Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Общие сведения о полупроводниках
Согласно зонной теории у большинства используемых в технике полупроводников ширина запрещенной зоны ΔW = 0,05 – 3,2 эВ. Благодаря сравнительно небольшой ширине запрещенной зоны под влиянием поглощения некоторого количества энергии отдельные возбужденные электроны могут быть переброшены через запрещенную зону в зону проводимости (передача энергии электронам может происходить посредством температуры, света, электрического поля, механических усилий и т. д.). На месте электронов, ушедших из заполненной зоны, остаются свободные места – «электронные дырки». При приложении к полупроводнику внешнего электрического поля электроны перемещаются в одном направлении, а дырки – в другом. Используемые в практике полупроводниковые материалы могут быть подразделены на следующие группы: 1. Простые (собственные, чистые) полупроводники – это полупроводники, не содержащие примесей. 2. Примесные полупроводники. Их можно разделить на две подгруппы: а) примеси замещения, б) примеси внедрения. 3. Полупроводниковые химические соединения. 4. Полупроводниковые комплексы. Собственными называются полупроводники, не содержащие примесей. Для полупроводников характерна исключительная чувствительность удельной проводимости к различным примесям. Например, при введении в химически чистый германий всего 0,001 % мышьяка его удельная проводимость увеличится в 10 000 раз. Простых полупроводников существует около десятка. В современной технике приобрели особое значение кремний, германий и частично селен. Для наиболее широко используемых собственных полупроводников ширина запрещенной зоны составляет ΔW = 0,5–2,5 эВ. У примесных полупроводников в рабочем интервале температур поставщиками свободных носителей заряда являются примеси. Ощутимая концентрация собственных носителей появляется при возможно более высокой температуре, чем рабочий интервал температур. Чаще других в качестве основного полупроводника применяют элементы IV группы: кремний (ΔW = 1,12 эВ) и германий (ΔW = 0,72 эВ). Примеси бывают: замещения и внедрения. В примесях замещения атомы примесей находятся в узлах кристаллической решётки. Примеси замещения можно разделить на доноры и акцепторы. Рассмотрим разницу в их влиянии на основной полупроводник на примере основного полупроводника – германия.
Германий (Ge) относится к IV группе, т. е. у него на внешней оболочке четыре валентных электрона. Он образовывает в кристалле четыре ковалентные связи с соседними атомами. Если к германию добавить примесь мышьяка, который относится к V группе и имеет на внешней орбите пять валентных электронов, то пятый электрон в ковалентной связи не участвует. Со своим атомом он связан только силой кулоновского взаимодействия, энергия этой связи W ≈ 0,01 – 0,1 эВ. Такая примесь называется донорной (дающей). Полупроводник с такой примесью имеет концентрацию электронов, большую, чем концентрацию дырок. Эти полупроводники называются полупроводниками n-типа. Если к германию добавить примесь индия, который относится к III группе и имеет на внешней орбите три валентных электрона, то в одной из ковалентных связей появится вакантное место – дырка. Такая примесь называется акцепторной, и полупроводник будет иметь концентрацию дырок, большую, чем концентрация электронов, перешедших из валентной зоны в зону проводимости. Эти полупроводники относятся к полупроводникам p-типа. Примеси внедрения располагаются не в узлах, вместо основного элемента, а в межузловых пространствах. Тип электропроводности в этом случае зависит от размеров примесных атомов. Если внедрять в тесные межузловые пространства решётки германия большой по размерам атом лития, то это оказывается возможным только после отрыва у него единственного электрона с внешней орбиты. Образовавшийся ион лития меньше размером и помещается в межузловое пространство, а освободившийся электрон обуславливает электропроводность n-типа. Внедрение в межузловое пространство атома кислорода, имеющего сравнительно небольшие размеры и шесть электронов на внешней орбите, приводит наоборот к захвату атомом кислорода двух электронов (до восьми) из атомов полупроводника, вследствие чего возникает электропроводность p-типа.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-12-15; просмотров: 53; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.22.61.73 (0.007 с.) |