Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Прямое и обратное включение p - n перехода
Если к p-n переходу приложить внешнюю разность потенциалов U, как это показано на (рис. 27) (это - так называемое прямое включение p-n перехода), то внешнее поле E внеш уменьшит существующее в кристалле поле E, и высота порогов уменьшится, тогда ток основных носителей возрастет в соответствии с формулой: . Ток неосновных носителей при этом практически не изменится, так как он лимитируется малым числом неосновных носителей. Если к p-n переходу приложить внешнюю разность потенциалов "наоборот", как это показано на (рис. 28) (так называемое обратное включение p-n перехода), то внешнее поле Е внеш увеличит существующее на границе поле E, и высота порогов увеличится. Ток основных носителей от этого уменьшится. Ток неосновных носителей при этом практически не изменится, так как он лимитируется малым числом неосновных носителей. Рис.27. Прямое включение p - n -перехода(в верху); потенциальный порог вблизи p-n- перехода при прямом включении внешнего поля в нем (в внизу) Если к p-n переходу приложить внешнюю разность потенциалов "наоборот", как это показано на (рис. 28) (так называемое обратное включение p-n перехода), то внешнее поле Е внеш увеличит существующее на границе поле E, и высота порогов увеличится. Ток основных носителей от этого уменьшится. Ток неосновных носителей при этом практически не изменится, так как он лимитируется малым числом неосновных носителей.
Рис.28. Обратное включение p - n -перехода(в верху); потенциальный порог вблизи p-n- перехода при обратном включении внешнего поля в нем (в внизу) Пробой p - n перехода. Если продолжать увеличение напряжения обратной полярности, то при некотором напряжении Uc, называемом напряжением пробоя, произойдет пробой p-n перехода. Это связано с тем, что в закрытом состоянии p-n перехода почти все приложенное напряжение действует в тонком пограничном слое. Поэтому в нем сформируется большая напряженность электрического поля, способная ускорить электрон на малом расстоянии до энергий достаточных для "выбивания" электрона из ковалентной связи; далее уже оба электрона будут ускорены, они выбьют еще электроны и так далее, возникает электронная лавина, приводящая к пробою перехода. Пробою соответствует участок около U c на ВАХ (рис. 29). Этот участок при | U | < | U c| имеет участок плавного нарастания тока, что позволяет использовать явление пробоя, вернее предпробойное состояние для стабилизации напряжения.
Рис.29. Зависимость тока основных и неосновных носителей через p-n- переход от напряжения на нем, ВАХ p-n перехода ВАХ p-n перехода получается нелинейной и несимметричной: в одну сторону p-n переход проводит ток очень хорошо, а в другую - очень плохо. Этому можно дать и простое, наглядное объяснение таких сильных отличий проводимости p-n перехода в разных направлениях. При включении p-n перехода в прямом направлении дырки в левой области будут двигаться к границе раздела, и электроны из правой области также будут двигаться к границе раздела (рис. 30). На границе они будут рекомбинировать. Ток на всех участках цепи обеспечивается основными носителями, сам p-n переход обогащен носителями тока. Проводимость p-n перехода будет большой.
Рис.30. Схема движения электронов и дырок при прямом (слева) и обратном (спрапа) включении p-n перехода При включении p-n перехода в обратном направлении и дырки в левой области будут двигаться от границы раздела, и электроны из правой области также будут двигаться от границы раздела (рис. 30). На границе раздела областей в итоге не останется основных носителей тока. Ток на этой границе будет обеспечивается очень малым числом неосновных носителей, образовавшихся вблизи тонкого p-n перехода. Проводимость p-n перехода будет малой. В итоге ВАХ примет асимметричный вид.
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2020-11-11; просмотров: 153; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.225.35.81 (0.005 с.) |