Уровень низкочастотного шума

Уровень низкочастотного шума

- более низкий у биполярных транзисторов

+ более низкий у полевых транзисторов

- одинаков как у биполярных, так и у полевых транзисторов

 

Входное сопротивление больше у

- биполярного транзистора

- полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

+ МДП-транзисторов

 

Вывод полевого транзистора, к которому прикладывают управляющее напряжение, называется

- сток

+ затвор

- подложка

- исток

 

Вывод полевого транзистора, к которому движутся основные носители заряда в канале, называется

+ сток

- затвор

- подложка

- исток

 

Вывод полевого транзистора, от которого начинают движение основные носители заряда в канале, называется

- сток

- затвор

+ исток

 

Выводы полевого транзистора называются

+ сток

+ затвор

+ исток

- база

- коллектор

- эмиттер

- анод

- катод

 

Полевые транзисторы управляются

-током

+ напряжением

- как током, так и напряжением

 

 

Встроенным называется такой канал в полевых транзисторах, который

+ создан в исходной пластине кремния с помощью диффузионной технологии

- образован благодаря притоку носителей заряда из полупроводниковой пластины при приложении к затвору напряжения относительно истока

- наведен электрическим полем электрона

- индуцирован дырками

 

 

Индуцированным называется канал в полевых транзисторах, который

+образован благодаря притоку неосновных носителей заряда из полупроводниковой пластины при приложении к затвору напряжения относительно истока     

- образован благодаря притоку основных носителей заряда из полупроводниковой пластины при приложении к затвору напряжения относительно истока      

- индуцирован дырками

- создан в исходной пластине кремния с помощью диффузионной технологии

 

 

Высокое входное сопротивление полевого транзистора с управляющим р-n-переходом обусловлено

+ обратно смещенным p-n-переходом затвор-канал

- наличием диэлектрика между затвором и каналом

- прямо смещенным p-n-переходом затвор-канал

 

 

При напряжении затвор-исток равном нулю, ток стока в полевом транзисторе с управляющим p-n- переходом

- отсутствует

+ максимален

- имеет произвольное значение

 

 

Для управления сопротивлением канала полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, необходимо включить переход затвор-канал в

- прямом направлении

+ обратном направлении

- произвольном направлении

 

 

Может работать с любой полярностью напряжения на затворе полевой

-транзистор с управляющим p-n-переходом

- МДП-транзистор со индуцированным каналом

+ МДП-транзистор со встроенным каналом

 

 

На затвор полевого транзистора с управляющим p–n–переходом подается напряжение

- открывающее p–n–переход между затвором и каналом

+ запирающее p–n–переход между затвором и каналом

- произвольного направления

 

 

Напряжением отсечки полевого транзистора с управляющим p-n-переходом называют напряжение, при котором ток стока

- достигнет заданного низкого значения

+ станет равен нулю

- достигнет максимального значения

 

 

Уменьшить ток стока до нуля в полевом транзисторе с управляющим p–n–переходом возможно

- с помощью напряжения U_СИ

+ с помощью напряжения U_ЗИ

- с помощью напряжений U_СИ и U_ЗИ

 

 

Напряжение, при котором возникает индуцированный канал в подложке р или n-типа, называется

- напряжением отсечки

+ пороговым напряжением

- напряжением смещения

 

Крутизна стоко-затворной характеристики полевого транзистора определяется как отношение соответствующих приращений:

- напряжения сток-исток к току стока

- напряжения затвор-исток к току стока

+ тока стока к напряжению затвор-исток

- тока стока к напряжению сток-исток

 

МДП-транзисторы подразделяются на

+ транзисторы с индуцированным каналом

+ транзисторы со встроенным каналом

- транзисторы с управляющим каналом

- транзисторы с инвертирующим каналом

 

 

Уровень низкочастотного шума

- более низкий у биполярных транзисторов

+ более низкий у полевых транзисторов

- одинаков как у биполярных, так и у полевых транзисторов