И методические указания по их изучению

 

  2.1. Модуль 1. Элементная база электроники.

2.1.1.Содержание модуля. Электропроводность полупроводниковых материалов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Электронно-вакуумные приборы. Фотоэлектрические и оптоэлектронные приборы. Пассивные элементы электроники. Конструктивная база микроэлектроники.

2.1.2.Методические указания по изучению модуля 1. Студенты самостоятельно прорабатывают лекции и рекомендуемую литературу и отвечают на вопросы для самоконтроля.

2.1.3.Вопросы для самоконтроля.

1. Электропроводность полупроводниковых материалов.

2. Прямое и обратное включение р-n перехода.

3. Лавинный и туннельный пробой р-n перехода.

4. Полупроводниковый выпрямительный диод.

5. Стабилитрон. Стабистор.

2.1.4. Задания для самостоятельной работы.

1. Работа полупроводниковых приборов основана на протекании электрического тока

1) в твердом теле.

2) в вакууме.

3) в газе.

4) во всех вышеперечисленных средах.

2. Общими свойствами полупроводниковых, электронных и ионных приборов являются:

1) нелинейность их вольт-амперных характеристик.

2) зависимость их сопротивлений от приложенного напряжения и его полярности.

3) образование тока потоком электронов.

4) все вышеперечисленные свойства. 

3. Общими свойствами диэлектриков и полупроводников являются:

1) отсутствие запрещенной зоны на энергетической диаграмме.

2) наличие запрещенной зоны на энергетической диаграмме.

3) одинаковая ширина запрещенной зоны на энергетической диаграмме.

4) все вышеперечисленные свойства.

  Модуль 2. Электронные устройства

2.2.1. Содержание модуля. Электронные усилители. Об­ратная связь в усилителях. Многокаскадные усилители. Усилители постоянного тока. Операционные усилители. Ге­нераторы гармонических коле­баний. Средства электропита­ния электронной аппаратуры. Выпрямители и сглаживающие фильтры. Импульсные устройства. Циф­ровые и логические приборы.

2.2.2. Методические указания по изучению модуля 2. Программа дисциплины предусматривает изучение данного материала на лекции, семинарском занятии и при самостоятельной работе.

2.2.3. Вопросы для самоконтроля.

1. Усилительный каскад с общим эмиттером.

2. Усилительный каскад с общим коллектором.

3. Построение нагрузочной прямой по постоянному и переменному току.

4. Обратная связь в усилителях.

5. Фазоинвертор (фазовращатель).

2.2.4. Задания для самостоятельной работы.

1. Полупроводники с акцепторной примесью называются полупроводниками

1) Р – типа.

2) n – типа.

3) n-p – типа.

2. Основными носителями заряда в полупроводниках n – типа являются:

1) электроны.

2) дырки.

3) ионы.

4) все вышеперечисленные заряды.

3. При высокой температуре электропроводность полупроводников всегда

1) собственная.

2) электронная.

3) дырочная.

4) все вышеперечисленные типы.

  Модуль 3. Микропроцессорные средства

2.3.1. Содержание модуля. Архитектура микропроцессор­ных систем. Команды микро­процессоров. Сопряжение микропроцессорных систем с внешними устройствами. ЦАП и АЦП.

2.3.2. Методические указания по изучению модуля 3. Программа дисциплины предусматривает изучение данного материала на лекции, семинарском занятии, выполнение лабораторных работ и при самостоятельной работе.

2.3.3. Вопросы для самоконтроля.

1. Архитектура микропроцессорных систем. Типовая структура микро-ЭВМ.

2. Па­мять. Устройства ввода-вывода. Архитектура микропроцессо­ра.

3. Работа микропроцессора и устройств микро-ЭВМ при выполнении программы.

4. Алгоритмические языки для микропроцессоров (ас­семблеры, язык Форт и др.). Простейшие конструкции языка.

5. Команды пересылки, арифметических; и логических операций, сдвигов, управления, ввода-вывода.

2.3.4. Задания для самостоятельной работы.

1. Принцип действия емкостного диода (варикапа) основан на использовании

1) зависимости барьерной емкости p-n – перехода от приложенного к диоду обратного напряжения.

2) зависимости барьерной емкости p-n – перехода от ширины запирающего слоя.

3) зависимости барьерной емкости p-n – перехода от температуры.

2. Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного пробоя, называется:

1) обращенным диодом.

2) фотодиодом.

3) стабилитроном.

4) выпрямительным диодом.

3. Туннельный эффект используется в полупроводниковых приборах, которые называются:

1) туннельными диодами.

2) обращенными диодами.

3) магнитодиодами.

  Модуль 4. Технические средства связи в сельском хозяйстве

2.4.1. Содержание модуля. Телефон­ная и радиосвязь. Принцип по­строения радиопередающих и приемных устройств.

2.4.2. Методические указания по изучению модуля 4. Студенты самостоятельно прорабатывают лекции и рекомендуемую литературу и отвечают на вопросы для самоконтроля.

2.4.3.Вопросы для самоконтроля.

1. Телефонная связь. Принцип телефонной связи по про­водам. Принцип действия устройств телефонного аппарата. Телефонные станции, АТС.

2. Радиосвязь. Принцип радиосвязи. Распространение радиоволн. Антенные устройства.

3. Радиопередающие устройства, основные характерис­тики. Принципы модуляции: ЧМ, AM, ФМ и др. Функци­ональные схемы радиопередатчиков.

4. Радиоприемные устройства, основные характеристик» Принцип детектирования. Функциональные схемы радиопри­емников. Типы радиостанций, применяемых в сельском хозяй­стве.

5. Применение средств связи в сельском хозяйстве. Дис­петчерская связь. Сетевые системы передачи данных. Связь по силовым линиям электропередачи.

2.4.4. Задания для самостоятельной работы.

1. Необратимо разрушает p-n – переход следующий вид пробоя:

1) электрический.

2) тепловой.

3) все виды пробоя.

2. Для получения более высокого обратного напряжения выпрямительные диоды можно включать:

1) последовательно.

2) параллельно.

3) более сложное соединение.

3. Условное графическое обозначение варикапа имеет вид:

1) КВ117А.

2) КД213.

3) КД202Р.

Раздел 3. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И ЗАДАНИЯ ДЛЯ