БТ як активний чотириполюсник.

У загальному випадку транзистор являє собою активний (здатний перетворювати енергію джерела сигналу) нелінійний чотириполюсник, мал.). Його можна описати сімействами характеристик - нелінійними функціями двох змінних.

 

Залежно від схеми ввімкнення транзистора величинам i₁, i₂, u₁, u₂ відповідають ті чи інші реальні струми і напруги. Однак на практиці часто доводиться зустрічатися із завданням посилення малих сигналів. У цьому випадку на постійні складові струмів I(0) і напруг U(0) (які визначають робочу точку транзистора) накладені малі змінні сигнали або D u(t), D i(t):

Прослушать

 

Оскільки інтерес представляють не величини I(0)+ D i(t), U(0)+ D u(t), а лише самі прирости D u(t), D i(t), тому систему рівнянь функцій f₁ та f₂ можна переписати у вигляді:

 

Коефіцієнти позначені символами h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂ і будемо називати h -параметрами транзистора.

2.Система рівнянь h -параметрів БТ.

Залежно від схеми ввімкнення транзистора (СЕ, СБ СК) до позначень h-коефіцієнтів додається індекс, наприклад, h_11Е або h_11Б або h_11К. Визначимо фізичний зміст h -параметрами транзистора:

 

- вхідний опір транзистора при короткому замиканні на виході для малої змінної складової струму;

 

- коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока;

 

- дифференциальный коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей;

 

- выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока.

 

Для схеми ввімкнення транзистора СЕ параметр h_21Е відповідає коефіцієнту β та наводиться в довідниках.

3.Визначення h -параметрів за характеристиками БТ.

Значення h- параметрів транзистора можна знайти за допомогою сімейств вхідних та вихідних характеристик. Для цього:

1. Відзначають на характеристиках положення робочої точки за постійним струмом, в якій визначаються h-параметри.

2. Визначаються малі прирости струмів і напруг щодо робочої точки і розраховуються h -параметри.

Як приклад визначимо значення h_11Е, h_12Е, h_21Е, h_22Е - параметрів транзистора в робочій точці, що задається величинами І_Б (0), І_К (0), U_БЕ (0), U_КЕ (0).

Параметри h_22Е і h_21Е визначають за вихідними характеристикам транзистора в схемі СЕ (рис).

 

УПрослушать

Znachennya h-parametriv tranzystora mozhna znay̆ty za dopomohoyu simey̆stv vkhidnykh ta vykhidnykh kharakterystyk. Dlya tsʹoho:
1. Vidznachayutʹ na kharakterystykakh polozhennya robochoï tochky po postiy̆nomu strumu, v yakiy̆ vyznachayutʹsya h-parametry.
2. Vyznachayutʹsya mali pryrosty strumiv i napruh shchodo robochoï tochky i rozrakhovuyutʹsya h-parametry.
Yak pryklad vyznachymo znachennya h11E, h12E, h21E, h22E - parametriv tranzystora v robochiy̆ tochtsi, shcho zadayetʹsya velychynamy IB (0), Ik (0), UBE (0), UKE (0).
Parametry h22 i h21 vyznachayutʹ za vykhidnym kharakterystykam (rys. 3.34).

Словарь - Открыть словарную статью

Умова D i_Б =0 означає, що в базовому струмі I_Б =I(0)+ D i_Б лише зміннаскладова рівна 0, а не весь базовий струм. Тоді за характеристиками визначаємо:

D i_К =І´_К - I_К(0); D u_КЕ =U´_КЕ(0)- U_КЕ(0).

Ці виміри проводяться на вихідній характеристиці знятій при i_Б =I_Б(0).

.

 

 

Умова D u_КЕ =0 означає, при вимірюванні u_КЕ не змінюється і рівна U_КЕ (0). Тоді за характеристиками визначаємо:

D i_К =І´´_К - I_К(0); D i_б =І´_б - I_б(0).

Параметри h_11Е и h_12Е визначаються аналогічно за вхідними характеристиками транзистора (рис.):

 

 

де D u_БЕ = U_БЕ´ - U_БЕ(0), а D i_б =І´_б - I_б(0).

 

 

 

де D u_БЕ = U_БЕ(0) - U´´_БЕ, а D u_КЕ = U´_КЕ - U_КЕ(0).