Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Тенденции развития больших интегральных схем
Подавляющее большинство устройств вычислительных машин и систем реализуются на базе полупроводниковых технологий в виде сверхбольших интегральных микросхем (СБИС). Каждое нововведение в области архитектуры вычислительных машин и систем требует усложнение схемы процессора или его составляющих и, следовательно, размещения на кристалле СБИС все большего количества логических или запоминающих элементов. Решение подобной задачи возможно двумя путями:
Увеличение размера кристалла связано с технологическими трудностями выращивания кристаллов особо чистых веществ. Кристаллической подложкой микросхемы служит тонкая пластина, являющаяся срезом цилиндрического бруска полупроводникового материала. Полезная площадь подложки ограничена вписанным в окружность квадратом или прямоугольником. Увеличение диаметра кристаллической подложки на 10% на практике позволяет получить до 60% прироста количества транзисторов на кристалле. Изготовление кристалла большего размера без ухудшения однородности его свойств во всем объеме связано с большими технологическими трудностями, с достижениями физической химии. Тенденции увеличения размеров кристаллической подложки иллюстрируются на рис.1.13.
Точки излома на графике соответствует годам, в которые изменение размера кристалла было повсеместно. Каждому переходу обычно предшествуют исследования (2 – 3 года), переход на пластины увеличенного диаметра происходит в среднем один раз в 9 лет. Увеличение емкости СБИС связано с уменьшением размеров элементарных транзисторов и, следовательно, с увеличением плотности их размещения на кристалле. Эту тенденцию эволюции СБИС описывает эмпирический закон Мура, утверждающий, что каждые 12 месяцев число транзисторов на кристалле микросхемы удваивается. В 1995 году Мур уточнил свои предсказания, заметив, что начиная с 80-х темп спадает и удвоение числа транзисторов далее будет происходить каждые 24 месяца.
Создание интегральных микросхем начинается с изготовления методом литографии маски, определяющей структуру будущей микросхемы. Далее маска накладывается на полупроводниковую пластину и облучается, в результате чего и формируется микросхема. Технология литографии позволяет получить размер элемента, не превышающего 0,13 мкм. Новая тенденция в технологии - переход от алюминиевых соединительных линий на кристалле на медные позволяет повысить быстродействие СБИС примерно на 10% с одновременным снижением потребляемой мощности. Медные проводники обладают меньшим электрическим сопротивлением, могут быть изготовлены меньшей ширины и, следовательно, можно увеличить плотность упаковки логических элементов в СБИС.
|
|||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-12-15; просмотров: 48; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.141.244.201 (0.003 с.) |