Общие характеристики и принципы построения генераторов импульсных сигналов

Генераторы импульсных сигналов, или генераторы импульсов, предназначены для получения от источника питания постоянного напряжения электрических колебаний резко несинусоидальной формы, называемых релаксационными. Для таких колебаний характерно наличие участков сравнительно медленного изменения напряжения и участков, на которых напряжение изменяется скачкообразно. В этом случае закон изменения напряжения (тока) приближенно описывается функцией с разрывом первого рода.

Для импульсных генераторов характерно наличие внешней или внутренней положительной обратной связи, обусловливающей возможность их самовозбуждения и скоротечный (лавинообразный, регенеративный) процесс перехода активных элементов генератора из одного крайнего (закрытого, открытого) в другое (открытое, закрытое) состояние. Во время такого лавинообразного процесса происходит быстрое (скачкообразное) изменение напряжения (тока) на некоторых элементах генератора.

Импульсные генераторы делятся на генераторы прямоугольных, трапецеидальных, треугольных, пилообразных импульсов и импульсов некоторых других форм (рис. 6.1). В импульсной технике вычислительных устройств и устройств автоматики чаще всего используются генераторы прямоугольных и пилообразных импульсов, а также их разновидности, с разными соотношениями длительности импульсов и их фронтов − трапецеидальные и треугольные.

Импульсные генераторы могут работать в трех основных режимах: автоколебательном, ждущем и в режиме синхронизации.

Автоколебательные генераторы импульсов после самовозбуждения генерируют последовательность импульсов, параметры которых (амплитуда, частота повторения, длительность, скважность) определяются только параметрами элементов схемы генератора.

 

Рисунок 6.1 – Формы импульсов

 

Ждущие (заторможенные) генераторы генерируют импульсы, период повторения которых определяется периодом повторения запускающих импульсов, а параметры каждого импульса (амплитуда, длительность, форма) зависят только от параметров схемы генератора.

В режиме синхронизации генератор вырабатывает импульсы, частота которых равна или кратна частоте синхронизирующего сигнала. Поэтому такие генераторы часто используются в качестве делителей частоты. Наряду с генераторами импульсов, вырабатывающими одну или две последовательности импульсов, находящихся в противофазе, применяются генераторы, предназначенные для получения нескольких импульсных последовательностей, сдвинутых по фазе друг относительно друга на некоторую произвольную величину, в общем случае не равную 180°. Такие генераторы называются генераторами многофазных импульсов или просто многофазными

Принцип построения генераторов импульсов основан на использовании усилителей-четырехполюсников с положительной обратной связью или двухполюсников, вольт-амперная характеристика которых имеет падающий участок, обусловливающий отрицательное дифференциальное сопротивление двухполюсника. При этом быстропротекающие (лавинообразные, регенеративные) процессы формирования фронта и среза импульсов определяются параметрами активного четырехполюсника или двухполюсника, а сравнительно медленные процессы, связанные с формированием длительности импульсов и паузы между импульсами (для автоколебательных генераторов импульсов), определяются в основном параметрами специально используемых времязадающих (хронирующих) цепей. В четырехполюсниках эти цепи служат одновременно элементами внешней положительной обратной связи и включаются между входами и выходами активных элементов, составляющих эти четырехполюсники. В качестве времязадающих можно использовать емкостно-резисторные или индуктивно-резисторные линейные формирующие цепи, линии задержки и колебательные контуры. В большинстве генераторов импульсов в качестве времязадающих используются RС-цепи, что объясняется их простотой и технологичностью изготовления. Индуктивно-резисторные цепи и колебательные LC-контуры используются существенно реже и в основном в генераторах импульсов на активных двухполюсниках, что объясняется плохой технологичностью катушек индуктивности.

Кроме времязадающих цепей, структура генераторов импульсов, как правило, содержит источник постоянного напряжения, пороговые элементы и ключи.

В однофазных генераторах (генераторах с одним выходом) времязадающая цепь используется для формирования, как импульса, так и паузы. В парафазных генераторах (генераторах с двумя взаимоинверсными выходами, импульсные последовательности на которых сдвинуты друг относительно друга на 180°) применяются две времязадающие цепи, одна из которых используется для формирования импульса на одном выходе и соответственно паузы на втором выходе, а вторая, наоборот, для формирования импульса на втором выходе и соответственно паузы на первом выходе.

Процессы, протекающие в однофазном генераторе, можно представить в следующем виде. Под действием источника питания происходит запасание энергии (заряд) времязадающей цепи. Когда напряжение на ней или ток, проходящий через нее, достигнет порогового значения, срабатывает пороговый элемент и ключ переходит из одного состояния в другое, противоположное первоначальному. Начинается перезаряд накопительного элемента времязадающей цепи и, когда величина заряда достигнет нового порогового значения, установившегося в момент изменения состояния ключа, схема возвращается в первоначальное состояние. После этого процесс повторяется.

В парафазных генераторах времязадающие цепи работают поочередно. В то время, как в одной из времязадающих цепей происходит изменение заряда, определяющее формирование импульса на первом выходе генератора и соответственно паузы на втором, накопительный элемент второй времязадающей цепи подготавливается к рабочему циклу в следующем такте работы. Когда заряд по первой времязадающей цепи достигает порогового значения, происходит опрокидывание схемы и начинается изменение заряда во второй времязадающей цепи, а первая в это время восстанавливает свое исходное состояние.

Различные типы генераторов отличаются друг от друга видами времязадающих цепей, пороговых и ключевых элементов, а также видами медленных переходных процессов во времязадающих цепях, от которых зависит длительность импульсов или их период следования. Эти переходные процессы можно разделить на следующие основные виды:

− заряд предварительно разряженного конденсатора через резистор до порогового напряжения U _пор, остаточное (начальное) напряжение на конденсаторе при этом может быть как нулевым, так и отличным от нуля (рис. 6.2, а и б);

 

 

Рисунок 6.2 − Переходные процессы генераторов

 

− разряд предварительно заряженного конденсатора через резистор до порогового напряжения U _пор, величина которого близка к нулю, конденсатор при разряде стремится разрядиться до нулевого напряжения или перезарядиться до напряжения противоположного знака, но не перезаряжается, так как в момент уменьшения напряжения на нем до U _пор происходит изменение состояния схемы и на конденсаторе быстро восстанавливается первоначальное напряжение (рис. 6.2, в);

− перезаряд конденсатора через резистор под действием напряжений Е и − Е (рис. 6.2, г); при этом в моменты, когда напряжение на конденсаторе достигает величины U _пор1 или U _пор2, происходит изменение состояния схемы и конденсатор подключается к источнику напряжения противоположного знака.

Так как переходные процессы во времязадающих цепях во всех рассмотренных случаях описываются дифференциальными уравнениями первого порядка, для определения длительности переходных процессов t _и и t _n можно пользоваться известным уравнением

 

(6.1)

 

где τ − постоянная времени времязадающей цепи; U (0) − напряжение на конденсаторе в момент коммутации; U () − напряжение, к которому заряжается (или перезаряжается) конденсатор; U _nop − пороговое напряжение.

В качестве времязадающих цепей используются классические RС−цепи или мостовая цепь (рис. 6.3, а).

Принцип работы мостовой времязадающей цепи иллюстрируется временными диаграммами (рис. 6.3, б). Вход активного элемента, например диод VD, которым можно заменить эмиттерный переход п-р-п транзистора, включается в плечо моста. Напряжения на его аноде u _A (t) и катоде u _Б(t) таковы, что в течение времени t ₁ он обратно смещен. В точке t ₁ напряжение на диоде u _VD = 0, а в момент, когда рабочая точка смещается на линейный участок вольт-амперной характеристики диода, он полностью откроется, формируя условия переключения схемы.

 

 

Рисунок 6.3 − Классическая RС−цепь

 

Мостовые времязадающие цепи применяются в генераторах повышенной стабильности, частота работы которых практически не зависит от изменения напряжения источника питания Е. В любой из обычных времязадающих цепей (рис. 6.2) при изменении Е величина t _и изменяется. В мостовой время задающей цепи (рис. 6.2, б) при увеличении Е до величины Е ' переходные процессы в точках а и б изменяются u ΄_а (t) и u ΄_б (t), однако момент их равенства t ₁ остается прежним.

В зависимости от функционального назначения генераторы импульсов, применяемые в автоматике, можно подразделить на два основных класса: генераторы прямоугольных импульсов и генераторы пилообразных, или линейно изменяющихся импульсов.

Генераторы прямоугольных импульсов, в свою очередь, делятся на автоколебательные мультивибраторы (MB), ждущие мультивибраторы (ЖМВ), или одновибраторы (ОВ), и блокинг-генераторы (БГ) (автоколебательные и ждущие). В мультивибраторах используются положительные обратные связи через RС-цепи. Блокинг-генераторы отличаются тем, что в них обратные связи организуются с помощью импульсных трансформаторов, что обусловливает специфику их работы и область применения.

Генераторы пилообразных импульсов составляют особый класс устройств, отличающихся тем, что в своей структуре содержат стабилизаторы тока перезаряда накопительных элементов времязадающих цепей, для чего в их состав входят активные элементы, работающие в линейном режиме.

Мультивибраторы

Автоколебательным мультивибратором (MB) называется устройство, которое не имеет ни одного устойчивого состояния, а периодически находится в одном из двух квазиустойчивых состояний, переход в которые происходит регенеративно. Мультивибраторы работают в режиме автоколебаний. При этом они генерируют импульсы прямоугольной или близкой к прямоугольной формы, амплитуда, длительность и частота повторения которых зависят от параметров компонентов мультивибратора.

Мультивибратор на дискретных элементах. Простейшая схема MB, выполненного на дискретных элементах, представлена на рис. 6.4, а. Она состоит из двух усилителей-инверторов на транзисторах VT 1 и VT 2, соединенных между собой коллекторно-базовыми положительными обратными связями через конденсаторы С 1 и С 2. В качестве времязадающих используются RС-цепи, переходные процессы которых показаны на рис. 6.2, в.

 

 

Рисунок 6.4 – Схема мультивибратора

 

Работа мультивибратора в течение одного полного периода иллюстрируется временными диаграммами на рис. 5.2.1, б. Для упрощения анализа на этих диаграммах токи І _К0 не учитываются, падение напряжения на открытом транзисторе считается равным нулю, длительность переходных процессов в транзисторах при переключении схемы считается пренебрежимо малой по сравнению с переходными процессами во времязадающих цепях.

 

Рисунок 6.5 – Временные диаграммы работы мультивибратора

 

Начнем анализ схемы с момента t ₁. До этого момента транзистор VT 1 закрыт и его коллекторное напряжение практически равно − Ε _К, коллекторный ток равен нулю (более точно i _К1 = I _К0, а U _К1 = − Ε _К + І _К0 R _К1). Транзистор VT 2 открыт и стянут в точку, его коллекторный ток i _К2 = I _Кн2, а коллекторное напряжение U _К2≈0. Открытое состояние VT 2 обеспечивается током базы i _Б2 = І _Би2, протекающим от источника Ε _см через сопротивление резистора R _Б1. Запертое состояние VT 1 обеспечивается положительным напряжением конденсатора С2, подключенного через открытый транзистор VT 2 прямо к эмиттерному переходу транзистора VT 1, т.е. U _Б1 = U _С2.

Конденсатор С 1 заряжен через эмиттерный переход открытого транзистора VT 2 и сопротивление резистора R _К1 до напряжения ≈ E _К.

Такое состояние схемы устойчиво только временно (квазиустойчиво), поскольку напряжение на конденсаторе С 2 не остается постоянным. Конденсатор С 2 перезаряжается от напряжения E _К к напряжению − E _см. Однако в момент t ₁ когда U _С2 = U _Б1 ≈ 0, транзистор VT 1 начинает открываться, его коллекторное напряжение по модулю уменьшается, коллекторный ток возрастает. Базовый ток открытого транзистора VT 2 зависит от трех источников напряжения: −E _см, U _C1≈ Е _К и U _К1(t).

В силу быстротечности процессов переключения напряжение U _C1 за это время практически не изменяется и процесс изменения тока базы i _Б2 полностью определяется изменением напряжения U_К1(t). Уменьшение (по модулю) этого напряжения приводит к уменьшению i _Б2 и транзистор VT 2 начинает закрываться. Это вызывает уменьшение коллекторного тока i _К2 и увеличение (по модулю) коллекторного напряжения u_К2, что по цепи обратной связи передается в базу транзистора VT 1, вызывая рост его базового тока i _Б1 и еще большее его отпирание и т. д. Таким образом, как показано на временных диаграммах (рис. 6.5), в момент t ₁ схема практически мгновенно переходит во второе квазиустойчивое состояние, в котором транзистор VT 1 открыт, а транзистор VT 2 закрыт. Это состояние обеспечивается тем, что заряженный ранее до напряжения E _К конденсатор С 1 через открытый транзистор VT 1 подключен к базе транзистора VT 2, обеспечивая его надежное запирание в течение всего второго квазиустойчивого состояния.

С момента t ₁ начинаются медленные переходные процессы в схеме. Суть их сводится к следующему. Ток базы транзистора VT 1 i _Б1 сначала скачком увеличивается, так как в первый момент этот ток определяется в основном составляющей, протекающей от источника напряжения Е _К через разряженный конденсатор С 2 и резистор R _К2, величина сопротивления которого значительно меньше сопротивления резистора R _Б2. По мере заряда конденсатора С 2 ток базы i _Б1 уменьшается до своего квазиустановившегося состояния γ І _Бн1, где γ = 1,2 … 1,5. Ток базы транзистора VT 2 i _Б2 в момент переключения меняет свой знак из-за подключения к эмиттерному переходу запирающего напряжения U _С1 конденсатора С 1, а по окончании процессов рассасывания объемного заряда базы и заряда паразитных емкостей становится равным нулю.

Напряжение на коллекторе транзистора VT 2, несмотря на то, что его коллекторный ток уменьшается скачкообразно до нуля, устанавливается не сразу, а нарастает по экспоненциальному закону с постоянной времени R _К2 C ₂. Это объясняется зарядом конденсатора С 2 через резистор R _К2.

Напряжение на конденсаторе С 1 U _С1 = U _Б1 уменьшается по экспоненциальному закону с постоянной времени R _Б1 C 1, изменяясь от начальной величины Е_К к напряжению источника смещения −Е_см. В момент времени t ₂ U _С1 == U _Б1 ≈ 0 происходит обратное переключение схемы, ход процессов в течение которого не отличается от рассмотренного.

Недостатком схемы простейшего MB является завал фронтов импульсов коллекторного напряжения. Этот недостаток устранен в схеме (рис. 6.4, а). Здесь восстановление заряда конденсаторов С 1 и С 2 происходит не через коллекторные сопротивления R _K1 и R _К2, а через специальные зарядные сопротивления R _з1 и R _з2. Диоды VD 1 и VD 2 не влияют на работу времязадающих цепей R _Б1 С 1 и R _Б2 С 2, но препятствуют протеканию зарядного тока в процессе восстановления напряжения на конденсаторах через коллекторные резисторы. Переходные процессы формирования U _K1 и U _К2 показаны на временных диаграммах (рис. 6.5) штриховыми линиями.

Рассмотрим основные соотношения, описывающие работу MB, по его эквивалентной схеме для одного из квазиустойчивых состояний (когда VT 1 открыт, a VT 2 закрыт − рис. 6.6). В этой схеме открытый транзистор VT 1 заменен эквипотенциальной точкой, закрытый транзистор VT 2 − источником І _Ко. Заряженный конденсатор С 1 опущен, так как не влияет на процессы, происходящие на этом этапе. Конденсатор С 1 перезаряжается.

 

 

Рисунок 6.6 − Эквивалентная схема МВ для квазиустойчивого состояния

 

Квазиустойчивое состояние этой схемы определяется двумя условиями:

1) ток i _Б1 должен быть не меньше тока базы насыщения І _Бн1;

2) напряжение u _Б2 должно быть больше нуля.

Второе условие выполняется самим принципом построения схемы

(u _Б2 = u _С1 > 0), а для выполнения первого запишем значение базового тока i _Б1:

 

. (6.2)

Так как І _Бн1= то условие (6.2) можно переписать в виде

 

(6.3)

 

откуда можно определить максимально допустимое значение сопротивления резистора R _Б2

 

(6.4)

 

Если принять Е _см = k E_к, то неравенство (6.4) окончательно запишется

R _Б2 ≤ β _min k R _К1. (6.5)

 

 

При E _см = Е _К , R _Б2 ≤ β _min R _К1

Временные параметры схемы можно определить, пользуясь уравнением (6.1) и эквивалентной схемой замещения. Величины U (∞), U (0) и U _пор для данной эквивалентной схемы принимают значения:

 

U (∞) = E _см + І _К0 R _Б1; (6.6)

 

U (0) = −(− E _К + І _К0 R _К1); (6.7)

 

U _пор = 0. (6.8)

Подставляя значение U (∞), U (0) и U _пор в уравнение (6.1), получим длительность импульса на выходе транзистора

 

(6.9)

где τ ₁ = R _Б1 C ₁.

Учитывая, что R _Б1 >> R _К1, и обозначив = υ, получим

 

. (6.10)

 

Здесь величина υ является фактором теплового тока, характеризующим отношение последнего к насыщающему току базы.

Аналогично для второго полупериода

 

, (6.11)

где τ ₂ = R _Б2 С ₂.

Если тепловой ток І _К0 очень мал (кремниевые транзисторы или низкая рабочая температура), а напряжение E _см = E _К, то формулы (6.10) и (6.11) упрощаются:

 

t _и1 = τ ₁ ln2 ≈ 0.7 С ₁ R ₁; (6.12)

 

t _и2 = τ ₂ ln 2 ≈ 0.7 С ₂ R ₂; (6.13)

 

В полностью симметричном мультивибраторе, в котором R _Б1 = R _Б2 = R; C ₁ = C ₂ = C, длительности полупериодов будут одинаковыми и полный период равен

T = t _и1 + t _и2 = 2 RC ln (6.14)

В факторе υ скрыта температурная зависимость длительности генерируемых импульсов, а следовательно, и рабочей частоты. С увеличением температуры возрастает ток І _К0, т.е. фактор υ, длительность импульсов уменьшается, а рабочая частота возрастает.

Регулировать частоту колебаний мультивибратора, как видно из формул (6.10) и (6.11), можно, изменяя постоянные времени τ ₁ и τ ₂ или коэффициент k, т.е. значение напряжения смещения E _см. Наиболее предпочтительно регулировать частоту изменением емкости конденсаторов С 1 и С 2, так как при этом не изменяются квазиустановившиеся режимы работы транзисторов. Однако изготовление конденсаторов с переменной емкостью является сложной задачей. Поэтому при необходимости изменять частоту в широком диапазоне используют ступенчатое подключение конденсаторов, разбивая весь диапазон регулирования на поддиапазоны, а внутри каждого поддиапазона регулируют величину напряжения смещения или величину сопротивлений резисторов R _Б1 и R _Б2. Следует отметить, что при изменении Е _см изменяется частота колебания мультивибратора без изменения скважности. При изменении же постоянных времени τ ₁ и τ ₂, независимо друг от друга, изменяются и частота, и скважность генерируемых импульсов.