Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Постоянные запоминающие устройства (пзу): программируемые маской на основе диодов и моп транзисторов; пзу, однократно программируемые пользователем; репрограммируемые пзу. ⇐ ПредыдущаяСтр 7 из 7
ПЗУ Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) - энергонезависимая память, используется для хранения массива неизменяемых данных. ПЗУ, программируемые маской на основе диодов и МОП-транзисторов В масочные ЗУ типа ROM(M) данные заносятся при изготовлении микросхем с помощью маски (шаблона) на завершающем этапе технологического процесса. Элементом памяти или связи между строками и столбцами могут быть полупроводниковые диоды, биполярные транзисторы, МОП-транзисторы и другие. В матрице с диодными элементами в узлах, символизирующих лог. 1, изготавливается полноценный диод, а в узлах, символизирующих лог. 0, присутствует неработоспособный диод. Это позволяет использовать один шаблон при изготовлении микросхемы и удешевить производство. Для матриц с МОП-транзисторами при изготовлении транзисторов, символизирующих лог. 0, увеличивают толщину подзатворного слоя. В таких транзисторах paбочее напряжение ЗУ не в состоянии открыть транзистор, что равноценно его отсутствию. Изменить данные в масочных ЗУ после их записи невозможно. ПЗУ, однократно программируемые пользователем Микросхемы программируемых ПЗУ по принципу построения и функционированию аналогичны маскированным ПЗУ, но имеют существенное отличие в том, что допускают программирование на месте своего применения пользователем. Матрица перед программированием (в исходном состоянии) содержит однородный массив перемычек, которые соединяют строки и столбцы во всех точках их пересечений. Перемычка – основной элемент для обеспечения хранения информации (при наличии перемычки цепь замкнута, ток течет – состояние лог. 1; при отсутствии перемычки или если она разорвана цепь так же разорвана, ток не течет – состояние лог. 0). Поэтому операция организации таких перемычек называется программированием ПЗУ. Пользователь в соответствии со своими потребностями может однократно «пережечь» перемычку, таким образом превратив лог. 1 в лог. 0. Репрограммируемые ПЗУ Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) – это ПЗУ, способные не только долго хранить информацию при отсутствии питания (энергонезависимые), но и позволяющие записывать на них новую информацию электрическим способом. Это свойство микросхемы имеют благодаря применению элементов памяти с возможностью управляемой перемычки.
Функции таких элементов памяти выполняют транзисторы со структурой МНОП (или транзисторы со структурой ЛИЗМОП – полупроводник с лавинной инжекцией заряда). Микросхемы РПЗУ подразделяют на две группы: стираемые электрическим сигналом (РПЗУ-ЭС) и стираемые УФ излучением (РПЗУ-УФ). Элемент памяти со структурой МНОП представляет собой МОП-транзистор с индуцированным каналом n – или р – типа, имеющий двуслойный диэлектрик под затвором. Верхний слой сформирован из нитрида кремния, нижний — из оксида кремния, причем нижний слой значительно тоньше верхнего. Если к затвору относительно подложки приложить импульс напряжения положительной полярности с амплитудой 30-40 В, то под действием сильного электрического поля между затвором и подложкой электроны получат достаточную энергию, чтобы преодолеть тонкий диэлектрический слой и попасть на границу раздела двух диэлектриков. Поскольку верхний слой имеет значительную толщину, то электроны не могут его пройти и накапливаются внутри подзатворного слоя. Накопленный под затвором заряд электронов снижает пороговое напряжение МНОП-транзистора. Состояние элемента памяти, содержащего под затвором заряд, соответствует лог. 1. Если же заряда нет – это лог. 0. Процесс программирования микросхем РПЗУ-ЭС происходит в два этапа. На первом этапе стирают информацию во всех МНОП - элементах памяти. Для этого импульсом напряжения отрицательной полярности, прикладываемым на затвор относительно подложки, с амплитудой 30-40 В электроны вытесняются из подзатворного диэлектрика в подложку. Следовательно, после стирания информации элемент памяти принимает состояние лог. 0. На втором этапе уже в нужные элементы памяти производят запись напряжением положительной полярности.
24. Аналого-цифровые преобразователи (АЦП). Структурная схема, назначение, основные параметры, типы. Процессы дискретизации, квантования и кодирования сигнала. Принципиальная схема АЦП прямого преобразования. Аналого-цифровые преобразователи – преобразователи входной физической величины в ее числовое представление (преобразователи аналогового сигнала в цифровой). Структурная схема АЦП прямого преобразования:
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-07-18; просмотров: 124; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.116.63.236 (0.006 с.) |