Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Власна провідність напівпровідників
До напівпровідників відноситься велика кількість речовин, які займають по своїх електричних властивостях проміжне положення між провідниками й діелектриками. Для напівпровідників j = 1 2¸ 10-8 См/м (j - питома електропровідність). Для провідників j = 14¸103 См/м; для діелектриків j < 10-12 См/м. Найважливішою властивістю й ознакою напівпровідників є залежність їх електричних властивостей від зовнішніх умов Т, Е, р и т.д. Характерна риса напівпровідників полягає в зменшенні їх питомого опору зі збільшенням температури. Для напівпровідників характерна кристалічна будова з ковалентним зв'язком між атомами.
Під дією зовнішніх факторів деякі валентні електрони атомів здобувають енергію, достатню для звільнення від ковалентних зв'язків.
Вихід з ковалентного зв'язку електрона на енергетичній діаграмі відповідає переходу з валентної зони в зону провідності. При звільненні електрона з ковалентного зв'язку в останній виникає як би вільне місце, що володіє елементарним позитивним зарядом, рівним по абсолютній величині заряду електрона. Таке, що звільнилося в електронному зв'язку місце умовне назвали діркою, а процес утвору пари одержав назву генерація зарядів. Дірка, володіючи позитивним зарядом, приєднує до себе електрон сусіднього заповненого ковалентного зв'язку. У результаті цього відновлюється один зв'язок (цей процес називається рекомбінацією) і руйнується сусідній. Тоді можна говорити про переміщення позитивного заряду - дірки по кристалу. Якщо на кристал діє електричне поле, рух електронів і дірок стає впорядкованим і в кристалі виникає електричний струм. При цьому діркову провідність називають провідністю р- типу (positive - позитивний), а електронну провідністю n- типу (negative - негативний). У хімічно чистому кристалі напівпровідника (число домішок 1016м-3), число дірок завжди дорівнює числу вільних електронів і електричний струм у ньому утворюється в результаті одночасного переносу заряду обох знаків. Така електронно-діркова провідність називається власною провідністю напівпровідника. j = j n + j p j - щільність струму електронів (n) і дірок (р). У власному напівпровіднику рівень Ферми перебуває в середині забороненої зони. Тому що енергія активації, рівна ширині забороненої зони йде на перевід електрона з верхнього рівня валентної зони на нижній рівень зони провідності й одночасно на появу дірки у валентній зоні. Т.т. енергія, витрачена на створення пари носіїв струму ділиться на дві рівні частини, і в такий спосіб початок відліку для кожного із цих процесів (перехід електрона та народження дірки) повинен перебувати в середині забороненої зони.
Кількість електронів, що перейшла у зону провідності й кількість дірок, що утворилася ~ таким чином, питома провідність власних напівпровідників γ - постійна, обумовлена видом речовини. Тобто зі збільшенням Т γ збільшується, тому що з погляду зонної теорії зростає число електронів, які в наслідку теплового збудження переходять у зону провідності. , т.т. По нахилу лінії ln γ можна визначити ширину забороненої зони D E.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-01-08; просмотров: 92; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.139.104.214 (0.007 с.) |