Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Термохимическое разрушение стеклопластиков.
Понятие стеклопластикиохватывает довольно широкий класс композиционных материалов, сосотоящих из различных стеклотканей (волокон) и различных смол. Наиболее теплоэрозионностойкими из них являются стеклопластики на основе кварцевого стекла (SiO2) и фенолформальдегидных смол. Разрушение такого материала при нагреве в окислительной среде происходит по-разному в зависимости от соотношения углерода и двуокиси кремния, так как эти вещества реагируют между собой. Здесь рассматривается случай, соответствующий избытку двуокиси кремния в такой реакции (рис. 5.12). Так же как в углепластиках массовую долю связующего вещества (смолы) в стеклопластиках обозначим через , тогда доля двуокиси кремния (стеклоткань, стекловолокно) составит в предположении, что материал состоит только из связующего и двуокиси кремния. Деструкция связующего вещества – это первое превращение, происходящее в стеклопластике; заметное разложение происходит уже при 500…600 К, взаимодействие двуокиси кремния с углеродом в этом диапазоне температур еще не появляется. Поэтому процесс термодеструкции связующего описывается независимо и определяется теми же уравнениями, что и для углепластика: ; ; (5.22) . Здесь – кинетические константы процесса термодеструкции, G 1 – расход продуктов дестрекции связующего. В процессе термодеструкции часть массы связующего c газифицируется. Газообразные продукты деструкции фильтруются сквозь прококсованный слой к поверхности и уходят из материала. Твердый остаток связующего практически полностью состоит из углерода (коксовый остаток). На основании сказанного состав материала за фронтом деструкции до начала взаимодействия углерода с SiO2 можно описать соотношениями:
Рис. 5.12.
– доля массы, которая уходит из материала в процессе термодеструкции (предельная пористость материала в конце процесса термодеструкции), то есть плотность материала станет ; – массовая доля углерода (кокс) в прококсованном материале (от исходной массы); – массовая доля SiO2 (от исходной массы).
При этом составе и температуре ~ 1400… 1500 К в пористом материале начинается взаимодействие углерода с двуокисью кремния. По мнению многих авторов это взаимодействие можно описать реакцией: C + SiO2 ® CO + SiO Продуктами реакции являются газообразные вещества, они фильтруются к поверхности и уходят из материала. В зоне реагирования двуокись кремния может находиться как в твердом, так и в расплавленном состоянии. В зоне твердого состояния вещества в процессе реагирования образуются новые поры. Реакция может протекать до тех пор, пока не закончится один из реагентов. В целом процесс взаимодействия углерода с двуокисью кремния также описывается кинетическим уравнением типа закона Аррениуса: , (5.23) где , – предэкспоненциальный множитель и энергия активации для реакции углерода с двуокисью кремния. При определенном нагреве двуокись кремния, являясь аморфным веществом, размягчается и становится все менее вязкой и более текучей. Для построения математической модели можно принять, что по достижении температуры плавления SiO2 переходит в расплав. Фронт плавления движется со скоростью V пл, определяемой разностью удельных тепловых потоков: , направленного со стороны расплава и , направленного от границы плавления внутрь твердой части материала: , (5.24) где – плотность (концентрация) двуокиси кремния в твердой фазе; – тепловой эффект плавления двуокиси кремния; – толщина материала (в твердой фазе), которая расплавится за время . – массовая доля углерода; (5.25) – массовая доля окиси кремния. (5.26) В процессе плавления поры в материале исчезают, материал уменьшается в объеме. Изменение толщины жидкой пленки определяется соотношением: . (5.27) За время dt поверхность материала за счет сжатия при плавлении переместится на величину . Следовательно, скорость движения внешней поверхности пленки (по нормали к поверхности за счет плавления и ликвидации пор) можно определить как:
. (5.28) Здесь следует понимать как долю прореагировавшего вещества, уносимую из жидкой пленки в виде газа; – плотность твердых частиц углерода коксового остатка в пленке расплава; – плотность жидкой двуокиси кремния. Кинетическое уравнение взаимодействия двуокиси кремния с углеродом в жидкой пленке при уменьшении объема из-за плавления записывается в виде: ; (5.29) . (5.30) Расход газообразных продуктов через жидкую пленку теперь складывается из продуктов деструкции, продуктов реакции SiO2+C в жидкой и твердой фазе. Здесь m – масса прореагировавшего вещества в единице объема пленки. Из-за ухода массы из объема пленки ее поверхность будет дополнительно перемещаться. Углерод, вышедший на поверхность материала, может реагировать с окисляющими компонентами газового потока. Это взаимодействие можно описать аналогично углепластикам, но с учетом доли поверхности, занятой углеродом: . . (5.31) Однако такая скорость уноса может быть реализована, только если частицы углерода успевают обнажаться в процессе испарения двуокиси кремния: . В противном случае скорость уноса поверхности материала из-за окисления углерода будет лимитирована скоростью испарения: . Течение и испарение пленки SiO2 обычно невелики и могут быть учтены, используя подходы, изложенные в монографии [5.16].
|
||||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-01-08; просмотров: 120; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.117.183.172 (0.006 с.) |