Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Умовне графічне зображення БТ.
Поряд з транзисторами n-p-n структури, існують транзистори із симетричною їй p-n-p структурою, в яких використовується потік дірок. Умовні позначення n-p-n, p-n-p транзисторів наведені на рис.5. Стрілка емітера показує напрям емітерного струму в активному режимі. Круг, що позначає корпус дискретного транзистора, в зображенні безкорпусних транзисторів, що входять до складу інтегральних мікросхем, не використовується. Принцип роботи n-p-n та p-n-p транзисторів однаковий, а полярності напруг між їх електродами та напрямки струмів у колах електродів протилежні. У сучасній електроніці найбільшого поширення набули транзистори n-p-n структури, які, завдяки більш високим значенням рухливості і коефіцієнта дифузії електронів в порівнянні з дірками, мають більше підсилення і меншу інерційність, ніж транзистори p-n-p структури.
Робота БТ в різних режимах Залежно від того, в яких станах знаходяться переходи транзистора, розрізняють режими його роботи. Оскільки в транзисторі є два переходи (емітерний і колекторний), і кожен з них може знаходитися в двох станах (відкритому і закритому), розрізняють чотири режими роботи транзистора. Основним режимом є активний режим, при якому емітерний перехід знаходиться у відкритому стані, а колекторний - в закритому. Транзистори, що працюють в активному режимі, використовуються в підсилювальних схемах. Крім активного, виділяють інверсний режим, при якому емітерний перехід закритий, а колекторний - відкритий, режим насичення, при якому обидва переходу відкриті, і режим відсічки, при якому обидва переходи закриті.
Активний режим. В активному режимі переходи транзистора мають різну ширину: замкнений колекторний перехід значно ширший відкритого емітерний переходу. Через емітерний перехід протікає струм основних носіїв заряду, через колекторний - неосновних. ІЕ=ІК+ІБ, при IБ<< iЕ, маємо IЭ » IК. Інверсний режим (інверсний активний режим). Режим роботи аналогічний активному режиму з тією різницею, що відповідною зміною полярності прикладених до переходів напруг у відкритому стані знаходиться колекторний перехід, виконуючи функції емітера, а емітер ний перехід знаходиться у закритому стані, виконуючи роль колектора електронів. У зв’язку з тим, що підсилювальні властивості транзистора в інверсному режимі виявляються значно гіршими, ніж у активному режимі, транзистори в інверсному режимі практично не використовуються.
Прослушать Poryad z tranzystoramy npn-struktury, isnuyutʹ tranzystory iz symetrychnoyu ïy̆ pnp-strukturoyu, v yakykh vykorystovuyetʹsya potik dirok. Umovni poznachennya npn-i pnp-tranzystoriv, shcho vykorystovuyutʹsya v elektrychnykh skhemakh, navedeni na ris.3.2. Strilka na vyvedennya emitera pokazuye napryam emiternyy̆ strumu v aktyvnomu rezhymi. Hurtok, shcho poznachaye korpus dyskretnoho tranzystora, v zobrazhenni bezkorpusnykh tranzystoriv, shcho vkhodyatʹ do skladu intehralʹnykh mikroskhem, ne vykorystovuyetʹsya. Pryntsyp roboty npn-i pnp-tranzystoriv odnakovyy̆, a polyarnosti napruh mizh ïkh elektrodamy ta napryamky strumiv u lantsyuhakh elektrodiv protylezhni. U suchasniy̆ elektronitsi nay̆bilʹshoho poshyrennya nabuly tranzystory npn-struktury, yaki, zavdyaky bilʹsh vysokym znachennyam rukhlyvosti i koefitsiyenta dyfuziï nmelektroniv v porivnyanni z dirkamy (> p; Dnm> Dp), volodiyutʹ velykym posylennyam i menshoyu inertsiy̆nistyu, nizh tranzystory pnp-struktury. Tomu nyzhche roz·hlyadayutʹsya same npn-tranzystory. Словарь - Открыть словарную статью В режимі насичення обидва переходи транзистора знаходяться у відкритому стані, в цьому режимі і емітером, і колектор інжектуються електрони в базу, в результаті чого в структурі протікають два зустрічних наскрізних потоки електронів (нормальний і інверсний). Від співвідношення цих потоків залежить напрям струмів, що протікають в колах емітера і колектора. Внаслідок подвійної інжекції база транзистора дуже сильно насичується надлишковими електронами, через що посилюється їх рекомбінація з дірками, і рекомбінаційний струм бази виявляється значно вище, ніж в активному або інверсної режимах. Слід також зазначити, що у зв'язку з насиченням бази транзистора і його переходів надлишковими носіями заряду, їх опір стає дуже малим. Тому транзистор, що знаходиться в режимі насичення, можна вважати короткозамкненим між відводами колектора та емітера. Прослушать obydva perekhodu tranzystora znakhodyatʹsya u vidkrytomu stani. Na rys. 3.7 navedena struktura tranzystora i pokazani potoky nosiïv, shcho protikayutʹ v rezhymi nasychennya. Yak vydno z malyunka, v tsʹomu rezhymi i emiterom, i kolektor inzhektuyutʹsya elektrony v bazu, v rezulʹtati choho v strukturi protikayutʹ dva zustrichnykh naskriznykh potoku elektroniv (normalʹnyy̆ i inversnyy̆). Vid spivvidnoshennya tsykh potokiv zalezhytʹ napryam strumiv, shcho protikayutʹ v lantsyuhakh emitera i kolektora. Vnaslidok podviy̆noï inzhektsiï baza tranzystora duzhe sylʹno nasychuyetʹsya nadlyshkovymy elektronamy, z-za choho posylyuyetʹsya ïkh rekombinatsiya z dirkamy, i rekombinatsiy̆nykh strum bazy vyyavlyayetʹsya znachno vyshche, nizh v aktyvnomu abo inversnoï rezhymakh.
Словарь - Открыть словарную статью В режимі відсічки обидва переходи транзистора знаходяться в закритому стані, наскрізні потоки електронів в режимі відсічки відсутні. Через переходи транзистора протікають потоки неосновних носіїв заряду, що створюють малі й некеровані теплові струми переходів. База і переходи транзистора в режимі відсічки збіднені рухомими носіями заряду, в результаті чого їх опір виявляються дуже високими. Тому часто вважають, що транзистор, що працює в режимі відсічки, являє собою розрив ланцюга між коллектором та емітером. Режими насичення і відсічки використовуються при роботі транзисторів в імпульсних (ключових) схемах. Прослушать
|
|||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-01-24; просмотров: 262; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.141.31.209 (0.005 с.) |