Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Основные проблемы обеспечения электромагнитной совместимости в импульсных ИВЭП и общие методы их решения
Как уже отмечалось ранее, импульсные ИВЭП подвержены воздействию электромагнитных помех различного вида. Помехи могут поступать из сети электропитания, наводиться внешними высокочастотными магнитными полями. Поэтому, с одной стороны, импульсный источник питания, как и любое ТС, должен обладать необходимым уровнем помехоустойчивости. С другой стороны, импульсный ИВЭП является источником (генератором) электромагнитных помех (рис. 1) в широком диапазоне частот и поэтому должен иметь уровень помехоэмиссии, соответствующий принятым нормам. При этом следует учитывать, что сам импульсный источник питания состоит из функциональных узлов и модулей различного назначения, работающих в различных частотных диапазонах, с разными энергетическим уровнями, требованиями к чувствительности, точности, зачастую с внешним интерфейсом и т. д. Таким образом, проблемы обеспечения ЭМС импульсных ИВЭП необходимо решать конкретно в трех основных направлениях: 1) Мероприятия по подавлению (ослаблению) электромагнитных аномалий и помех со стороны сети электропитания (входа). 2) Мероприятия по ослаблению собственных (внутриобъектовых) помех. 3) Мероприятия по подавлению (ослаблению) кондуктивных помех на выходе ИВЭП. Кратко рассмотрим упрощенную схему импульсного ИВЭП с корректором коэффициента мощности (ККМ) (см. рис. 2). По подобной схеме выполнен импульсный ИВЭП с выходной мощностью до 1500 Вт. Рис. 2. Упрощенная схема импульсного ИВЭП с корректором коэффициента мощности. Во входной цепи однофазного переменного тока (220 В, 50 Гц) включены: ограничитель пусковых токов – терморезистор Rt (NTC), ограничитель импульсных перенапряжений помех – варистор Ru (~ 275 Вэфф max). Сетевой помехоподавляющий фильтр (ФС), например, типа Сх – L0 – (Сх + 2Сy), осуществляет как подавление электромагнитных помех со стороны сети (помехоустойчивость), так и подавление помех со стороны самого импульсного ИВЭП (уменьшение помехоэмиссии). С выхода выпрямительного моста (VD0 или ВС), выбранного с обратным напряжением не менее 600 В, выпрямленное пульсирующее напряжение частоты 100 Гц поступает на вход активного корректора коэффициента мощности (ККМ). Керамический конденсатор С1 (емкость 0,47-1 мкФ, напряжение не менее 630 В) облегчает начальный пуск ККМ и осуществляет частичную фильтрацию ВЧ-помех ККМ.
Корректор КМ является повышающим (до напряжения U0 = +350...400 В) импульсным стабилизатором выпрямленного сетевого напряжения. Основные элементы ККМ: силовой ключ VT1, бустерный диод VD1, накопительный дроссель L1, выходной буферный электролитический конденсатор С2, схема управления (СУ1) на основе контроллера ККМ. Силовой ключ – мощный высоковольтный (600…800 В) MOSFET (МОП-транзистор), имеющий низкое сопротивление открытого канала "сток-исток" и высокое быстродействие. В настоящее время частота работы ККМ (частота переключения MOSFET) составляет порядка 100-150 кГц. Диод VD1 должен иметь обратное напряжение URRM не ниже 600 В и малое время восстановления обратного сопротивления (десятки наносекунд). Обычные требования к накопительному дросселю L1: индуктивность 200-1000 мкГн, минимальные паразитные параметры (емкость Cs) или высокая добротность. Дроссель L1 чаще всего выполняется на кольцевых сердечниках из магнитодиэлектриков, например МП140, МП250 или их зарубежных аналогов. Выходной (буферный) конденсатор (С2) – электролитический с напряжением 450 В и низким выходным импедансом на частоте пульсаций преобразования (не менее 100 кГц). Преобразователь напряжения (ПН) — это однотактный прямоходовой преобразователь, выполненный по схеме так называемого "косого" моста на транзисторах MOSFET (VT2, VT3), работающих синхронно. Диоды VD2 и VD3 рекуперируют избыточную энергию намагничивания силового трансформатора Тр.с обратно в ККМ (конденсатор С2). Эти диоды должны иметь обратное напряжение URRM не ниже 600 В (лучше 800-1000 В) и малое значение времени восстановления (trr = 35... 100 нс). Управление силовыми ключами производится от схемы управления (СУ2) на основе ШИМ-контроллера с развязкой на основе управляющего трансформатора Тр.у. Выходной ВЧ-выпрямитель (диоды VD4, VD5) должен выполняться на низковольтных диодах Шоттки, имеющих соответствующее значение обратного напряжения (45-200 В), наименьшее падение напряжения (UF = 0,35...0,6 В) и традиционно малое время восстановления (trr = 35...75 нс).
Сглаживающий фильтр ВЧ-пульсаций и кондуктивных помех выполнен двухзвенным. При этом первое звено (L2-C3,C4) обеспечивает "главное" подавление пульсаций на частоте переключения. Второе звено (L3-C5,C6) в большей степени осуществляет подавление гармоник основной частоты пульсаций и помех. В таблице 1 рассмотрены основные проблемы в области ЭМС импульсных ИВЭП и приведены в обобщенном виде мероприятия по обеспечению ЭМС. Таблица 1. Общие методы обеспечения ЭМС импульсных источников питания. Таблица 1 (продолжение). Отметим важное обстоятельство при реализации рекомендаций, приведенных в таблице 1 или описанных в других работах: для уверенного решения задачи практического обеспечения ЭМС импульсных источников питания по всем требуемым нормам необходимо учитывать весь комплекс мероприятий. Накопленный опыт разных разработчиков и исследователей показывает, что при пренебрежении какими-то отдельными рекомендациями (второстепенными по мнению новичка), недопустимый уровень помех может проявиться в непредвиденных аспектах: некоторые режимы функционирования, диапазон частот, "другая" сеть электропитания и т. д. В то же время разумный подход к проблеме обеспечения ЭМС импульсных ИВЭП, использование "чужого" положительного опыта и, конечно, инженерная интуиция позволяют достигнуть существенных результатов даже при решении сложных задач по подавлению помех. Ослабление электромагнитных воздействий со стороны сети электропитания Использование структур источниковпитания, адаптированныхк "плохой" сети электропитания Для обеспечения адаптации ИВЭП к "плохой" электросети используются специальные структурные и схемотехнические методы. К числу основных классов таких источников питания можно отнести: • источники гарантированного питания (ИГП); • источники бесперебойного питания (ИБП) – Uninterruptible Power Supply (UPS); • источники питания с универсальным входом (universal input); • источники питания с коррекцией коэффициента мощности (ККМ) – Power Factor Correction (PFC).
|
||||||
Последнее изменение этой страницы: 2020-03-13; просмотров: 123; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.191.102.112 (0.007 с.) |