Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Тема 2.3 Полупроводниковые диоды
Устройство, классификация, принцип работы и область применения полупроводниковых диодов. Маркировка и условное графическое обозначение диодов. Основные параметры диодов. Построение и анализ вольтамперной характеристики диода Литература: [20], с. 37-46
Вопросы для самоконтроля 1 Дайте понятие о полупроводниковом диоде. 2 Классифицируйте полупроводниковые диоды по конструкции, по области применения и представьте их условно-графическое обозначение. 3 Расшифруйте систему обозначения и охарактеризуйте основные параметры полупроводниковых диодов. 4 Проанализируйте зависимость ВАХ полупроводникового выпрямительного диода от материала полупроводника и температуры окружающей среды. 5 Дайте понятие о полупроводниковом стабилитроне. 6 Расшифруйте систему обозначения и охарактеризуйте основные параметры стабилитрона. 7 Проанализируйте работу стабилитронов при их параллельном и последовательном включении. 8 Назовите основные параметры кремниевых стабилитронов и стабисторов. Какие из них можно определить по ВАХ? 9 Изобразите на одном графике ΒΑΧ германиевого и кремниевого диодов. Чем вызваны отличия прямых и обратных ветвей характеристик? 10 Чем ограничивается частотный диапазон полупроводниковых диодов? Каким образом его можно увеличить? 11 На использовании какого явления основана работа варикапа? Тема 2.4 Биполярные транзисторы
Классификация и область применения биполярных транзисторов. Устройство, принцип действия и характеристики биполярного транзистора Условное графическое обозначение и маркировка биполярных транзисторов Режимы работы и схемы включения биполярных транзисторов. Схемы замещения биполярных транзисторов и методика расчета их параметров Определение параметров биполярных транзисторов по их характеристикам Литература: [20], с. 46-57
Вопросы для самоконтроля 1 Дайте понятие о биполярном транзисторе. 2 Классифицируйте биполярные транзисторы и представьте их условно-графическое обозначение. 3 Расшифруйте систему обозначения и охарактеризуйте режимы работы транзистора с общим эмиттером. 4 Проанализируйте влияние температуры окружающей среды на усилительные свойства биполярного транзистора.
5 Дайте понятие о статических характеристиках биполярного транзистора. 6 Классифицируйте семейства статических характеристик. 7 Изложите методику построения семейства статических характеристик для схемы с общим эмиттером. 8 Проанализируйте причину сдвига и наклона выходных характеристик транзистора к оси ординат при изменениях тока базы. 9 Дайте понятие о малосигнальных параметрах усилительного режима работы транзистора. 10 Изложите способ измерения малосигнальных параметров биполярного транзистора. 11 Охарактеризуйте электрическое состояние биполярного транзистора по малосигнальным параметрам для схемы с общим эмиттером. 12 Проанализируйте способы изменения рабочей области выходных характеристик биполярных транзисторов. 13 Изобразите схемы включения биполярных транзисторов типов р-n-р и n‑р‑n в режимах отсечки, насыщения и активном. В каком из этих режимов возможно активное управление коллекторным током и почему? 14 Как определяются h-параметры по статическим характеристикам биполярного транзистора? Тема 2.5 Полевые транзисторы
Устройство, принцип действия и классификация полевых транзисторов. Условное графическое обозначение и маркировка полевых транзисторов. Основные характеристики полевого транзистора Режимы работы полевых транзисторов Схемы замещения, расчет и определение параметров полевых транзисторов по их характеристикам Литература: [21], с. 62-69
Вопросы для самоконтроля 1 Дайте понятие о полевом транзисторе. 2 Классифицируйте по электропроводности полупроводникового материала, способу изоляции затвора и представьте их условно-графическое обозначение. 3 Расшифруйте систему обозначения, охарактеризуйте выходные и передаточные ВАХ-ки, основные и предельно допустимые параметры полевого транзистора. 4 Проанализируйте достоинства, недостатки и область применения транзистора. 5 Какие характеристики и параметры определяют основные свойства полевых транзисторов? Тема 2.6 Тиристоры
Классификация, маркировка и условные графические обозначения тиристоров. Устройство и принцип работы тиристоров
Основные характеристики и параметры тиристоров Схемы управления тиристором. Литература: [20], с. 57-62
Вопросы для самоконтроля 1 Дайте понятие о тиристоре. 2 В чем отличия между динистором и тринистором? 3 Классифицируйте и представьте их условно графическое обозначение. 4 Расшифруйте систему обозначения, охарактеризуйте ВАХ и основные параметры тиристора. 5 Проанализируйте способы выключения тиристора.
|
||||||
Последнее изменение этой страницы: 2020-11-23; просмотров: 93; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.224.63.87 (0.007 с.) |