На каком принципе построены элементы памяти репрограммируемых зу.

Русские синонимы термина RAM: ОЗУ (оперативные ЗУ) или ЗУПВ (ЗУ с произвольной выборкой). Оперативные ЗУ хранят данные, уча­ствующие в обмене при исполнении текущей программы, которые могут быть изменены в произвольный момент времени. Запоминающие элементы ОЗУ, как правило, не обладают энергонезависимостью. В ROM (русский эквивалент — ПЗУ, т. е. постоянные ЗУ) содержимое либо вообще не изменяется либо изменяется, но редко и в специальном режиме. Для рабочего режима это "память только для чтения. RАМ делятся на статические и динамические. В первом варианте запоми­нающими элементами являются триггеры, сохраняющие свое состояние, пока схема находится под питанием и нет новой записи данных. Во втором варианте данные хранятся в виде зарядов конденсаторов, образуемых элементами МОП-структур. Саморазряд конденсаторов ведет к разрушению данных, поэтому они должны периодически (каждые несколько миллисекунд) регенерироваться. В то же время плотность упаковки динамических элементов памяти в несколько раз превышает плотность упаковки, дости­жимую в статических RAM. Регенерация данных в динамических ЗУ осуществляется с помощью специ­альных контроллеров. Разработаны также ЗУ с динамическими запоминаю­щими элементами имеющие внутреннюю встроенную систему регенерации, у которых внешнее поведение относительно управляющих сигналов стано­вится аналогичным поведению статических ЗУ. Такие ЗУ называют квази­статическими. Статические ЗУ называются SRAM (Static RAM), а динамические — DRAM (Dynamic RAM). Статические ОЗУ можно разделить на асинхронные, тактируемые и син­хронные (конвейерные). В асинхронных сигналы управления могут задаваться как импульсами так уровнями. Например, сигнал разрешения работы CS может оставаться неизменным и разрешающим на протяжении многих цик­лов обращения к памяти. В тактируемых ЗУ некоторые сигналы обязатель­но должны быть импульсными, например, сигнал разрешения работы CS в каждом цикле обращения к памяти должен переходить из пассивного со­стояния в активное (должен формироваться фронт этого сигнала в каждом цикле). Этот тип ЗУ называют часто синхронным. Здесь использован тер­мин "тактируемые", чтобы "освободить" термин "синхронные" для новых типов ЗУ, в которых организован конвейерный тракт передачи данных, син­хронизируемый от тактовой системы процессора, что дает повышение темпа передач данных в несколько раз. Динамические ЗУ характеризуются наибольшей информационной емкостью и невы­сокой стоимостью, поэтому именно они используются как основная палять ЭВМ. Статические ЗУ в 4.5 раз дороже динамических и приблизительно во столько же раз меньше по информационной емкости. Их достоинством яв­ляется высокое быстродействие, а типичной областью использования — схемы кэш-памяти. Постоянная память типа ROM(М) программируется при изготовлении методами интегральной технологии с помощью одной из используемых при этом масок. В русском языке ее можно назвать памятью типа ПЗУМ (ПЗУ масочные). Для потребителя это в полном смысле слова постоянная память, т. к. изменить ее содержимое он не может.

В следующих трех разновидностях ROM в обозначениях присутствует буква Р (от Programmable). Это программируемая пользователем память (в русской тер­минологии ППЗУ - программируемые ПЗУ) Ее содержимое записывается либо однократно (в ROM) либо может быть заменено путем стирания ста­рой информации и записи новой (в EPROM и EEPROM). В EPROM стира­ние выполняется с помощью облучения кристалла ультрафиолетовыми луча­ми, ее русское название РПЗУ-УФ (репрограммируемое ПЗУ с УФ-стиранием). В EEPROM стирание производится электрическими сигналами. ее русское название РПЗУ-ЭС (репрограммируемое ПЗУ с электрическим стиранием). Английские названия расшифровываются как Electrically Programmable ROM и Electrically Erasable Programmable ROM. Программиро­вание FROM и репрограммирование EPROM и EEPROM производятся в обычных лабораторных условиях с помощью либо специальных программато­ров, либо специальных режимов без специальных приборов (для EEPROM). Запись данных и для EPROM и для EЕPROM производится электрическими сигналами. В ЗУ с последовательным доступом записываемые данные образуют некото­рую очередь. Считывание происходит из очереди слово за словом либо в порядке записи, либо в обратном порядке. Память типа Flash по запоминающему элементу подобна памяти типа EEPROM, но имеет структурные и технологические особенности, позволяющие выделить ее в отдельный вид.