Комплект оценочных средств предназначен для оценки результатов освоения дисциплины «Прикладная электроника»
Таблица 1
Результаты освоения
(объекты оценивания)
| Основные показатели оценки результата и их критерии
| Тип задания;
№ задания
| Форма аттестации
(в соответствии с учебным планом)
|
Уметь различать полупроводниковые диоды, биполярные транзисторы и полевые транзисторы, тиристоры на схемах и в изделиях
| Определение назначения элементов
| Индивид. задание
Практическая работа
| Текущий контроль, Экзамен
|
Уметь определять назначение и свойства основных функциональных узлов аналоговой электроники: усилителей, генераторов в схемах
| Знание основных исполнений элементов
| Индивид. задание
Практическая работа
| Текущий контроль
|
Знание обозначений основных элементов схем
| Индивид. задание
Практическая работа
| Текущий контроль
|
Определение назначения узлов
| Индивид. задание
Практическая работа
| Текущий контроль
|
Знание основных принципов выполнения узлов
| Индивид. задание
Практическая работа
| Текущий контроль
|
Уметь использовать операционные усилители для построения различных схем;
| Использование основных формул и приемов расчета
| Индивид. задание
Практическая работа
| Текущий контроль, Экзамен
|
Знание схем на операционных усилителях
| Индивид. задание
Практическая работа
| Текущий контроль
|
Уметь применять логические элементы для построения логических схем, грамотно выбирать их параметры и схемы включения.
| Применение логических элементов
| Тест, устный опрос
| Текущий контроль, Экзамен
|
Знать принципы функционирования интегрирующих и дифференцирующих RC цепей
| Знание работы интегрирующих и дифференцирующих RC цепей
| Тест, устный опрос
| Текущий контроль
|
Знать технологии изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов и транзисторов, тиристора, аналоговых электронных устройств;
| Знание принципов устройства функционирования полупроводниковых диодов и транзисторов, тиристора,
| Тест, устный опрос
| Текущий контроль
|
Знанть свойства идеального операционного усилителя
| Знание определений, правил анализа, свойств
| Тест, устный опрос
| Текущий контроль
|
Знать принципы действия генераторов прямоугольных импульсов, мультивибраторов
| Знание принципов работы, временных диаграмм
| Тест, устный опрос
| Текущий контроль
|
Знатьособенности построения диодно-резистивных, диодно-транзисторных и транзисторно-транзисторных схем реализации булевых функций
| Выделение диодно-резистивных, диодно-транзисторных и транзисторно-транзисторных схем, булевых функций
| Тест, устный опрос
| Текущий контроль
|
Знать цифровые интегральные схемы: режимы работы, параметры и характеристики особенности применения при разработке цифровых устройств
| Классификация цифровые интегральные схемы,
применения при разработке цифровых устройств
| Тест, устный опрос
| Текущий контроль
|
Знать этапы развития интегральных схем: большие интегральные схемы (БИС), сверхбольшие интегральные схемы (СБИС), микропроцессоры в виде одной или нескольких СБИС, переход к нанотехнологиям производства ИС, тенденции развития
| Знание этапов развития интегральных схем
| Тест, устный опрос
| Текущий контроль
|
1.2 Оценивание освоенности производится согласно таблицы:
Вид и наименование работ
| Вид контроля
| Критерии оценки
|
«отлично»
| «хорошо»
| «удовлетворительно»
| «неудовлетворительно»
|
1
| 2
| 3
| 4
| 5
| 6
|
Текущий контроль по лекционному материалу
| Выборочный устный контроль
| Студент знает основные понятия раздела и умеет приводить примеры
| Студент ошибается в основных понятиях раздела и умеет приводить примеры
| Студент имеет представление об основных понятиях раздела и не умеет приводить примеры
| Студент не имеет представления об основных понятиях раздела и не умеет приводить примеры
|
Решение практических задач по теме
| Письменный контроль
| Студент понял материал и правильно решил задачи, умеет приводить примеры
| Студент понял материал и правильно решил задачи, не умеет приводить примеры
| Студент имеет представление об основных понятиях, но неправильно решает задачи, не умеет приводить примеры
| Студент не имеет представления об основных понятиях, неправильно решает задачи, не умеет приводить примеры
|
Отчет по практической работе
| Письменный контроль
| Студент знает основные понятия раздела и умеет приводить примеры
| Студент ошибается в основных понятиях раздела и умеет приводить примеры
| Студент имеет представление об основных понятиях раздела и не умеет приводить примеры
| Студент не имеет представления об основных понятиях раздела и не умеет приводить примеры
|
Подготовка доклада
| Устное выступление
| Текст доклада составлен согласно плану, изложение логичное
| В тексте имеются не большие неточности и в изложении не точности
| В тексте и в изложении неточности
| Студент не предоставил текст доклада и не готов к выступлению
|
Самостоятельная работа
| Письменный контроль
| Все материалы предоставлены в срок, не требуют дополнительного завершения. Студент грамотно отвечает на поставленные вопросы, может обосновать свою точку зрения
| Все материалы предоставлены в срок, не требуют дополнительного завершения. Студент грамотно отвечает на поставленные вопросы
| Материалы требуют дополнительного завершения
| Студент не предоставил никаких материалов по теме
|
Контрольная работа или экзаменационная работа
| Письменный контроль
| Студент знает материал, и правильно выполнил все задания
| Студент знает материал, но выполнил задания с неточностями
| Студент знает материал, но выполнил не все задания
| Студент выполнил менее 50% заданий
|
2. Комплект оценочных средств.
Семестр
Контрольные вопросы к темам 1.1 и 1.2.
11. Как называется элемент, имеющий указанную на рисунке 1 структуру. Объяснить принцип его работы.
Рисунок 1
12. Что за характеристики указаны на рисунке 2, к какому элементу они относятся, объяснить их ход. Где расположен участок лавинного открывания.
Рисунок 2
Контрольные вопросы к теме 1.3.
14. Указать условные обозначения транзисторов npn и pnp.
15. Можно ли получить усиление тока при включении транзистора с общей базой.
16.Какое смещение должно быть для эмиттерного и коллекторного переходов при работе транзистора в режиме усиления тока.
17. Указать, структура какого элемента приведена на рисунке 3,и объяснить принцип его работы.
Рисунок 3
18. Указать, структура какого элемента и его условное обозначение приведены на рисунке 4,и объяснить принцип его работы.
Рисунок 4
19. Привести условные графические обозначения всех транзисторов в соответствии с
рисунком 5, назвать выводы.
Рисунок 5
20. В чем преимущество полевых транзисторов перед биполярными?
21. Какие особенности при подаче рабочего напряжения на затвор для ПТ с индуцированным и встроенным каналами?
22. Какую полярность должно иметь напряжение на затворе ПТ с индуцированным p–каналом?
Задания для проведения дифференцированного зачета
Дифференцированный зачет проводится в форме – теста.
Вопросы по темам для подготовки к дифференцированному зачету:
- Способы создания p-n перехода.
- Принцип работы p-n перехода.
- Контактные явления.
- Общие сведения о полупроводниковых диодах.
- Виды полупроводниковых диодов.
- Устройство, принцип работы, характеристики полупроводниковых диодов.
- Рабочий режим полупроводниковых диодов.
- Общие сведения о биполярных транзисторах.
- Устройство, принцип работы, характеристики биполярных транзисторов.
- Основные схемы включения (ОБ, ОК, ОЭ) биполярных транзисторов.
- Частотные и температурные параметры биполярных транзисторов.
- Режимы работы биполярных транзисторов.
- Общие сведения о полевых транзисторах.
- Устройство, принцип работы, характеристики полевых транзисторов.
- МДП-транзисторы. КМОП-транзисторы.
- Параметры полевых транзисторов.
- Преимущества, недостатки полевых транзисторов.
- Выбор рабочего режима полевых транзисторов.
- Общие сведения о тиристорах.
- Логические элементы.
- Параметры логических элементов.
- Реализация логических функций в разных базисах.
- Этапы развития интегральных схем: БИС, СБИС, МП СБИС.
- Степени интеграции.
Тест Вариант 1.
1. При работе транзистора в активном режиме р- n переходы смещены так:
а) ЭП и КП–в прямом направлении
б) ЭП и КП–в обратном направлении
в) ЭП-в прямом, а КП-в обратном направлении
г) КП–в прямом направлении, ЭП-в обратном направлении
2. В транзисторе ток коллектора Iк=9.9 mА, Iб=100мкА. Найти Iэ, α, β:
а) Iэ=10мА, α=0,99, β=99
б) Iэ=9,8мА, α=0,9, β=100
в) Iэ=110мкА, α=0,999, β=999
г) Iэ=90мкА, α=1,1, β=0,1
3. Наибольшим коэффициентом усиления по мощности обладает биполярный транзистор, включенный по схеме:
а) с ОБ
б) с ОЭ,
в) с ОК
г) ОЭ и ОК одинаково
4. Показать УГО n – р – n транзистора (рисунок 1)
Рисунок 1
5. Показать (рис.2) графики входных ВАХ биполярного транзистора в схеме с ОЭ:
Рисунок 2