Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Експериментальне дослідження однорідних напівпровідникових
Зразків з домішковою провідністю методом Ван-дер-Пау Експериментальне дослідження однорідних напівпровідникових зразків з домішковою провідністю методом Ван-дер-Пау передбачає, по-перше, виготовлення тонких (значно менших за товщиною у порівнянні з найменшою відстанню між сусідніми контактами вздовж периметру зразка) напівпровідникових шарів з однорідним об’ємним розподілом легуючої домішки і чотирьох якомога менших за площею омічних контактів до них на максимально можливих відстанях один від одного вздовж периметру зразка. По-друге, таке дослідження передбачає здійснення у певній послідовності при В = 0 та при В > 0 операцій спрямованого пропускання постійного струму відомої сили Іij між однією з двох пар контактів (номери i та j) і вимірювання напруги Uhk між другою парою контактів (номери h та k), за значеннями яких у кінцевому рахунку визначаються параметри основних носіїв заряду у досліджуваному напівпровідниковому матеріалі. Виготовлення таких напівпровідникових шарів може здійснюватись, наприклад, шляхами: технологічно контрольованого потоншення первинно відносно товстих напівпровідникових пластин завдяки їх глибокому хімічному щавленню у відповідних щалівниках, вакуумної конденсації парової фази або парофазного хімічного осадження напівпровідникового матеріалу на діелектричну підкладку. Важливо нагадати, що виключення помітних похибок визначення параметрів ОНЗ у таких шарах при їх подальшому дослідженні на повітрі можливо лише у випадку сильно легованого напівпровідникового матеріалу з ρ < 0,1 Ом·см (дивись підрозділ 2.3 у [10]). Інформацію про створення омічних контактів вміщує підрозділ 1.1 у [10]. Для пропускання постійного струму Іij та вимірювання напруги Uhk при виконанні цієї лабораторної роботи використовується універсальна вимірювальна установка, блок-схема якої зображена на рисунку 2.7, а її опис надано у підрозділі 2.3 методичних вказівок до попередньої лабораторної роботи 2. При цьому струмові контакти досліджуваного зразка з номерами i та j гальванічно з’єднуються зі струмовими клемами установки КС1 і КС2, а потенційні контакти з номерами h та k – з потенційними клемами установки КП1 і КП2. Перемикач П2 дозволяє змінювати напрям струму Іij у зразку, сила якого задається генератором постійного струму Г2 і вимірюється приладом мА. При позиції 1Н-1'Н перемикача П3 останній з’єднує високоомний вимірювач напруги ВН з потенційними клемами установки КП1 і КП2, завдяки чому прилад ВН здійснює вимір напруги Uhk. Зміни номерів струмових і потенційних контактів зразка при переході від вимірів, необхідних для визначення ρ, до вимірів, необхідних для визначення RH, здійснюються за допомогою додаткового перемикача-комутатора ПК, котрий належить не показаному на рисунку 2.7 контактному пристрою, що забезпечує гальванічне з’єднання досліджуваного зразка з вимірювальною установкою. Однорідне стаціонарне магнітне поле з В ^ Е створюється у зразку, розміщуваному паралельно до полюсних наконечників електромагніту ЕМ, при пропусканні через котушки ЕМ струму IEM, котрий задається генератором постійного струму Г1, вимірюється амперметром А і може змінюватись за напрямом за допомогою перемикача П1. Зміна величини і напряму IEM забезпечує зміну величини і напряму вектору В, які контролюються вимірювачем магнітної індукції ВМІ.
Порядок виконання роботи
Завдання для виконання роботи
Для двох однорідних тонких шарових напівпровідникових зразків з домішковою провідністю однакового походження, але з різною формою фронтальної поверхні, за величиною питомого опору і за знаком та величиною сталої Холла, встановленими експериментально методом Ван-дер-Пау при постійному струмі у стаціонарному магнітному полі, визначити тип, концентрацію та рухомість основних носіїв заряду, після чого порівняти отримані кінцеві результати і зробити висновок відносно причин їх можливої розбіжності.
Порядок дій 1. За допомогою наданої інструкції, котра знаходиться на робочому місці, ознайомитись з особливостями використання універсальної лабораторної установки, блок-схема якої наведена на рисунку 2.7, для визначення питомого опору і сталої Холла напівпровідникових зразків методом Ван-дер-Пау. 2. Після перевірки викладачем засвоєння правил використання вказаної вимірювальної установки підключити її до живлючої електромережі для попереднього прогріву.
3. Отримати у викладача для досліджень два однорідні тонкі напівпровідникові зразки з домішковою провідністю і питомим опором менше 0,1 Ом×см, котрі являють собою нанокристалічні плівкові шари однакового походження, але з різною формою фронтальної поверхні, завтовшки 0,1 < t ≤ 1 мкм на жорсткій підкладці з матеріалу, що має питомий опір набагато порядків більший ніж досліджуваний напівпровідниковий матеріал. До асортименту досліджуваних зразків належать: 1) зразок № 1 з планарною поверхнею довільної форми і чотирма омічними контактами вздовж периметру з виходом на цю поверхню, схожий за конфігурацією до зображеного на рисунку 3.1; 2) зразок № 2 у формі грецького хреста з омічними контактами вздовж кожної кінцівки хреста і відношенням довжини h більших сторін хреста до довжини w омічних контактів, (дивись рисунок 3.2, в) h / w > 1. 4. З’ясувати у викладача конкретну природу та товщину t напівпровідникових шарів для цих зразків, визначити за допомогою мірної лінійки їх характерні планарні розміри, середні відстані á d ñ між сусідніми контактами вздовж периметру напівпровідникового шару і занести усі отримані таким чином дані до таблиці 3.2. Поряд з цим розрахувати та занести до цієї таблиці реальні співвідношення t /á d ñ і h / w.
Таблиця 3.2 – Форми, матеріали і геометричні параметри досліджуваних зразків
5. Розташувати зразок № 1 у контактному пристрої і за допомогою останнього через ПК гальванічно з’єднати струмові електроди 1 і 2 зразка з клемами КС1 та КС2, а потенційні електроди 3 і 4 – з клемами КП1 та КП2 вимірювальної установки. Перемикач П2 перемкнути у позицію 1С-1'С, а перемикач П3 – у позицію 1Н-1'Н. 6. За допомогою генератора постійного струму Г2 встановити силу струму I 12 у зразку № 1 не вище 10 мА і приладом ВН при В = 0 виміряти різницю потенціалів U 34. Стабільність величини U 34 протягом декількох хвилин при незмінному значенні величини I 12 має бути підтвердженням оптимального вибору останньої. У противному випадку слід зменшувати I 12 доки не буде досягнуто вказаної стабільності U 34. За формулою (3.3) розрахувати величину R 12, що відповідає стабільному значенню U 34. 7. За допомогою ПК підключити контакти 2 і 3 зразка № 1 до клем КС1 і КС2, а контакти 4 і 1 – до клем КП1 і КП2. Генератором Г2 встановити силу струму I 23 = I 12 і приладом ВН при В = 0 виміряти різницю потенціалів U 41. За формулою (3.4) розрахувати величину R 23. 8. Якщо R 12 > R 23, то результати проведених вимірів і розрахунків занести до таблиці 3.3. При протилежному співвідношенні R 12 і R 23 вказані виміри і розрахунки слід зробити знову після циклічної зміни нумерації контактів за напрямком обертання часової стрілки. У кінцевому рахунку до таблиці 3.3 мають бути занесені результати вказаних вимірів і розрахунків, котрі відповідають співвідношенню R 12 > R 23. Цьому співвідношенню має відповідати і остаточна нумерація контактів, при якій індексація для нових значень сили струму та напруги не зміниться.
9. Розрахувати величину відношення R 12/ R 23 і за нею, користуючись таблицею 3.1 або таблицею 12 на стор. 43 у [7], визначити чисельне значення поправочної функції f. Після цього за формулою (3.5) розрахувати питомий опір матеріалу зразка № 1 і усі результати, отримані при виконанні дії 9, теж занести до таблиці 3.3.
Таблиця 3.3 - Результати, пов’язані з визначенням питомого опору напівпровідникового матеріалу зразка № 1
10. За допомогою ПК підключити контакти 1 і 3 зразка № 1 до клем КС1 і КС2, а контакти 2 і 4 – до клем КП1 і КП2. Генератором Г2 встановити силу струму I 13 = I 12 і приладом ВН при В = 0 виміряти різницю потенціалів U 24(0). Розташувати контактний пристрій зі зразком № 1 між полюсними наконечниками таким чином, щоб планарна поверхня зразка була паралельною до їх торцевих плоских поверхонь. Створити магнітне поле з 0,3 ≤ В ≤ 0,5 Тл і при силі струму I 13 виміряти різницю потенціалів U 24(В). За формулою (3.2) розрахувати величину ∆ R 13, після чого за формулою (3.1) при rH = 1 розрахувати величину RH. Усі результати, отримані при виконанні дії 10, занести до таблиці 3.4 поряд з конкретним значенням В.
Таблиця 3.4 - Результати, пов’язані з визначенням сталої Холла для напівпровідникового матеріалу зразка № 1
11. Користуючись співвідношеннями (2.14) і (2.15) та правилом лівої руки і рисунком 2.1, встановити тип основних носіїв заряду (ОНЗ: електрони – е - або дірки – h +), а на підставі цього - тип провідності (n або р) матеріалу зразка № 1. За значеннями ρ і RH з таблиць 3.3 та 3.4, користуючись формулами (3.9) й (3.10), при rH = 1 розрахувати рухомість і концентрацію основних носіїв заряду у матеріалі зразка № 1. Усі результати, отримані при виконанні дії 11, занести до таблиці 3.5. До цієї таблиці занести також результат розрахунку величини μВ. 12. Замінити у контактному пристрої зразок № 1 на зразок № 2. Розпочати дослідження, необхідні для визначення питомого опору матеріалу цього зразка з похибкою менше 5 %. Для досягнення вказаної мети на першому етапі спочатку за допомогою перемикача-комутатора ПК з’єднати зі струмовими клемами КС1 і КС2 контакти зразка 1 і 2, а з потенційними клемами КП1 і КП2 контакти зразка 3 і 4. Далі, при В = 0 та позиції 1С-1'С перемикача П2 повторити дію 6, після чого експериментальну величину I 12 позначити як + I і відповідно до неї експериментальну величину U 34 позначити як U 34(+ I). Перевести перемикач П2 у позицію 2С-2'С і при протилежному напрямі струму I 12, який позначити як – I, знову визначити U 34, позначивши її як U 34(- I). Потому, за допомогою ПК з’єднати зі струмовими клемами КС1 і КС2 контакти зразка 1 і 4, а з потенційними клемами КП1 і КП2 контакти зразка 2 і 3. Далі, використовуючи позиції перемикача П2, при В = 0 та попередніх за абсолютною величиною значеннях I виміряти напруги U 23(+ I) і U 23(- I). За отриманими результатами, користуючись формулою (3.14), розрахувати величину aρ 1. Подібним способом при аналогічному за абсолютною величиною значенні I, маніпулюючи відповідним чином перемикачами ПК і П2, виміряти напруги U 14(+ I), U 14(- I), U 21(+ I) і U 21(- I). За цими результатами, користуючись формулою (3.15), розрахувати величину aρ 2. Користуючись знайденими величинами aρ 1 і aρ 2 та таблицею 3.1 або таблицею 12 на стор. 43 у [7], визначити чисельні значення поправочної функції f (aρ 1) і f (aρ 2). Усі результати, отримані при виконанні дії 12, занести до таблиці 3.6.
Таблиця 3.5 - Параметри основних носіїв заряду у напівпровідниковому матеріалі, визначені за результатами комплексного експериментального дослідження зразка № 1
Таблиця 3.6 - Результати, пов’язані з визначенням поправочних функцій f (aρ 1) і f (aρ 2) для зразка № 2
13. Виконати другий етап дослідень, необхідних для визначення питомого опору матеріалу зразка № 2 з похибкою менше 5 %. Спочатку, за допомогою формул (3.16) і (3.17), користуючись значеннями Uhk з таблиці 3.6, розрахувати величини і . Потому, за допомогою формули (3.13), користуючись значеннями f (aρ 1) і f (aρ 2) з таблиці 3.6 та величинами і , розрахувати величину . Наприкінці, за формулою (3.11) розрахувати питомий опір ρ напівпровідникового матеріалу зразка № 2. Усі результати, отримані при виконанні дії 13, занести до таблиці 3.7.
Таблиця 3.7 - Результати, пов’язані з визначенням питомого опору напівпровідникового матеріалу зразка № 2
14. Розпочати дослідження, спрямовані на визначення типу і концентрації N основних носіїв заряду за сталою Холла для зразка № 2 з похибкою менше 5 %. На першому етапі цих досліджень спочатку за допомогою ПК підключити контакти 1 і 3 зразка № 2 до клем КС1 і КС2, а контакти 2 і 4 – до клем КП1 і КП2. Розташувати контактний пристрій зі зразком № 2 між полюсними наконечниками ЕМ таким чином, щоб планарна поверхня зразка була паралельною до їх торцевих плоских поверхонь. Генератором Г2 встановити силу струму I 13 = I. Створити магнітне поле з 0,3 ≤ В ≤ 0,5 Тл і при силі струму I виміряти різницю потенціалів U 24(+ I,+ В). Далі, підтримуючи стабільними абсолютні значення I та В і послідовно змінюючи відповідним чином позиції перемикачів П1 й П2, подібно до дії 12 провести виміри величин U 24(- I,+ В), U 24(+ I,- В), U 24(- I,- В). Позначивши усі виміряні величини U 24 відповідно занести іх до таблиці 3.8 поряд зі значенням I і конкретним значенням В. Далі, за допомогою ПК підключити контакти 2 і 4 зразка № 2 до клем КС1 і КС2, а контакти 1 і 3 – до клем КП1 і КП2, після чого при тих же за абсолютними значеннями I та В, послідовно змінюючи відповідним чином позиції перемикачів П1 й П2, подібно до попередніх аналогічних операцій провести виміри величин U 13(+ I,+ В), U 13(- I,+ В), U 13(+ I,- В), U 13(- I,- В). Позначивши усі виміряні величини U 13 відповідно занести іх до таблиці 3.8. За усіма цими результатами, користуючись формулою (3.18), розрахувати величину і теж занести ії до таблиці 3.8.
Таблиця 3.8 - Результати, пов’язані з визначенням сталої Холла для зразка № 2
15. На другому етапі досліджень, розпочатих дією 14, перш за все, користуючись формулою (3.12) і результатами з таблиці 3.8, розрахувати сталу Холла RH для зразка № 2. Далі, за формулою (3.22) розрахувати N. Аналогічно до дії 11 встановити тип основних носіїв заряду. Усі ці результати занести до таблиці 3.9. Після завершення цього етапу досліджень за формулою (3.21) при rH = 1, користуючись попередньо визначеними величинами ρ (таблиця 3.7) і RH (таблиця 3.9), розрахувати рухомість μ, а потім – величину μВ. Останні дві величини теж занести до таблиці 3.9.
Таблиця 3.9 – Стала Холла і параметри основних носіїв заряду у напівпровідниковому матеріалі, визначені за результатами комплексного експериментального дослідження зразка № 2
16. Приступити до оформлення звіту.
Зміст звіту
У звіті повинні бути наведеними вказані нижче відомості: 1. Мета роботи. 2. Основні співвідношення, які використовуються для визначення типу, концентрації і рухомості основних носіїв заряду в напівпровідниках з домішковою провідністю за результатами досліджень методом Ван-дер-Пау. 3. Креслення досліджуваних зразків з їх геометричними розмірами. 4.. Розрахунки питомих опорів, сталих Холла і параметрів основних носіїв заряду для досліджуваних зразків, виконані з використанням програми електронних таблиць Excel 2007. 5. Заповнені таблиці 3.2 – 3.9 за наведеними вище зразками. 6. Висновки.
Запитання та завдання для самоперевірки
1. Завдяки чому метод Ван-дер-Пау набув широкого поширення для визначення параметрів основних носіїв заряду в напівпровідникових матеріалах з домішковою провідністю? 2. Яка конфігурація зразків і на підставі яких теоретичних висновків є переважною для проведення досліджень методом Ван-дер-Пау з мінімальною похибкою? 3. Що собою являють основні фізичні фактори, котрі найбільш суттєво можуть впливати на похибку виміру ЕРС Холла, і як має проводитися експеримент для усунення негативного впливу цих факторів? 4. Довести вірність формул (3.8) та (3.9). 5. Навіщо для визначення усіх параметрів основних носіїв заряду напівпровідникового матеріалу з домішковою провідністю методом Ван-дер-Пау поряд зі сталою Холла необхідно знати його питомий опір? 6. Які експериментальні відмінності мають місце при необхідності визначення параметрів основних носіїв заряду методом Ван-дер-Пау з похибкою менше 5 %? 7. Чому вимірювальну установка, блок-схема якої зображена на рисунку 2.7, може бути використаною для реалізації метода Ван-дер-Пау?
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА 4
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-01-25; просмотров: 166; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.144.9.164 (0.045 с.) |