпрямительные диоды малой мощности. К ним относятся диоды, поставляемые промышленностью на прямой ток до 300мА. Справочным параметром выпрямительных диодов малой мощности является допустимый выпрямительный ток(допустимой среднее значение прямого тока),который определяет в заданном диапазоне температур допустимое среднее за период значение длительно протекающих через диод импульсов прямого

тока синусоидальной формы при паузах в 180 (полупериод) и частоте 50 Гц. Максимальное обратное напряжения этих диодов лежит в диапазоне от десятков до 1200В.