Определение параметров транзистора

Цель работы: определить параметры транзистора по статическим характеристикам.

Теоретические основы работы:

Схема включения транзистора с общей базой (ОБ) – рис. 7

 

 

Рис. 7.

 

 

Iвх = Iэ; Iвых = Iк; Uвх = Uбэ; Uвых = Uбк

 

α = Iвых / Iвх = Iк / Iэ – коэффициент усиления по току

 

Rвх.б = Uвх / Iвх = Uбэ / Iэ – входное сопротивление

 

Недостатки схемы с ОБ:

- схема не усиливает ток (α<1)

- малое входное сопротивление

- два разных источника напряжения для питания

 

Достоинства схемы с ОБ:

- хорошие температурные и частотные свойства

 

 

Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) – рис. 8

 

 

Рис. 8

 

Iвх = I_Б; Iвых = Iк; Uвх = Uбэ; Uвых = Uкэ

 

β = Iвых / Iвх = Iк / I_Б – коэффициент усиления по току

 

Rвх.э = Uвх / Iвх = Uбэ / I_Б – входное сопротивление

 

Достоинства схемы с ОЭ:

- большой коэффициент усиления по току

- большее, чем у схемы с ОБ, входное сопротивление

- для питания схемы требуются два однополярных источника, что позволяет на практике обходиться одним источником питания

 

Недостатки схемы с ОЭ:

- худшие, чем у схемы с ОБ, температурные и частотные свойства

 

 

Статическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором изменение входного тока или напряжения не вызывает изменения выходного напряжения.

 

Статические характеристики бывают входные и выходные.

Входная характеристика – это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении.

Iвх = f (Uвых) при Uвых = const

Iэ = f (Uбэ) при Uбк = const – для схемы с ОБ

 

 

Рис. 9. Схема для снятия статических характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ

 

 

I_Б = f (Uбэ) при Uкэ = const – для схемы с ОЭ

 

 

Рис. 10. Схема для снятия статических характеристик транзистора, включенного по схеме с ОЭ

 

Выходная характеристика – это зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе.

 

Задание на практическую работу

 

 

По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определить коэффициент усиления по току β для точки А, характеризующейся напряжением коллектор - эмиттер Uкэ и током базы I_Б. Пересчитать коэффициент усиления по току этого транзистора α при его включении по схеме с общей базой. Данные для своего варианта взять из таблицы 2.1.

 

Таблица 2.1

Номер варианта	Номер рисунка	Точка А		Номер варианта	Номер рисунка	Точка А
		Uкэ, В	IБ,   А			Uкэ, В	IБ, А
1	1.1	10	8	31	1.7	35	400
2	1.2	35	100	32	1.8	7.5	250
3	1.3	10	1500	33	1.1	35	6
4	1.4	5	10	34	1.2	10	100
5	1.5	7.5	1000	35	1.3	20	300
6	1.6	15	30	36	1.4	12.5	40
7	1.7	20	600	37	1.5	10	2000
8	1.8	10	100	38	1.6	20	50
9	1.1	15	4	39	1.7	15	200
10	1.2	30	150	40	1.8	5	300
11	1.3	15	1200	41	1.1	5	6
12	1.4	15	30	42	1.2	10	200
13	1.5	5	500	43	1.3	25	600
14	1.6	25	90	44	1.4	17.5	30
15	1.7	30	100	45	1.5	12.5	2000
16	1.8	12.5	150	46	1.6	10	70
17	1.1	20	12	47	1.7	25	300
18	1.2	20	200	48	1.8	7.5	150
19	1.3	30	600	49	1.1	30	4
20	1.4	10	50	50	1.2	5	100
21	1.5	15	1500	51	1.3	35	1500
22	1.6	30	70	52	1.4	2.5	40
23	1.7	10	300	53	1.5	17.5	1500
24	1.8	15	200	54	1.6	25	50
25	1.1	25	10	55	1.7	15	400
26	1.2	15	50	56	1.8	12.5	300
27	1.3	35	900	57	1.1	20	8
28	1.4	7.5	20	58	1.2	30	100
29	1.5	12.5	500	59	1.3	25	1200
30	1.6	35	50	60	1.4	12.5	30

 

 

 

 

                  Рисунок 1.1                                                                       Рисунок 1.2

 

 

                                                                                                  

 

 

 

 

                         Рисунок 1.3                                                                Рисунок 1.4

 

                   Рисунок 1.5                                                                  Рисунок 1.6

 

 

 

 

                   Рисунок 1.7                                                               Рисунок 1.8

 

 

Контрольные вопросы:

 

1. Назначение, классификация, устройство и принцип действия транзисторов

2. Схемы включения биполярных транзисторов

3. Статический режим работы транзистора

4. Статические характеристики транзисторов