Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Полупроводниковые интегральные микросхемы.
Вотличие от гибридных интегральных микросхем, состоящих из двух различных типов элементов (пленочных и навесных), полупроводниковые, интегральные микросхемы состоят из единого кристалла полупроводника, отдельные (локальные) области которого выполняют функции активных и пассивных элементов, между которыми существуют необходимые электрические соединения и изолирующие прослойки. Полупроводниковые ИМС имеют наиболее высокую степень интеграции элементов (свыше 104 элементов/см3) и позволяют получить максимальную надежность, так как количество соединений в них сведено к минимуму. В основу создания полупроводниковой ИМС положены групповой метод и планарная технология. Сущность группового метода, освоенного еще в дискретной полупроводниковой технике, состоит в том, что на пластине полупроводника одновременно изготавливается множество однотипных полупроводниковых приборов. Затем пластина разрезается на сотни отдельных кристаллов, содержащих по одному прибору данного типа. Полученные приборы помещаются в корпусы с внешними выводами и в таком виде поступают к разработчику аппаратуры. В дискретной полупроводниковой технике разработчик, составляя тот или иной функциональный узел (усилитель, генератор и т. п.), вынужден соединять полученные приборы один с другим и с иными элементами с помощью пайки, что, естественно, снижает надежность всего устройства. В интегральной технике на исходной полупроводниковой пластине одновременно изготавливаются не отдельные приборы, а целые функционально законченные узлы, состоящие из транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и т. д. Эти элементы соединяют один с другим не проводниками и пайкой, а короткими тонкими металлическими полосками, напыляемыми на поверхность пластины. Для этого коммутационные электроды всех элементов выводят на поверхность пластины и размещаются в одной плоскости в одном плане. Такую возможность обеспечивает специальная планарная технология изготовления полупроводниковых ИМС. Полупроводниковые интегральные схемы в основном изготавливаются из кремния. Выбор этот обусловлен тем, что по сравнению с германием он имеет большую запрещенную зону, меньшие обратные токи и более высокую рабочую температуру (до +125 °С). Кроме того, путем окисления поверхности кремния легко получить пленку двуокиси кремния, обладающую хорошими защитными свойствами.
Основными процессами создания компонентов полупроводниковых интегральных схем являются технологические процессы создания р-п переходов, с помощью которых формируются как активные, так и пассивные компоненты интегральных схем — транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и т. д. Такими процессами являются диффузия примесей в кремний и эпитаксиальное наращивание монокристаллических слоев кремния на кремниевую подложку, имеющую противоположный тип проводимости. В соответствии с этим по технологии изготовления современные интегральные схемы можно разделить на изготавливаемые с применением только процессов диффузии, и схемы, при создании которых используются как процессы диффузии, так и процессы эпитаксиального наращивания. Технология изготовления интегральных схем первого типа получила название планарной, а второго типа — эпшпаксиально-планарной. Особый тип полупроводниковых интегральных микросхем составляют микросхемы, выполненные по так называемой совмещенной технологии. В этом случае активные элементы изготовляют по планарной или эпитаксиально-планарной технологии в объеме проводникового кристалла, а пассивные элементы — методами пленочной технологии на его поверхности. В твердом теле полупроводника пассивные и активные элементы необходимо изолировать друг от друга во избежание коротких замыканий. По способу изоляции компонентов полупроводниковые ИМС можно разделить на две группы. 1. В схемах первой группы, изготавливаемых по планарной технологии, изоляция осуществляется образованием между элементами (группой элементов) дополнительных р-п переходов. При их формировании создаются изолирующие перегородки шириной 20— 30 мкм, которые разделяют пластинку кремния на отдельные микроучастки — «островки». Рис.3. Процесс формирования изолирующих р-п переходов: а – пластина кремния с окисной пленкой; б – пластина кремния после диффузии примеси и образования «островков».
В схемах второй группы, изготавливаемых по методу планарно-эпитаксиальной технологии, «островки» изолируются пленками двуокиси кремния. На рис. 4 в упрощенном виде показана технология получения «островков». Пластина монокристаллического кремния n-типа окисляется и на ней образуется пленка диоксида кремния (рис. 4, а). Затем в соответствии со схемой в пленке SiO2 вытравливаются канавки (рис. 4, б). Поверхность повторно окисляется (рис.4, в), образуя фигурный слой SiO2. На этот слой наращивается с помощью эпитаксии слой поликристаллического кремния собственной проводимости 3 (рис.4, г). После сошлифовки монокристаллического кремния образуются «островки» 4 (рис.4, д) в которых методом диффузии или эпитаксиальным наращиванием формируют необходимые элементы схем. Этот способ изоляции «островков» существенно уменьшает емкости между островками, токи утечки и увеличивает пробивное напряжение. Однако технология изготовления сложнее и стоимость изготовления схем соответственно более высокая.
Рис.4. Образование «островков» посредством использования изолирующей прослойки. Компонент ы полупроводниковых ИМС. Транзисторы. В современной интегральной полупроводниковой технике используются транзисторы двух типов — биполярные и полевые (МДП-транзисторы). Специфическая особенность их заключается в том, что изготавливаются они по планарной или эпитаксиально-планарной технологии. Рис.5. Изготовление биполярного транзистора методом планарно-диффузионной технологии: а – диффузия донорной примеси; б – формирование «островков»; в – повторная диффузия акцепторной примеси и формирование базовой области; г – образование эмиттерной области и формирование контактных площадок Плоская система позволяет простым способом — нанесением пленки двуокиси кремния — создать защиту от внешних воздействий. Благодаря защитному слою планарные структуры получили наибольшее распространение при изготовлении интегральных схем. На рис. 5 схематически показана последовательность операций при изготовлении биполярного транзистора методом планарно-диффузионной технологии. Диоды. В полупроводниковых ИМС диоды изготавливаются методами планарнойтехнологии одновременно с изготовлением транзисторов. На рис.6 показаны пять вариантов использования биполярного транзистора в качестве диода. Рис.6. Варианты использования биполярного транзистора в качестве диода: а, б – используется переход эмиттер-база; в – оба перехода включены параллельно, при этом обратный ток максимален; г, д – коллекторно-базовый переход, при этом получают диод общего назначения.
Резисторы. В полупроводниковых ИМС резисторы изготавливают методом локальной диффузии примеси в островки эпитаксиального слоя кремниевой заготовки. Причем образование резисторов идет одновременно с созданием эмиттерной и базовой областей транзистора. Конденсаторы. В полупроводниковых ИМС в качестве конденсаторов используют барьерную емкость р-п перехода, который формируется в островках кремниевой пластины одновременно с формированием транзисторов ИМС способом диффузии; р-п переход включается в обратном направлении. Индуктивности. Наиболее трудно выполнимыми элементами ИМС являются индуктивности. В настоящее время не существует метода получения индуктивностей классического вида в твердых схемах. Поэтому в них искусственно создают схемные элементы, реализующие индуктивный эффект (отставание тока от напряжения по фазе). Такими элементами могут быть: реактивные транзисторы. При конструировании ИМС в основном применяют навесные миниатюрные катушки индуктивности.
Переход от технологии полупроводниковых интегральных схем к технологии БИС характеризует современную тенденцию, связанную с интеграцией не только элементов, но и целых узлов. Причины перехода к БИС вызваны также необходимостью сократить целый ряд операций, обладающих низкой надежностью при производстве обычных интегральных схем. К ним относятся резка пластины, установка кристалла в корпус, присоединение кристалла к выводам, установка отдельных корпусов на печатной плате и т. д. Во всех этих случаях имеются технологические операции, обладающие пониженной надежностью (герметизация, термокомпрессия и т. д.). Главная цель перехода к БИС — получение более высоких качественных показателей и большей надежности электронных устройств при меньших затратах. Повышение надежности БИС обусловлено, главным образом, применением более качественных компонентов, уменьшением количества сварных соединений и числа технологических операций. По технологическому признаку различают гибридные и полупроводниковые (монолитные) БИС. Для построения гибридных БИС применяют многослойную толсто- или тонкопленочную разводку, позволяющую осуществить коммутацию бескорпусных интегральных микросхем и пленочных пассивных элементов. Дискретные элементы и микросхемы монтируются с помощью жестких (шариковых) выводов. При изготовлении полупроводниковых БИС применяют базовые кристаллы в виде матриц биполярных или полевых (МДП) транзисторов.
|
|||||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-12-15; просмотров: 33; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.134.78.106 (0.015 с.) |