Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Устройства аналоговой памяти (устройства “выборки - хранения”)(УВХ).
Они позволяют по импульсу записи осуществлять запоминание и хранение величины входного аналогового сигнала.
UВЫХ(t) ® UВХ(t) При Dt®0 UВЫХi(t) = UВХ(t), ti – момент для подачи импульса записи. В момент подачи импульса UУ С заряжается до UВХ. В момент подачи импульса UЗ, происходит запись входного сигнала УВХ и идеальный УВХ не меняет напряжения на выходе, вплоть до поступления следующего импульса записи. В момент подачи импульса UЗ погрешность отсутствует. D UВЫХМАХ » (d UВХ(t)/dt)МАХ · Dt Реализация: При замыкании ключа коротким импульсом UЗ, от источника UВХ потечет громадный зарядный ток, который мгновенно заряжает С до величины UВХ(t0). Далее при размыкании UВЫХ сохраняется равным UС.
UВХ = const
Параметры идеального УВХ: Сопротивление ключа равно 0 (когда он замкнут), либо ¥ (разомкнут). Емкость С близка к 0, а внутреннее сопротивление источника UВХ также близко к 0 – в этом случае запись происходит мгновенно. Сопротивление утечки С = ¥ и сопротивление нагрузки на УВХ равно ¥ - в этом случае записанный ранее результат будет сохранять значения долго, т.к. разряд конденсатора отсутствует.
Лекция№10
Реальная схема замещения в режиме записи будет иметь вид: UKМАХ = (d UВХ(t)/dt)МАХ *Dt DUУСТ определяется делителем rВН, RКЗ, RУ, RH. Запись идет по экспоненте, в установившемся режиме имеется погрешность установления, т.е. не доходит до UК.
I DUУСТ = UК RУ || RH/(RУ || RH + rВН + RЗАМ) (1) RУ || RH/(RУ || RH + rВН + RЗАМ) = А. DUЗАП(t) = [UК - DUУСТ] e –(t-t0)/tз (2), где tЗ = RУ || RH || (rВН + RЗАМ)*C» » (rВН + RЗАМ)*C, т.к. RУ и RH можно подобрать большими. Вывод: 1) RУ и RH – должны быть максимальные (из(1)); 2) rВН и RЗАМ - должны быть минимальные (из(1)); 3) С должны быть минимальной (из(2)); условие (А)
DUЗАП(t) = DUУСТ + DUЗАП(t0 + tЗ) hЗАП» UК [KД + e – (t0 – tз)/tз ]/ UKМАХ, где KД = А Процесс хранения. DUХР(t) = [UК - DUУСТ](1 - e –(t – (t0 + tз))/tхр); tХР = RУ || RH || (rВН + RРАЗ)*C» » RУ || RH || RРАЗ*C (3) Поскольку DUХР(t) величина маленькая, то (3) можно заменить линейной зависимостью, только для t0 + tЗ: DUХР(t) = (UК - DUУСТ)(- (t – (t0 + tЗ))/tХР (3’) hХР» UКtХР/ UKМАХtХР. DUS = DUЗАП(t0 + tЗ) + DUУСТ + DUХР(t0 + tЗ + tХР) hS = hЗАП. Из (3) следует, что RУ, RH, rВН аналогичное значение, а RРАЗ стремится к ¥. Для улучшения хранения, С должно быть максимальным. условие (Б).
Условия (А) и (Б) противоречат друг другу, поэтому при реальном проектировании, задача разработчика найти оптимальное значение С. При этом необходимо выбрать элементную базу, прежде всего ключи, конденсатор, буферные ОУ. А так же назначить оптимальное значение tЗ. Исходные данные для синтеза УВХ является DUS. Исходя из этого DUУСТ нужно снизить, а DUЗАП(t0 + tЗ) и DUХР(t0 + tЗ + tХР) назначают равными.
Схема реализации УВХ. Для обеспечения минимального rВН можем использовать КМОП транзистор:
Если учитывать ВАХ: для обеспечения режима записи, необходимо, чтобы I) UЗОТК ³ UОТК + UВХМАХ режим хранения II) UВХMIN – |UПОР| ³ UЗЗАКР Чтобы не искать источник импульсов удовлетворяющий I и II можно использовать микросхемы стандартных ключей (561 КТ1; 176 КТ3; 590 КН2 и другие.). Недостатки схемы: Невысокая точность записи, т.к. запись осуществляется по разомкнутому принципу, т.е. сигнал формируется последовательно.
|
|||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-05-27; просмотров: 108; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.220.136.165 (0.007 с.) |