1. ПАТЕНТНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
№№, названия выявленных аналогов
| Анализ технических решений, темы.
Выводы и рекомендации
|
Патент RU №2118585
МПК: B23K3/00, B23K101:40, H01L21/00
Дата публикации: 10.09.1998
| Способ монтажа деталей полупроводникового прибора к основанию, отличающийся тем, что поверхность металлического основания под кристаллом выполняют ребристой с одинаковыми направлениями ребер, а на поверхности основания, вне расположения кристалла, формируют пуклевку.
|
Способ бессвинцовой пайки полупроводникового кристалла
Патент RU №2278444
МПК: H01L21/52
Дата публикации: 20.06.2006
| Способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу, включающий нанесение цинка на паяемую поверхность кристалла и пайку к основанию корпуса, покрытому оловом, отличающийся тем, что на пленку цинка дополнительно наносят оловянно-висмутовое покрытие с содержанием висмута 0,4-0,9%.
|
Способ монтажа кристаллов больших размеров в корпуса
Патент RU №2212730
МПК: H01L21/52
Дата публикации: 20.09.2003
| Способ монтажа полупроводниковых кристаллов больших размеров в корпуса, отличающийся тем, что на алюминий на коллекторной стороне кристалла наносят цинк, а пайку осуществляют к основанию корпуса, покрытому оловом, при этом толщины слоев цинка и олова выбирают из условия получения необходимой толщины паяного шва и образования эвтектического сплава цинк-олово.
|
Способ посадки кремниевого кристалла
Патент RU №2359360
МПК: H01L21/58
Дата публикации: 20.06.2009
| В способе посадки кремниевого кристалла на основание корпуса последовательно напыляют в едином технологическом цикле на посадочную поверхность кремниевого кристалла три металла: хром-никель-серебро (Cr-Ni-Ag), а пайку кристаллов к основанию корпуса проводят при температуре 300-320°С в течение 3-5 с. Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.
|
Способ сборки полупроводниковых приборов
Патент RU №2387045
МПК: H01L21/58
Дата публикации: 20.04.2010
| Способ сборки полупроводниковых приборов, предусматривающий пайку кристаллов к корпусам, для осуществления которой используют инструмент, состоящий из двух электродов, разделенных изолятором, в изоляторе имеется трубка для соединения с вакуумной системой, а в боковой верхней части инструмента расположена втулка для подключения к компрессору для подачи защитного газа в зону пайки, в инструменте на высоте Н от рабочей площадки электродов расположены радиальные отверстия для выхода газа из зоны пайки.
|
Способ присоединения кристалла ИС.
Патент США, № 4772935,
МПК Н 01 L 21/58,
опубл.. НКИ 357/71.
Дата публикации: 20.09.1988
| Процесс монтажа кремниевого кристалла на плату (рамку), обеспечивающий качественный сплошной шов без отслаивания и предотвращающий паразитную диффузию кремния, что достигается путем формирования на обратной стороне кристалла многослойной структуры Ti/W/Au в которой Ti выполняет роль материала, повышающего адгезию барьерного W, а Au обеспечивает сварку с эвтектическим сплавом при температуре 3050С. Tолщины Ti, W, Au составляют 50, 50, 500 нм соответственно.
|
Способ сборки кристаллов
Заявка 60-121731, Япония,
МПК Н 01 L 21/58.
Дата публикации: 29.06.1985.
| Предлагается способ сборки кристаллов в керамический корпус. В последнем изготавливают углубление, поверхность которого покрывается слоем серебра. Затем в центре углубления крепят полупроводниковый кристалл с использованием сплава на основе свинца, содержащего 3-10 мас%In и 2-5мас% As. Использование припоя Pb-In-As снижает стоимость приборов в целом.
|
Метод сборки полупроводникового прибора в корпус.
Патент США №4631805,
МПК Н 01 L 23/48
Дата публикации: 30.12.1986.
| Кристалл прибора, на обратной стороне которого предварительно формируется Ti/Ni/Ag-композиция, монтируется на кристаллодержатель с помощью специального припоя, содержащего 61-69%Sn, 8-11%Sb, 23-28%Ag, что обеспечивает низкоомный омический контакт кристалла к кристаллодержателю и качественный теплоотвод. Формирование проволочного монтажа между электродами прибора и выводами корпуса осуществляется с помощью медной проволоки методом УЗ-приварки.
|
Способ присоединения кристалла к основанию корпуса.
Патент США №4826070
МКИ В 23 К 31/00/
Дата публикации: 02.05.1989
| Предлагается способ присоединения кристалла GaAs-ПТШ, позволяющий устранить образование раковин в припое и на границе раздела припой/кристалл, и уменьшить тепловое сопротивление сборки. Предварительно под электродом истока ПТШ с обратной стороны подложки создается сквозное отверстие. На внутреннюю поверхность отверстия и обратной стороны подложки осаждается слой металла. Затем на основание корпуса наноситься припой состава 80% Au и 20% Sn и на нем располагается кристалл. Процесс пайки проводиться в вакуумной камере в два этапа: дегазация припоя при нагревании корпуса до 1500С в течение 15 мин и непосредственно пайка при температуре 2800С в течение 3-5мин.
|
Способ пайки.
Патент США №4927069,
МПК В 23 К 1/12.
Дата публикации: 22.05.1990
| Способ монтажа кристаллов полупроводниковых приборов на многокадровую выводную рамку с помощью припоя, позволяющего уменьшить тепловое сопротивление соединения. Посадка кристалла производиться после нагрева рамки с локально нанесенными слоями флюса и припоя до температуры активации флюса 2400С с последующей выдержкой в течение 20 с при температуре 2900С с приложением механической нагрузки на кристалл в конце этой выдержки и процессе охлаждения припоя.
|
2. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ЛИТЕРАТУРА И ТЕХНИЧЕСКАЯ
(указываются библиографические данные источников информации, достаточные для нахождения охарактеризованных в них аналогов)
1. http://www.belgospatent.org.by/ - Национальный центр интеллектуальной собственности.
2. http://www.fips.ru/russite – патентная база Российского патентного ведомства.
3. http://www.google.ru/patents – патентная база Европейской патентной организации и патентного бюро США.