Прибор, условное обозначение которого изображено на рисунке, относится к разряду

фотоприемников

 

 

Найдите соответствующее условное обозначение (рис. 1-3) электронным компонентам, внешний вид которых изображен на рисунках 4-6.

Указание: вспомните, что фотоэлементы (солнечные батареи) - это один из указанных приборов, работающий в фотогенераторном режиме

6

 условное обозначение 1

5

 условное обозначение 2

4

 условное обозначение 3

0

 фото 4

0

 фото 5

0

 фото 6

 

Конструкция индикатора, позволяющая воспроизводить все буквы алфавита, называется

матричной

 

 

В качестве приемников излучения в оптроне используются

фототранзисторы

фоторезисторы

 

Без навесных элементов могут быть изготовлены микросхемы

совмещенные

полупроводниковые

 

 

Гибридными называют микросхемы, в которых используются

 тонкие и толстые пленки

 пассивные и активные элементы

 пленочные элементы и навесные компоненты

 диэлектрические подложки

 

Полупроводниковыми называют микросхемы, в которых используются

пассивные и активные элементы

полупроводниковые подложки

элементы, выполненные в глубине подложки на основе структур транзисторов

 

Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема,...

 в которой все элементы выполнены в объеме, а межэлементные соединения на поверхности полупроводника

 

Совмещенная интегральная микросхема – это микросхема, …

пассивные элементы которой делают пленочными, а активные в глубине полупроводникового кристалла

 

Гибридная интегральная микросхема – это микросхема, …

пассивные элементы которой делают, как правило, пленочными, а активные – навесными

 

По видуобрабатываемого сигнала интегральные схемы подразделяются на

 аналоговые и цифровые

 

Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем, как правило, является

 кремний

 

Эпитаксия – это технологический процесс

наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку

 

Методом вакуумного испарения в присутствии кислорода

окисляют кремний с целью получения пленки двуокиси кремния

Фотолитография – это

процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических и металлических пленках, нанесенных на поверхность полупроводниковых или диэлектрических подложек

 

Легирование – это

введение необходимых примесей в монокристаллический полупроводник

 

 

Подложки гибридных интегральных схем служат

диэлектрическим и механическим основанием для пленочных и навесных элементов, а так же для теплоотвода

 

Укажите признак диодного включения транзистора

I к=0

 

Для схемы диодного включения транзистора, изображенной на рисунке, напряжение пробоя составляет

Указание: вспомните, какой из переходов (эмиттерный или коллекторный) более низкоомный

 5-8 В

 

Укажите признак диодного включения транзистора

U бэ=0

 

 

Для схемы диодного включения транзистора, изображенной на рисунке, напряжение пробоя составляет

Указание: вспомните, какой из переходов (эмиттерный или коллекторный) более низкоомный

20-50 В

 

Укажите признак диодного включения транзистора

I э=0

 

 

Для схемы диодного включения транзистора, изображенной на рисунке, напряжение пробоя составляет

Указание: вспомните, какой из переходов (эмиттерный или коллекторный) более низкоомный

20-50 В

 

Укажите признак диодного включения транзистора

  U кэ=0

 

Для схемы диодного включения транзистора, изображенной на рисунке, напряжение пробоя составляет

Указание: вспомните, какой из переходов (эмиттерный или коллекторный) более низкоомный

 5-8 В

 

Укажите признак диодного включения транзистора

  U кэ=0

Укажите признак диодного включения транзистора

I э=0

 

Операционный усилитель имеет

Указание: вспомните простейшее условное обозначение ОУ

два входа и один выход

 

 

Операционный усилитель имеет большое входное сопротивление, так как на его входе включен

Указание: вспомните простейшую структурную схему ОУ

дифференциальный усилитель