Краткая даталогия создания транзисторов

1930 г. Юлиус Лилинфельд в результате пяти лет исследований патентует конструкцию твердотельного усилителя, которая сейчас называется "полевой транзистор". Однако, применение эта разработка нашла лишь спустя двадцать лет.

1947 г. Джон Бардин и Уолтер Браттейн придумали точечный транзистор,

1948 г. Уильям Шокли представил проект первого плоскостного транзистора.

 

 

Рис. 15. Современный макет транзистора Бардина и Браттейна

 

1949 г. На фирме Bell Telephone Labs были разработаны и предложены первые плоскостные диоды на основе германия с p-n переходом.

1949 г., Опубликована работа Уильяма Шокли «Теория плоскостных p-n переходов», где он впервые описал сущность т. н. транзисторного эффекта.

В 1948-1949 г. г. Сусанна Гукасовна Мадоян. — выпускница Московского химико-технологического института —. разработала макет первого точечного германиевого транзистора в СССР.

1950 г., Морган Спаркс вырастил первую трёхслойную NPN – структуру, по сути, первый плоскостной транзистор, подтвердив теорию Шокли.

1951 г. Начало массового производства германиевых транзисторов на выращенных переходах — первых полноценных биполярных транзисторов «по Шокли» — на Western Electric.

1950 г., Холл и Данлоп предложили формировать p-n-переходы сплавлением, а первые практические сплавные транзисторы были выпущены General Electric в 1952 году.

 

 

Рис.16. Сплавной транзистор. Квадратная пластина — база, с одной стороны к ней приварена бусина эмиттера, с другой — бусина коллектора

 

1954 г., Первый выращенный кремниевый транзистор изготовил на Texas Instruments Гордон Тил.

1955 г., Уильям Шокли, Джордж Дэйси и Чарльз Ли подали патентную заявку на технологию массового производства диффузионного транзистора.

В 1956 году в СССР под руководством А. В. Красилова. были созданы первые плоскостные транзисторы в НИИ 35 (Ныне ППП «Пульсар».

1958 г., Станислав Тезнер выпустил на французском отделении General Electric «Технитрон» (Technitron) — первый серийный, сплавной полевой транзистор.

1959 году Мартин Аттала предложил выращивать затворы полевых транзисторов из диоксида кремния; приборы такого типа получили название МОП-структур. В том же году Аттала и Дион Канг создали первый работоспособный МОП-транзистор.

1959 г., RCA выпустила тонкоплёночный полевой транзистор на сульфиде кадмия.

1960 г., американская Crystalonics выпустила серийный сплавной полевой транзистор на p-n-переходе с уровнем шумов ниже, чем у биполярных транзисторов.

1962 г., Texas Instruments выпустила первый планарный полевой транзистор на p-n-переходе.

После изобретения точечного транзистора в 1948 году (американские инженеры Бардин, Браттейн) и плоскостного транзистора (1951 г., У. Шокли) и до настоящего времени основными усилительными и переключательными элементами являются биполярные и полевые транзисторы, а также созданные на их основе микросхемы широкополосных усилителей, которые называются операционными усилителями (ОУ) цифровые СБИС.

В последующие годы транзисторы совершенствовались в двух направлениях: повышение рабочей частоты (СВЧ-транзисторы) и увеличение предельных значений допустимых токов, напряжений и рассеиваемой мощности.

Важным трендом процесса совершенствования транзисторов стала их гибридизация, т.е. интегрирование в одном приборе качеств транзисторов с разным принципом управления - например полевых и биполярных транзисторов.