Полупроводниковые термисторы: конструкция, принцип действия, условные обозначения

3. Задача. Определите ток коллектора в открытом состоянии для симметричного мультивибратора на транзисторах типа КТ315Г с питающим напряжением Uи.п. = 12 В и максимальной мощностью Pmax=150 мВт. Учесть, что максимальная рассеиваемая мощность транзисторов должна составлять значение, на 20 процентов меньше максимальной мощности транзистора, указанной в справочнике и перегрузкой в 3 раза.

 

 

Преподаватель: ________________О.Н. Мальцева

 

Государственное автономное профессиональное

образовательное учреждение Тюменской области

«Тюменский колледж транспортных технологий и сервиса»

РАССМОТРЕНО:       на заседании  предметно-цикловой комиссии Протокол №____       от «___» _________2019 г. ________ И.А.Зорина

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 15 Дисциплина: «Электроника и микропроцессорная техника» Специальность: 23.02.06 Техническая эксплуатация подвижного состава железных дорог

УТВЕРЖДАЮ:          Заместитель директора по учебно-производственной работе __________Н.Ф. Борзенко «___» ___________2019 г.

Характеристика свойств биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой

Фототранзисторы: конструкция, принцип действия, условные обозначения, ВАХ, применение

3. Задача. Найдите значение сопротивления коллекторной нагрузки для симметричного мультивибратора на транзисторах типа КТ315Г с питающим напряжением Uи.п. = 12 В и током коллектора в открытом состоянии I_ко = 3,3 мА.

 

Преподаватель: ________________О.Н. Мальцева

 

 

Государственное автономное профессиональное

образовательное учреждение Тюменской области

«Тюменский колледж транспортных технологий и сервиса»

РАССМОТРЕНО:       на заседании  предметно-цикловой комиссии Протокол №____       от «___» _________2019 г. ________ И.А.Зорина

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 16 Дисциплина: «Электроника и микропроцессорная техника» Специальность: 23.02.06 Техническая эксплуатация подвижного состава железных дорог

УТВЕРЖДАЮ:          Заместитель директора по учебно-производственной работе __________Н.Ф. Борзенко «___» ___________2019 г.

Характеристика свойств биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером

Полупроводниковые варисторы: конструкция, принцип действия, условные обозначения, применение

3. Задача. Для схемы симметричного мультивибратора на транзисторах с коллекторно-базовыми связями., изображенной на рисунке определите частоту следования импульсов этого мультивибратора, если ёмкость С₁ = 0,02 мкФ, С₂ = 0,08 мкФ сопротивление R₂ = 39 кОм, R₃ = 1 кОм.

 

Преподаватель: ________________О.Н. Мальцева

 

Государственное автономное профессиональное

образовательное учреждение Тюменской области

«Тюменский колледж транспортных технологий и сервиса»

РАССМОТРЕНО:       на заседании  предметно-цикловой комиссии Протокол №____       от «___» _________2019 г. ________ И.А.Зорина

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 17 Дисциплина: «Электроника и микропроцессорная техника» Специальность: 23.02.06 Техническая эксплуатация подвижного состава железных дорог

УТВЕРЖДАЮ:          Заместитель директора по учебно-производственной работе __________Н.Ф. Борзенко «___» ___________2019 г.

Характеристика свойств биполярного транзистора, включенного по схеме с общим коллектором

Полупроводниковые фоторезисторы: конструкция, принцип действия, условные обозначения

3. Задача.  Каково изменение силы прямого тока на диоде марки Д312 с дифференциальным сопротивлением 15,4 Ом при изменении прямого напряжения этого диода от 0,2 до 0,4 В?

 

 

Преподаватель: ________________О.Н. Мальцева

 

 

Государственное автономное профессиональное

образовательное учреждение Тюменской области

«Тюменский колледж транспортных технологий и сервиса»

РАССМОТРЕНО:       на заседании  предметно-цикловой комиссии Протокол №____       от «___» _________2019 г. ________ И.А.Зорина

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 18 Дисциплина: «Электроника и микропроцессорная техника» Специальность: 23.02.06 Техническая эксплуатация подвижного состава железных дорог

УТВЕРЖДАЮ:          Заместитель директора по учебно-производственной работе __________Н.Ф. Борзенко «___» ___________2019 г.

Режимы работы биполярного транзистора