Что такое транзистор с неоднородной базой?

 

Это планарный транзистор, в котором между базой и коллектором располагается i‑ слой собственного полупроводника. При этом уменьшается область, обедненная носителями (вблизи перехода коллектор – база) при обратном смещении коллектора, сокращается время пролета носителей на участке база – коллектор и тем самым достигается увеличение максимальной частоты транзистора. Графическое изображение транзисторов с неоднородной базой представлено на рис. 5.6.

 

 

 

Рис. 5.6. Условное графическое обозначение транзистора с неоднородной базой типа p‑n‑i‑p (а) и р‑n‑i‑n (б)

 

Что такое фототранзистор?

 

Это трехслойный полупроводниковый прибор с двумя р‑n переходами и тремя или двумя выводами, в котором выходной ток изменяется с помощью внешнего облучения (освещения) и электрического сигнала, подводимого к транзистору. Освещение влияет на сопротивление области эмиттер – база. Фототранзистор обладает большей чувствительностью, чем фотодиод, и находит применение в измерительных схемах и автоматике. Существуют также полевые фототранзисторы, работающие с очень малыми входными токами и малыми шумами.

 

Что такое диодный тиристор?

 

Это полупроводниковый р‑n‑р‑n прибор с тремя переходами и двумя выводами, имеющий два устойчивых рабочих состояния. В одном состоянии ток, протекающий через прибор, мал, в другом – велик. Диодный тиристор можно рассматривать как последовательное и встречное включение трех диодов (рис. 5.7) или как соединение двух транзисторов типов р‑n‑р и n‑р‑n. Тиристор смещен в проводящем направлении, если на его аноде положительное напряжение; при этом диоды Д1 и Д2 открыты. Для диодного тиристора встречается также название диод Шокли или динистор.

 

 

Рис. 5.7. Структура (а), эквивалентная схема (б) и условное графическое обозначение диодного тиристора (в)

 

Какой вид имеет вольт‑амперная характеристика диодного тиристора?

 

Типичный вид вольт‑амперной характеристики диодного тиристора, т. е. зависимость протекающего через тиристор тока от подводимого напряжения, представлен на рис. 5.8. При подведении к аноду отрицательного напряжения (при смещении тиристора в непроводящем направлении) через тиристор течет очень малый обратный ток (так называемое состояние запирания тиристора), дифференциальное сопротивление в этой области очень велико (несколько десятков мегом). При превышении обратного напряжения пробоя Uобр наступает резкое увеличение этого тока. При подаче на анод тиристора положительного напряжения, т. е. при его смещении в проводящем направлении, возможны два состояния: выключенное (запертое) и включенное (отпертое) состояние, в котором дифференциальное сопротивление тиристора очень мало (несколько ом).

Для перехода из выключенного во включенное состояние требуется превышение напряжения включения Uвкл. Процесс перехода длится определенное время, связанное с движением носителей зарядов через переходы. Для возврата в выключенное состояние требуется отключение или соответствующее уменьшение внешнего напряжения.

 

 

Рис. 5.8. Типичный вид вольт‑амперной характеристики диодного тиристора:

1 – ток выключения; 2 – включенное (открытое) состояние; 3 – запертое состояние (отсутствие проводимости); 4 – лавинный пробой; 5 – напряжение включения; 6 – выключенное (закрытое) состояние